Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій
Узагальнено результати досліджень структурних і оптичних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами МеВ-них енергій флюенсами, що перевищували 10¹⁶ см⁻². Структуру опроміненого іонами
 кремнію умовно поділено на декілька областей (пробігу, гальмування та за межею області гальмування),...
Saved in:
| Published in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Date: | 2021 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2021
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/180389 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій / Г.П. Гайдар, М.Б. Пінковська, М.І. Старчик // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 1. — С. 39-50. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862545846907699200 |
|---|---|
| author | Гайдар, Г.П. Пінковська, М.Б. Старчик, М.І. |
| author_facet | Гайдар, Г.П. Пінковська, М.Б. Старчик, М.І. |
| citation_txt | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій / Г.П. Гайдар, М.Б. Пінковська, М.І. Старчик // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 1. — С. 39-50. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Узагальнено результати досліджень структурних і оптичних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами МеВ-них енергій флюенсами, що перевищували 10¹⁶ см⁻². Структуру опроміненого іонами
кремнію умовно поділено на декілька областей (пробігу, гальмування та за межею області гальмування),
вигляд яких визначається типом іонів, їхньою масою, енергією і температурою під час опромінення. Встановлено, що опромінення великими флюенсами легких іонів МеВ-них енергій спричинює утворення в об'ємі
кремнію на глибинах до декількох сотень мікрон упорядкованих шарів, пов'язаних із дефектами, властивості яких відрізняються від властивостей матриці. Показано, що за таких умов опромінення характер
дефектоутворення (кількість і ширина виявлених упорядкованих лінійних структур та їх розташування
відносно області гальмування іонів) залежить від маси й енергії іонів, інтенсивності пучка іонів, температури опромінення і властивостей кристала.
Ефект упорядкування дефектів у вигляді ліній напружень та їх поширення за межі області гальмування виявлено при опроміненні кремнію іонами як водню, так і гелію. З’ясовано, що даний ефект залежить
від інтенсивності опромінення і виникає тільки при щільності струму пучка меншій, ніж 0,45 мкА/см².
Установлено, що для кремнію, опроміненого іонами гелію, в області пробігу іонів характерною є не монокристалічна, а фрагментарна структура, яка має сукупність упорядкованих ліній напружень (по в’язаних
із дефектами), паралельних смузі гальмування іонів гелію, а смуга гальмування складається з порожнеч,
витравлених як суцільний шар та у вигляді окремих скупчень. Виявлено, що опромінення дислокаційного
кремнію іонами дейтерію призводить до руху дислокацій у процесі опромінення та до перетину ними
лінії гальмування дейтронів унаслідок утворення дефектів пакування.
The results of studies of the structural and optical properties of silicon irradiated with light ions of MeV energies
with fluences exceeding 10¹⁶ cm⁻² are generalized. The structure of silicon irradiated with ions is con ventionally
divided into several regions (ion path, braking, and outside the braking region), the kind of which is
determined by the type of ions, their mass, energy, and temperature during irradiation. It is established that
the irradiation with high fluences of light ions of MeV energies causes the formation of ordered layers in the
bulk of silicon at depths up to several hundred microns, associated with defects whose properties differ from
those of the matrix. It is shown that, under such irradiation conditions, the nature of the defect formation (the
number and width of the revealed ordered linear structures and their location relative to the braking region
of ions) depends on the mass and energy of ions, the ion beam intensity, the irradiation temperature, and the
crystal properties.
The effect of the ordering of defects in the form of stress lines and their propagation outside the braking
region was discovered, when silicon was irradiated with ions of both hydrogen and helium. It is found that
this effect depends on the irradiation intensity and occurs, only when the beam current density is less than
0.45 μA/cm². It is established that, for silicon irradiated with helium ions in the region of ion path, characteristic
is not the monocrystalline, but fragmentary structure, which has an aggregate of ordered stress lines (associated
with defects) located in parallel to the braking band of helium ions, and the braking band consists of
voids etched as a continuous layer and in the form of separate clusters. It is revealed that the irradiation of
dis location silicon with deuterium ions leads to the movement of dislocations during the irradiation and to
their crossing of the deuteron braking line due to the formation of stacking faults.
|
| first_indexed | 2025-11-25T07:46:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-180389 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-25T07:46:31Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гайдар, Г.П. Пінковська, М.Б. Старчик, М.І. 2021-09-20T16:00:08Z 2021-09-20T16:00:08Z 2021 Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій / Г.П. Гайдар, М.Б. Пінковська, М.І. Старчик // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 1. — С. 39-50. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2021.01.039 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/180389 621.315.592 Узагальнено результати досліджень структурних і оптичних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами МеВ-них енергій флюенсами, що перевищували 10¹⁶ см⁻². Структуру опроміненого іонами
 кремнію умовно поділено на декілька областей (пробігу, гальмування та за межею області гальмування),
 вигляд яких визначається типом іонів, їхньою масою, енергією і температурою під час опромінення. Встановлено, що опромінення великими флюенсами легких іонів МеВ-них енергій спричинює утворення в об'ємі
 кремнію на глибинах до декількох сотень мікрон упорядкованих шарів, пов'язаних із дефектами, властивості яких відрізняються від властивостей матриці. Показано, що за таких умов опромінення характер
 дефектоутворення (кількість і ширина виявлених упорядкованих лінійних структур та їх розташування
 відносно області гальмування іонів) залежить від маси й енергії іонів, інтенсивності пучка іонів, температури опромінення і властивостей кристала.
 Ефект упорядкування дефектів у вигляді ліній напружень та їх поширення за межі області гальмування виявлено при опроміненні кремнію іонами як водню, так і гелію. З’ясовано, що даний ефект залежить
 від інтенсивності опромінення і виникає тільки при щільності струму пучка меншій, ніж 0,45 мкА/см².
 Установлено, що для кремнію, опроміненого іонами гелію, в області пробігу іонів характерною є не монокристалічна, а фрагментарна структура, яка має сукупність упорядкованих ліній напружень (по в’язаних
 із дефектами), паралельних смузі гальмування іонів гелію, а смуга гальмування складається з порожнеч,
 витравлених як суцільний шар та у вигляді окремих скупчень. Виявлено, що опромінення дислокаційного
 кремнію іонами дейтерію призводить до руху дислокацій у процесі опромінення та до перетину ними
 лінії гальмування дейтронів унаслідок утворення дефектів пакування. The results of studies of the structural and optical properties of silicon irradiated with light ions of MeV energies
 with fluences exceeding 10¹⁶ cm⁻² are generalized. The structure of silicon irradiated with ions is con ventionally
 divided into several regions (ion path, braking, and outside the braking region), the kind of which is
 determined by the type of ions, their mass, energy, and temperature during irradiation. It is established that
 the irradiation with high fluences of light ions of MeV energies causes the formation of ordered layers in the
 bulk of silicon at depths up to several hundred microns, associated with defects whose properties differ from
 those of the matrix. It is shown that, under such irradiation conditions, the nature of the defect formation (the
 number and width of the revealed ordered linear structures and their location relative to the braking region
 of ions) depends on the mass and energy of ions, the ion beam intensity, the irradiation temperature, and the
 crystal properties.
 The effect of the ordering of defects in the form of stress lines and their propagation outside the braking
 region was discovered, when silicon was irradiated with ions of both hydrogen and helium. It is found that
 this effect depends on the irradiation intensity and occurs, only when the beam current density is less than
 0.45 μA/cm². It is established that, for silicon irradiated with helium ions in the region of ion path, characteristic
 is not the monocrystalline, but fragmentary structure, which has an aggregate of ordered stress lines (associated
 with defects) located in parallel to the braking band of helium ions, and the braking band consists of
 voids etched as a continuous layer and in the form of separate clusters. It is revealed that the irradiation of
 dis location silicon with deuterium ions leads to the movement of dislocations during the irradiation and to
 their crossing of the deuteron braking line due to the formation of stacking faults. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies Article published earlier |
| spellingShingle | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій Гайдар, Г.П. Пінковська, М.Б. Старчик, М.І. Фізика |
| title | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій |
| title_alt | The ordering effects of an n-Si defect structure, induced by high fluences of ions with MeV energies |
| title_full | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій |
| title_fullStr | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій |
| title_full_unstemmed | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій |
| title_short | Ефекти впорядкування дефектної структури n-Si, індуковані великими флюенсами іонів МеВ-них енергій |
| title_sort | ефекти впорядкування дефектної структури n-si, індуковані великими флюенсами іонів мев-них енергій |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/180389 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp efektivporâdkuvannâdefektnoístrukturinsiíndukovanívelikimiflûensamiíonívmevnihenergíi AT pínkovsʹkamb efektivporâdkuvannâdefektnoístrukturinsiíndukovanívelikimiflûensamiíonívmevnihenergíi AT starčikmí efektivporâdkuvannâdefektnoístrukturinsiíndukovanívelikimiflûensamiíonívmevnihenergíi AT gaidargp theorderingeffectsofannsidefectstructureinducedbyhighfluencesofionswithmevenergies AT pínkovsʹkamb theorderingeffectsofannsidefectstructureinducedbyhighfluencesofionswithmevenergies AT starčikmí theorderingeffectsofannsidefectstructureinducedbyhighfluencesofionswithmevenergies |