Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe

На основе HgTe исследовано незначительное число систем, хотя полупроводниковые материалы на базе теллурида ртути находят все более широкое применение в современной полупроводниковой технике. Цель настоящей работы - изучить методами физико-химического анализа диаграмму состояния системы HgTe-SпТе....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Украинский химический журнал
Date:1983
Main Authors: Венгель, П.Ф., Томашик, В.Н., Мизецкая, И.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 1983
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183136
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe / П.Ф. Венгель, В.Н. Томашик, И.Б. Мизецкая // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 12. — С. 1247-1250. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:На основе HgTe исследовано незначительное число систем, хотя полупроводниковые материалы на базе теллурида ртути находят все более широкое применение в современной полупроводниковой технике. Цель настоящей работы - изучить методами физико-химического анализа диаграмму состояния системы HgTe-SпТе.
ISSN:0041–6045