Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор)

• Published in: Физика низких температур
• Date: 1996
• Main Author: Дмитренко, И.М
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Subjects: Библиография
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179873
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) / И.М. Дмитренко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 849-869. — Бібліогр.: 84 назв. — рос.

Рассматриваются процессы, определяющие в изотермических условиях структуру резистивного состояния пленок, широких по сравнению с глубиной проникновения λ┴ , вид вольтамперной характеристики, критические токи, гистерезисы различного происхождения, нелинейности динамического смешанного состояния и образование линий проскальзывания фазы. Рассмотрено также распределение потенциалов пар и квазичастиц в линиях проскальзывания фазы, взаимодействие линий и особенности динамики вихрей в области разбаланса зарядов. Центры проскальзывания фазы в узких сверхпроводящих каналах и взаимодействие пленок с СВЧ полями кратко упоминаются. Приведены известные результаты по В7СП материалам, а также визуальная информация, получаемая с помощью низкотемпературной лазерной сканирующей микроскопии. Розглядаються процеси, які у ізотермічних умовах визначають структуру резистивного стану плівок, широких у порівнянні з глибиною проникнення λ┴, вигляд вольт-амперних характеристик, критичні струми, гістерезиси різного походження, нелінійності динамічного змішаного стану та утворення ліній просковзування фази. Розглянуто також розподілення потенціалів пар та квазічастинок в лініях просковзування фази, взаємодія ліній та особливості динаміки вихорів в області розбалансів зарядів. Центри просковзування фази у вузьких надпровідних каналах та взаємодія з НВЧ полями коротко згадуються. Наведено відомі результати по ВТНП матеріалам, а також візуальна інформація, одержана за допомогою низькотемпературної лазерної скануючої мікроскопії. The processes are considered which define, under isothermal conditions, the structure of resistive state of the films with the width greater than the penetration depth λ┴ , the shape of voltage-current characteristic, critical currents, hysteresises of different origin, non-linearities of dynamical mixed state and formation of the phase slip lines (PSD. A distribution of the pair and quasiparticle potentials in PSLs, interaction of the lines and peculiarities of vortices dynamics in the charge disbalance region are also discussed. The centers of phase slip in narrow superconducting channels and effect of microwave fields on the films also have received some attention. The known results for HTS materials are given as well as the visual information obtained by a low-temperature laser scanning microscopy.