Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов

Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов

В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей за...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физика низких температур
Datum:1996
Hauptverfasser: Старцев, В.Е., Устинов, В.В., Дикина, В.П.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Schlagworte:
Низкотемпературная физика твердого тела
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179882
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-179882
record_format dspace
spelling Старцев, В.Е.
Устинов, В.В.
Дикина, В.П.
2021-06-29T18:43:06Z
2021-06-29T18:43:06Z
1996
Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.
0132-6414
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179882
В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей зависимость вероятности рассеяния электронов на поверхности от угла скольжения, рассчитаны температурные и толщинные зависимости сопротивления тонких проволок. Теоретически и экспериментально показано, что наблюдаемая температурная зависимость сопротивления близка к квадратичной, что обусловлено интерференцией электрон-фононного и электрон-поверхностного рассеяния.
В області розмірного ефекту в інтервалі 2-40 К виміряно електроопір дуже чистих монокристалічних зразків вольфраму в залежності від їх поперечних розмірів і кристалографічної орієнтації обмежуючих площин. В умовах малокутового електрон-фононного розсіювання в моделі, яка ураховує залежність ймовірності розсіювання електронів на поверхні від кута ковзання, розраховано температурні і товщинні залежності опору тонких дротів. Теоретично і експериментально показано, що спостережувана температурна залежність опору близька до квадратичної, що обумовлено інтерференцією електрон-фононного і електрон-поверхневого розсіювання.
The electrical resistivity of high-purity tungsten single crystals are studied in the temperature range 2-40 K under size effect condition. In the low temperature limit and in an approximation, which takes into account the change of the electron-surface scattering probability at small grazing angles, the resistivity calculations have been made. It is shown that quadratic temperature contribution to the electrical resistivity of pure metal is associated mainly with an interference between electron-phonon and electron-surface scattering. A satisfactory agreement is observed between the theory and the experiment.
Эта работа частично поддержана грантом фонда Сороса и грантом Слоэновского фонда, присужденным Американским физическим обществом.
ru
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
Физика низких температур
Низкотемпературная физика твердого тела
Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
Scattering mechanism «electron—phonon—surface» and its contribution to low temperature electrical resistivity of metals
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
spellingShingle Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
Старцев, В.Е.
Устинов, В.В.
Дикина, В.П.
Низкотемпературная физика твердого тела
title_short Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_full Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_fullStr Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_full_unstemmed Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_sort механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
author Старцев, В.Е.
Устинов, В.В.
Дикина, В.П.
author_facet Старцев, В.Е.
Устинов, В.В.
Дикина, В.П.
topic Низкотемпературная физика твердого тела
topic_facet Низкотемпературная физика твердого тела
publishDate 1996
language Russian
container_title Физика низких температур
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format Article
title_alt Scattering mechanism «electron—phonon—surface» and its contribution to low temperature electrical resistivity of metals
description В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей зависимость вероятности рассеяния электронов на поверхности от угла скольжения, рассчитаны температурные и толщинные зависимости сопротивления тонких проволок. Теоретически и экспериментально показано, что наблюдаемая температурная зависимость сопротивления близка к квадратичной, что обусловлено интерференцией электрон-фононного и электрон-поверхностного рассеяния. В області розмірного ефекту в інтервалі 2-40 К виміряно електроопір дуже чистих монокристалічних зразків вольфраму в залежності від їх поперечних розмірів і кристалографічної орієнтації обмежуючих площин. В умовах малокутового електрон-фононного розсіювання в моделі, яка ураховує залежність ймовірності розсіювання електронів на поверхні від кута ковзання, розраховано температурні і товщинні залежності опору тонких дротів. Теоретично і експериментально показано, що спостережувана температурна залежність опору близька до квадратичної, що обумовлено інтерференцією електрон-фононного і електрон-поверхневого розсіювання. The electrical resistivity of high-purity tungsten single crystals are studied in the temperature range 2-40 K under size effect condition. In the low temperature limit and in an approximation, which takes into account the change of the electron-surface scattering probability at small grazing angles, the resistivity calculations have been made. It is shown that quadratic temperature contribution to the electrical resistivity of pure metal is associated mainly with an interference between electron-phonon and electron-surface scattering. A satisfactory agreement is observed between the theory and the experiment.
issn 0132-6414
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179882
citation_txt Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT starcevve mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov
AT ustinovvv mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov
AT dikinavp mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov
AT starcevve scatteringmechanismelectronphononsurfaceanditscontributiontolowtemperatureelectricalresistivityofmetals
AT ustinovvv scatteringmechanismelectronphononsurfaceanditscontributiontolowtemperatureelectricalresistivityofmetals
AT dikinavp scatteringmechanismelectronphononsurfaceanditscontributiontolowtemperatureelectricalresistivityofmetals
first_indexed 2025-12-07T18:59:45Z
last_indexed 2025-12-07T18:59:45Z
_version_ 1850877134244937728

Ähnliche Einträge