Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор)
Рассматриваются процессы, определяющие в изотермических условиях структуру резистивного состояния пленок, широких по сравнению с глубиной проникновения λ┴ , вид вольтамперной характеристики, критические токи, гистерезисы различного происхождения, нелинейности динамического смешанного состояния и обр...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 1996 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179873 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) / И.М. Дмитренко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 849-869. — Бібліогр.: 84 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-179873 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дмитренко, И.М 2021-06-29T16:40:53Z 2021-06-29T16:40:53Z 1996 Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) / И.М. Дмитренко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 849-869. — Бібліогр.: 84 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179873 Рассматриваются процессы, определяющие в изотермических условиях структуру резистивного состояния пленок, широких по сравнению с глубиной проникновения λ┴ , вид вольтамперной характеристики, критические токи, гистерезисы различного происхождения, нелинейности динамического смешанного состояния и образование линий проскальзывания фазы. Рассмотрено также распределение потенциалов пар и квазичастиц в линиях проскальзывания фазы, взаимодействие линий и особенности динамики вихрей в области разбаланса зарядов. Центры проскальзывания фазы в узких сверхпроводящих каналах и взаимодействие пленок с СВЧ полями кратко упоминаются. Приведены известные результаты по В7СП материалам, а также визуальная информация, получаемая с помощью низкотемпературной лазерной сканирующей микроскопии. Розглядаються процеси, які у ізотермічних умовах визначають структуру резистивного стану плівок, широких у порівнянні з глибиною проникнення λ┴, вигляд вольт-амперних характеристик, критичні струми, гістерезиси різного походження, нелінійності динамічного змішаного стану та утворення ліній просковзування фази. Розглянуто також розподілення потенціалів пар та квазічастинок в лініях просковзування фази, взаємодія ліній та особливості динаміки вихорів в області розбалансів зарядів. Центри просковзування фази у вузьких надпровідних каналах та взаємодія з НВЧ полями коротко згадуються. Наведено відомі результати по ВТНП матеріалам, а також візуальна інформація, одержана за допомогою низькотемпературної лазерної скануючої мікроскопії. The processes are considered which define, under isothermal conditions, the structure of resistive state of the films with the width greater than the penetration depth λ┴ , the shape of voltage-current characteristic, critical currents, hysteresises of different origin, non-linearities of dynamical mixed state and formation of the phase slip lines (PSD. A distribution of the pair and quasiparticle potentials in PSLs, interaction of the lines and peculiarities of vortices dynamics in the charge disbalance region are also discussed. The centers of phase slip in narrow superconducting channels and effect of microwave fields on the films also have received some attention. The known results for HTS materials are given as well as the visual information obtained by a low-temperature laser scanning microscopy. В заключение я хотел бы отметить, что написание этого обзора стимулировано 90-летним юбилеем моего учителя Бориса Георгиевича Лазарева и ему посвящено. Хотелось бы также поблагодарить Л. Е. Мусиенко за большую помощь при подготовке обзора, В. Г. Волоцкую и А. Г. Сивакова за обсуждения. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Библиография Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) Resistive state of wide superconducting films and phase slip lines (Review Article) Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) |
| spellingShingle |
Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) Дмитренко, И.М Библиография |
| title_short |
Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) |
| title_full |
Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) |
| title_fullStr |
Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) |
| title_full_unstemmed |
Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) |
| title_sort |
резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (обзор) |
| author |
Дмитренко, И.М |
| author_facet |
Дмитренко, И.М |
| topic |
Библиография |
| topic_facet |
Библиография |
| publishDate |
1996 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Resistive state of wide superconducting films and phase slip lines (Review Article) |
| description |
Рассматриваются процессы, определяющие в изотермических условиях структуру резистивного состояния пленок, широких по сравнению с глубиной проникновения λ┴ , вид вольтамперной характеристики, критические токи, гистерезисы различного происхождения, нелинейности динамического смешанного состояния и образование линий проскальзывания фазы. Рассмотрено также распределение потенциалов пар и квазичастиц в линиях проскальзывания фазы, взаимодействие линий и особенности динамики вихрей в области разбаланса зарядов. Центры проскальзывания фазы в узких сверхпроводящих каналах и взаимодействие пленок с СВЧ полями кратко упоминаются. Приведены известные результаты по В7СП материалам, а также визуальная информация, получаемая с помощью низкотемпературной лазерной сканирующей микроскопии.
Розглядаються процеси, які у ізотермічних умовах визначають структуру резистивного стану плівок, широких у порівнянні з глибиною проникнення λ┴, вигляд вольт-амперних характеристик, критичні струми, гістерезиси різного походження, нелінійності динамічного змішаного стану та утворення ліній просковзування фази. Розглянуто також розподілення потенціалів пар та квазічастинок в лініях просковзування фази, взаємодія ліній та особливості динаміки вихорів в області розбалансів зарядів. Центри просковзування фази у вузьких надпровідних каналах та взаємодія з НВЧ полями коротко згадуються. Наведено відомі результати по ВТНП матеріалам, а також візуальна інформація, одержана за допомогою низькотемпературної лазерної скануючої мікроскопії.
The processes are considered which define, under isothermal conditions, the structure of resistive state of the films with the width greater than the penetration depth λ┴ , the shape of voltage-current characteristic, critical currents, hysteresises of different origin, non-linearities of dynamical mixed state and formation of the phase slip lines (PSD. A distribution of the pair and quasiparticle potentials in PSLs, interaction of the lines and peculiarities of vortices dynamics in the charge disbalance region are also discussed. The centers of phase slip in narrow superconducting channels and effect of microwave fields on the films also have received some attention. The known results for HTS materials are given as well as the visual information obtained by a low-temperature laser scanning microscopy.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179873 |
| citation_txt |
Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) / И.М. Дмитренко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 849-869. — Бібліогр.: 84 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT dmitrenkoim rezistivnoesostoânieširokihsverhprovodâŝihplenokiliniiproskalʹzyvaniâfazyobzor AT dmitrenkoim resistivestateofwidesuperconductingfilmsandphasesliplinesreviewarticle |
| first_indexed |
2025-12-07T19:19:18Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:19:18Z |
| _version_ |
1850878363744337920 |