Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей за...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 1996 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179882 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862726913673396224 |
|---|---|
| author | Старцев, В.Е. Устинов, В.В. Дикина, В.П. |
| author_facet | Старцев, В.Е. Устинов, В.В. Дикина, В.П. |
| citation_txt | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей зависимость вероятности рассеяния электронов на поверхности от угла скольжения, рассчитаны температурные и толщинные зависимости сопротивления тонких проволок. Теоретически и экспериментально показано, что наблюдаемая температурная зависимость сопротивления близка к квадратичной, что обусловлено интерференцией электрон-фононного и электрон-поверхностного рассеяния.
В області розмірного ефекту в інтервалі 2-40 К виміряно електроопір дуже чистих монокристалічних зразків вольфраму в залежності від їх поперечних розмірів і кристалографічної орієнтації обмежуючих площин. В умовах малокутового електрон-фононного розсіювання в моделі, яка ураховує залежність ймовірності розсіювання електронів на поверхні від кута ковзання, розраховано температурні і товщинні залежності опору тонких дротів. Теоретично і експериментально показано, що спостережувана температурна залежність опору близька до квадратичної, що обумовлено інтерференцією електрон-фононного і електрон-поверхневого розсіювання.
The electrical resistivity of high-purity tungsten single crystals are studied in the temperature range 2-40 K under size effect condition. In the low temperature limit and in an approximation, which takes into account the change of the electron-surface scattering probability at small grazing angles, the resistivity calculations have been made. It is shown that quadratic temperature contribution to the electrical resistivity of pure metal is associated mainly with an interference between electron-phonon and electron-surface scattering. A satisfactory agreement is observed between the theory and the experiment.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:59:45Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-179882 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:59:45Z |
| publishDate | 1996 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Старцев, В.Е. Устинов, В.В. Дикина, В.П. 2021-06-29T18:43:06Z 2021-06-29T18:43:06Z 1996 Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179882 В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей зависимость вероятности рассеяния электронов на поверхности от угла скольжения, рассчитаны температурные и толщинные зависимости сопротивления тонких проволок. Теоретически и экспериментально показано, что наблюдаемая температурная зависимость сопротивления близка к квадратичной, что обусловлено интерференцией электрон-фононного и электрон-поверхностного рассеяния. В області розмірного ефекту в інтервалі 2-40 К виміряно електроопір дуже чистих монокристалічних зразків вольфраму в залежності від їх поперечних розмірів і кристалографічної орієнтації обмежуючих площин. В умовах малокутового електрон-фононного розсіювання в моделі, яка ураховує залежність ймовірності розсіювання електронів на поверхні від кута ковзання, розраховано температурні і товщинні залежності опору тонких дротів. Теоретично і експериментально показано, що спостережувана температурна залежність опору близька до квадратичної, що обумовлено інтерференцією електрон-фононного і електрон-поверхневого розсіювання. The electrical resistivity of high-purity tungsten single crystals are studied in the temperature range 2-40 K under size effect condition. In the low temperature limit and in an approximation, which takes into account the change of the electron-surface scattering probability at small grazing angles, the resistivity calculations have been made. It is shown that quadratic temperature contribution to the electrical resistivity of pure metal is associated mainly with an interference between electron-phonon and electron-surface scattering. A satisfactory agreement is observed between the theory and the experiment. Эта работа частично поддержана грантом фонда Сороса и грантом Слоэновского фонда, присужденным Американским физическим обществом. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Низкотемпературная физика твердого тела Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов Scattering mechanism «electron—phonon—surface» and its contribution to low temperature electrical resistivity of metals Article published earlier |
| spellingShingle | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов Старцев, В.Е. Устинов, В.В. Дикина, В.П. Низкотемпературная физика твердого тела |
| title | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов |
| title_alt | Scattering mechanism «electron—phonon—surface» and its contribution to low temperature electrical resistivity of metals |
| title_full | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов |
| title_fullStr | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов |
| title_full_unstemmed | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов |
| title_short | Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов |
| title_sort | механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов |
| topic | Низкотемпературная физика твердого тела |
| topic_facet | Низкотемпературная физика твердого тела |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179882 |
| work_keys_str_mv | AT starcevve mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov AT ustinovvv mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov AT dikinavp mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov AT starcevve scatteringmechanismelectronphononsurfaceanditscontributiontolowtemperatureelectricalresistivityofmetals AT ustinovvv scatteringmechanismelectronphononsurfaceanditscontributiontolowtemperatureelectricalresistivityofmetals AT dikinavp scatteringmechanismelectronphononsurfaceanditscontributiontolowtemperatureelectricalresistivityofmetals |