Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации
Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Кибернетика и системный анализ |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/180880 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Н.И. Ходаковский // Кибернетика и системный анализ. — 2019. — Т. 56, № 3. — С. 173-181. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862547143139524608 |
|---|---|
| author | Ходаковский, Н.И. |
| author_facet | Ходаковский, Н.И. |
| citation_txt | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Н.И. Ходаковский // Кибернетика и системный анализ. — 2019. — Т. 56, № 3. — С. 173-181. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Кибернетика и системный анализ |
| description | Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров.
Розроблено метод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформації на основі використання принципів роботи молекулярних систем нейрона та його ядерних компонентів — ДНК і РНК. Запропоновано модель передачі імпульсів між синапсами і структурами нейронів у процесі зміни порога чутливості нейрона в залежності від величини струму. Запропоновані пристрої можуть бути використані як запам’ятовувальні модулі для нанорозмірних сенсорів..
A method is developed to construct memory devices with an ultrahigh density of information recording based on the principles of operation of the neuron molecular systems and its nuclear components, DNA and RNA. A model of impulse transfer between synapses and neuron structures during variation in the neuron sensitivity threshold as a function of current is proposed. The proposed devices can be used as memory modules in nanoscale sensors
|
| first_indexed | 2025-11-25T16:25:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-180880 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1019-5262 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T16:25:27Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ходаковский, Н.И. 2021-10-23T17:27:31Z 2021-10-23T17:27:31Z 2019 Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации / Н.И. Ходаковский // Кибернетика и системный анализ. — 2019. — Т. 56, № 3. — С. 173-181. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1019-5262 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/180880 004.82 Разработан метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации на основе использования принципов работы молекулярных систем нейрона и его ядерных компонентов — ДНК и РНК. Предложена модель передачи импульсов между синапсами нейронов и структурами нейронов в процессе изменения порога чувствительности нейрона в зависимости от величины тока. Предложенные устройства могут быть использованы как запоминающие модули наноразмерных сенсоров. Розроблено метод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформації на основі використання принципів роботи молекулярних систем нейрона та його ядерних компонентів — ДНК і РНК. Запропоновано модель передачі імпульсів між синапсами і структурами нейронів у процесі зміни порога чутливості нейрона в залежності від величини струму. Запропоновані пристрої можуть бути використані як запам’ятовувальні модулі для нанорозмірних сенсорів.. A method is developed to construct memory devices with an ultrahigh density of information recording based on the principles of operation of the neuron molecular systems and its nuclear components, DNA and RNA. A model of impulse transfer between synapses and neuron structures during variation in the neuron sensitivity threshold as a function of current is proposed. The proposed devices can be used as memory modules in nanoscale sensors ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України Кибернетика и системный анализ Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации Метод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформації The method of constructing memory devices with ultrahigh density of information recording / Article published earlier |
| spellingShingle | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации Ходаковский, Н.И. Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу |
| title | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации |
| title_alt | Метод побудови запам’ятовувальних пристроїв з надвисокою щільністю запису інформації The method of constructing memory devices with ultrahigh density of information recording / |
| title_full | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации |
| title_fullStr | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации |
| title_full_unstemmed | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации |
| title_short | Метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации |
| title_sort | метод построения запоминающих устройств со сверхвысокой плотностью записи информации |
| topic | Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу |
| topic_facet | Нові засоби кібернетики, інформатики, обчислювальної техніки та системного аналізу |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/180880 |
| work_keys_str_mv | AT hodakovskiini metodpostroeniâzapominaûŝihustroistvsosverhvysokoiplotnostʹûzapisiinformacii AT hodakovskiini metodpobudovizapamâtovuvalʹnihpristroívznadvisokoûŝílʹnístûzapisuínformacíí AT hodakovskiini themethodofconstructingmemorydeviceswithultrahighdensityofinformationrecording |