Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe
На основе HgTe исследовано незначительное число систем, хотя полупроводниковые материалы на базе теллурида ртути находят все более широкое применение в современной полупроводниковой технике. Цель настоящей работы - изучить методами физико-химического анализа диаграмму состояния системы HgTe-SпТе....
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| Veröffentlicht in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Datum: | 1983 |
| Hauptverfasser: | Венгель, П.Ф., Томашик, В.Н., Мизецкая, И.Б. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
1983
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183136 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe / П.Ф. Венгель, В.Н. Томашик, И.Б. Мизецкая // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 12. — С. 1247-1250. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
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