Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления

• Опубліковано в: : Физика низких температур
• Дата: 1996
• Автори: Брандт, Н.Б., Скипетров, Е.П.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Теми: Библиография
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179874
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления / Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 870-891. — Бібліогр.: 61 назв. — рос.

Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено эксп...