Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления
Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено эксп...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 1996 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179874 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления / Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 870-891. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862575330921807872 |
|---|---|
| author | Брандт, Н.Б. Скипетров, Е.П. |
| author_facet | Брандт, Н.Б. Скипетров, Е.П. |
| citation_txt | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления / Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 870-891. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено экспериментальному обнаружению уровней радиационных дефектов, интерпретации качественных эффектов, связанных с перераспределением электронов в облученных кристаллах между разрешенными зонами и зонами радиационных дефектов при сжатии образцов, построению и обоснованию моделей перестройки энергетического спектра облученных сплавов при изменении состава сплава и под давлением. Обсуждены проблемы восстановления функции плотности состояний в резонансных зонах радиационных дефектов и определения основных параметров моделей энергетического спектра облученных электронами сплавов Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe.
Наведено результати експериментальних досліджень енергетичного спектра радіаційних дефектів в опромінених електронами сполуках на основі напівпровідників A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), які одержано методом спектроскопії локалізованих станів за допомогою тиску. Основну увагу приділено експериментальному виявленню рівней радіаційних дефектів, інтерпретації якісних ефектів, пов’язаних з перерозподілом електронів в опромінених кристалах між розділеними зонами і зонами радіаційних дефектів при стискуванні зразків, побудові і обгрунтуванню моделей перебудови енергетичного спектра опромінених сплавів при зміні складу сплаву і під тиском. Обмірковано проблеми відновлення функції густини станів в резонансних зонах радіаційних дефектів і визначення основних параметрів моделей енергетичного спектра опромінених електронами сплавів Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe.
The results are given of the experimental investigation into the energy spectra of irradiation-induced defects in the electron-irradiated semiconductors based on IV-VI semiconductors (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), obtained by a high pressure spectroscopy of localized states. Main attention is paid experimental revealing of the irradiation-induced states, interpretation of effects connected with a redistribution of electrons in irradiated crystals between allowed bands and irradiation-induced states under pressure, construction of the models of reconstruction of the energy spectra of irradiated alloys when changing the tin content and under pressure. Reconstruction of the function of the density of states in the resonant irradiation-induced bands and determination of the main parameters of the energy spectra of irradiated Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe alloys are discussed.
|
| first_indexed | 2025-11-26T12:00:15Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-179874 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T12:00:15Z |
| publishDate | 1996 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Брандт, Н.Б. Скипетров, Е.П. 2021-06-29T18:02:40Z 2021-06-29T18:02:40Z 1996 Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления / Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 870-891. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179874 Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено экспериментальному обнаружению уровней радиационных дефектов, интерпретации качественных эффектов, связанных с перераспределением электронов в облученных кристаллах между разрешенными зонами и зонами радиационных дефектов при сжатии образцов, построению и обоснованию моделей перестройки энергетического спектра облученных сплавов при изменении состава сплава и под давлением. Обсуждены проблемы восстановления функции плотности состояний в резонансных зонах радиационных дефектов и определения основных параметров моделей энергетического спектра облученных электронами сплавов Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe. Наведено результати експериментальних досліджень енергетичного спектра радіаційних дефектів в опромінених електронами сполуках на основі напівпровідників A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), які одержано методом спектроскопії локалізованих станів за допомогою тиску. Основну увагу приділено експериментальному виявленню рівней радіаційних дефектів, інтерпретації якісних ефектів, пов’язаних з перерозподілом електронів в опромінених кристалах між розділеними зонами і зонами радіаційних дефектів при стискуванні зразків, побудові і обгрунтуванню моделей перебудови енергетичного спектра опромінених сплавів при зміні складу сплаву і під тиском. Обмірковано проблеми відновлення функції густини станів в резонансних зонах радіаційних дефектів і визначення основних параметрів моделей енергетичного спектра опромінених електронами сплавів Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe. The results are given of the experimental investigation into the energy spectra of irradiation-induced defects in the electron-irradiated semiconductors based on IV-VI semiconductors (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), obtained by a high pressure spectroscopy of localized states. Main attention is paid experimental revealing of the irradiation-induced states, interpretation of effects connected with a redistribution of electrons in irradiated crystals between allowed bands and irradiation-induced states under pressure, construction of the models of reconstruction of the energy spectra of irradiated alloys when changing the tin content and under pressure. Reconstruction of the function of the density of states in the resonant irradiation-induced bands and determination of the main parameters of the energy spectra of irradiated Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe alloys are discussed. Данная работа выполнена при частичной финансовой поддержке российского фонда фундаментальных исследований. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Библиография Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления High pressure spectroscopy of deep irradiation-induced states in IV-VI semiconductors (Review Article) Article published earlier |
| spellingShingle | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления Брандт, Н.Б. Скипетров, Е.П. Библиография |
| title | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления |
| title_alt | High pressure spectroscopy of deep irradiation-induced states in IV-VI semiconductors (Review Article) |
| title_full | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления |
| title_fullStr | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления |
| title_full_unstemmed | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления |
| title_short | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления |
| title_sort | спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках a⁴b⁶ с помощью давления |
| topic | Библиография |
| topic_facet | Библиография |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179874 |
| work_keys_str_mv | AT brandtnb spektroskopiâglubokihurovneiradiacionnyhdefektovvpoluprovodnikaha4b6spomoŝʹûdavleniâ AT skipetrovep spektroskopiâglubokihurovneiradiacionnyhdefektovvpoluprovodnikaha4b6spomoŝʹûdavleniâ AT brandtnb highpressurespectroscopyofdeepirradiationinducedstatesinivvisemiconductorsreviewarticle AT skipetrovep highpressurespectroscopyofdeepirradiationinducedstatesinivvisemiconductorsreviewarticle |