Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления
Представлены результаты экспериментального исследования энергетического спектра радиационных дефектов в облученных электронами сплавах на основе полупроводников A⁴B⁶ (Pb₁₋xSnxSe, Pb₁₋xSnxTe), полученные методом спектроскопии локализованных состояний с помощью давления. Основное внимание уделено эксп...
Saved in:
| Date: | 1996 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Series: | Физика низких температур |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179874 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления / Н.Б. Брандт, Е.П. Скипетров // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 870-891. — Бібліогр.: 61 назв. — рос. |