Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 1996
• Hauptverfasser: Старцев, В.Е., Устинов, В.В., Дикина, В.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
• Schlagworte: Низкотемпературная физика твердого тела
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/179882
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей за...