Ходаковский, Н. (2019). Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации. Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Ходаковский, Н.И. Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации. Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України, 2019.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Ходаковский, Н.И. Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации. Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України, 2019.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.