Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe

• Опубліковано в: : Украинский химический журнал
• Дата: 1983
• Автори: Венгель, П.Ф., Томашик, В.Н., Мизецкая, И.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 1983
• Теми: Неорганическая и физическая химия
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183136
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Физика-химическое взаимодействие в системе HgTe-SnTe / П.Ф. Венгель, В.Н. Томашик, И.Б. Мизецкая // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 12. — С. 1247-1250. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

На основе HgTe исследовано незначительное число систем, хотя полупроводниковые материалы на базе теллурида ртути находят все более широкое применение в современной полупроводниковой технике. Цель настоящей работы - изучить методами физико-химического анализа диаграмму состояния системы HgTe-SпТе....