Электропроводность феррисиликагелей

В работе исследована электропроводность полученных в лабораторных условиях силинагелей - исходного и содержащих различные количества (0,1; 5 и 20% по массе) примесей железа (феррисиликагелей)....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1984
Автори: Козуб, Г.М., Тищенко, В.А., Белецкий, И.П., Зарко, В.И., Чуйко, А.А.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 1984
Назва видання:Украинский химический журнал
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183216
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электропроводность феррисиликагелей / Г.М. Козуб, В.А. Тищенко, И.П. Белецкий, В.И. Зарко, А.А. Чуйко // Украинский химический журнал. — 1984. — Т. 50, № 2. — С. 217-219. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-183216
record_format dspace
spelling nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1832162025-02-23T20:10:27Z Электропроводность феррисиликагелей Electrical Conduction of Ferrisilieagels Козуб, Г.М. Тищенко, В.А. Белецкий, И.П. Зарко, В.И. Чуйко, А.А. Электрохимия В работе исследована электропроводность полученных в лабораторных условиях силинагелей - исходного и содержащих различные количества (0,1; 5 и 20% по массе) примесей железа (феррисиликагелей). 1984 Article Электропроводность феррисиликагелей / Г.М. Козуб, В.А. Тищенко, И.П. Белецкий, В.И. Зарко, А.А. Чуйко // Украинский химический журнал. — 1984. — Т. 50, № 2. — С. 217-219. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183216 541.128.13 ru Украинский химический журнал application/pdf Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электрохимия
Электрохимия
spellingShingle Электрохимия
Электрохимия
Козуб, Г.М.
Тищенко, В.А.
Белецкий, И.П.
Зарко, В.И.
Чуйко, А.А.
Электропроводность феррисиликагелей
Украинский химический журнал
description В работе исследована электропроводность полученных в лабораторных условиях силинагелей - исходного и содержащих различные количества (0,1; 5 и 20% по массе) примесей железа (феррисиликагелей).
format Article
author Козуб, Г.М.
Тищенко, В.А.
Белецкий, И.П.
Зарко, В.И.
Чуйко, А.А.
author_facet Козуб, Г.М.
Тищенко, В.А.
Белецкий, И.П.
Зарко, В.И.
Чуйко, А.А.
author_sort Козуб, Г.М.
title Электропроводность феррисиликагелей
title_short Электропроводность феррисиликагелей
title_full Электропроводность феррисиликагелей
title_fullStr Электропроводность феррисиликагелей
title_full_unstemmed Электропроводность феррисиликагелей
title_sort электропроводность феррисиликагелей
publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
publishDate 1984
topic_facet Электрохимия
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183216
citation_txt Электропроводность феррисиликагелей / Г.М. Козуб, В.А. Тищенко, И.П. Белецкий, В.И. Зарко, А.А. Чуйко // Украинский химический журнал. — 1984. — Т. 50, № 2. — С. 217-219. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Украинский химический журнал
work_keys_str_mv AT kozubgm élektroprovodnostʹferrisilikagelej
AT tiŝenkova élektroprovodnostʹferrisilikagelej
AT beleckijip élektroprovodnostʹferrisilikagelej
AT zarkovi élektroprovodnostʹferrisilikagelej
AT čujkoaa élektroprovodnostʹferrisilikagelej
AT kozubgm electricalconductionofferrisilieagels
AT tiŝenkova electricalconductionofferrisilieagels
AT beleckijip electricalconductionofferrisilieagels
AT zarkovi electricalconductionofferrisilieagels
AT čujkoaa electricalconductionofferrisilieagels
first_indexed 2025-11-25T00:15:28Z
last_indexed 2025-11-25T00:15:28Z
_version_ 1849719236302209024
fulltext УДК 541.128.13 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ФЕРРИСИЛИКАГЕЛЕИ г. М. Козуб, В. А. Тищенко, И. П. Белецкий, В. И. Зарко, А. А. Чуйко Дисперсный диоксид кремния различных модификаций (силикагель, аэ­ росил) относится к числу широкозонных полупроводников И находит широкое практическое применение. Ширина запрещенной зоны Si02, согласно литературным данным, составляет от 8 до 13 эВ, и в ЧИСТО1\'1 виде оксид является изолятором. Однако обычно силикагели содержат в своем составе примеси металлов, которые обеспечивают измеримую проводимость ионного типа. В реальных условиях поверхность крем­ незема гидратирована, и проводимость возрастает в результате пере­ носа протона в поверхностном слое воды [1]. Исследование потенциала поверхности Si02, определяемого ди- польными моментами поверхностных гидроксильных групп, показало [2], что вблизи поверхности имеется узкая (~0,5 эВ) зона ПРО80ДИМО" сти для инжектированныхэлектронов. В связи с этим в реальных усло­ виях возможно проявление наряду с ионной и электронной составляю­ щей проводимости в силикагелях, содержащих примеси, и в модифи­ цированных кремнеземах. Изучение электропроводности а таких твердых тел может дать существенную информацию об участии носителей заряда (ионов или электронов) в химических процессах на поверхности. В работе исследована электропроводность полученных в лабора­ торных условиях силинагелей - исходного и содержащих различные количества (0,1; 5 и 20 О/О по массе) примесей железа (феррисиликаге­ лей). Способ получения образцов описан в [3]. Электрическое сопро­ тивление измеряли на порошкообразных образцах и спрессованных в виде таблеток цилиндрической формы диаметром 0,5 и толщиной 0,2-0,3 см. В случае порошкообразных образцов навеску засыпали в керами­ ческую трубку и с торцов прижимали с помощью пружины электроды из нержавеющей стали. Электросопротивление измеряли прибором ВК-7-9. На образцы в виде таблеток наносили либо контакты из аква­ даговой пасты, либо напыленные в вакууме 10-4 мм рт. СТ. серебряные контакты. Образец зажимали в держатель из нержавеющей стали. Измерения проводили в интервале температур от комнатной до 5000 на воздухе ив вакууме. J{ля раздельного определения электронной (О'е) И ионной (ai) со­ ставляющих проводимости применяли метод блокирующих электродов [4], суть которого заключалась в нанесении контактов, блокирующих ионный ток и не препятствующих переносу электронов. Измеряя прово­ димость образца в начальный момент времени 0'(0) и при установив­ шемся значении тока 'О'(00), можно разделить ионную и электронную составляющие: а(О) =O'e+ai, а(оо) ='О'е. Линейность вольт-амперныххарактеристик исследованных нами об­ разцов наблюдалась при напряжениях до 0,8 В. В качестве рабочего напряжения выбрано значение 0,1 В. Исследование временных зависи­ мостей тока показало, что стационарное значение тока в образце уста­ навливается в течение 10-12 мин. Для определения о выбрано время 15 мин; в (00) определяли при постоянном токе в режиме заданного напряжения с помощью приборов ППТВ-I С гальванометром M-25L 0-(0) измеряли при переменной частоте 3 кГц [4]. В образце исходного силикагеля измеримая проводимость наблюда­ лась только при первом нагреве образца с аквадаговыми контактами. При последующих нагревах и на образце с серебряными контактами электропроводность ничтожно мала и в пределах возможностей измери­ тельной схемы (3·107 ОМ) не регистрировалась.Наличие 0,1 О/О железа не приводит к заметному изменению 0". УКРАИНСКИй ХИМИЧЕСКИй ЖУРНАЛ, 1984, т. 50, Nq 2 211 Зависимость электросопротивления порошкообразного образца Si02 с 20 О/О железа от температуры при постоянном токе проходит че­ рез максимум и аналогична приведеиной на рис. 1. Максимальное зна­ чение сопротивления соответствует температуре 100-1300. При охла­ ждении оно возрастает до максимального и остается таким при ком­ натной температуре. Аналогичное действие оказывает вакуумирование RIO~Ofll ;1 КIO~Ом o.J zl ьи J i/iJ 42 0.4 /00 200 JOO[OC 2 4 о' (] 11 /1 l"./Y1{/H Рис, 1. Изменение электрического сопротивления образца Si02+20 О/О Fe при нагреве на воздухе. Рис. 2. Изменение электрического сопротивления образца Si02+20 о/о Fe при комнат­ ной температуре в процессе от~ачки (а) 11 при продувке воздухом с парами ВОДЫ (6). образца при комнатной температуре (рис. 2, а). Такое изменение со­ противления можно объяснить удалением сорбированной на поверхно­ ~ти образца воды. Действительно, при продувке предварительно про- (j Om-f.С/r1-1- 6,Ом-'см-1 оп I /O-8L...,..----L-----""------ ~JO JOO 400 Т;ОС JOO 400 т,о[ Рис. 3. Температурная зависимость электропроводности образца Si02+ 5 О/О Fe на воздухе 'и в вакууме соответственно: 1, 2 - суммарная (Jc+Oi; 3, 4 - электронная (1е. Рис. 4. Температурная зависимость электропроводности образца Si02 ""1- 20 о/о Ре: 1, 2­ суммарная O'e+Oi соответственно на воздухе и в вакууме; 3 - электронная в, в воз­ духе. третого до 5000 или вакуумированного при комнатной температуре об­ разца воздухом, насыщенным парами воды, электросопротивлевие значительно уменьшается (рис. 2, б). Сопоставляя эти данные с лите­ ратурными [5], приходим К выводу, что наблюдаемые изменения со .. противления обусловлены наличием физически сорбированной воды. На рис. 3 и 4 показано изменение электропроводности феррисили­ кателей с содержанием 5 и 20 О/О железа. Эти образцы предварительно прокаливали на воздухе при 7000 и вакуумировали в процессе нанесе­ ния серебряных контактов. После аналогичной обработки образец Si02 без примеси железа практически не проводит ток. Как видно из ри­ сунков, суммарная проводимость образца с 5 О/О железа при темпера­ турах выше 3000 возрастает, при этом становится заметной электронная составляющая проводимости. На образце с 20 О/О железа электронная составляющая регистрируется при более высокой температуре. Введенное в силикагель железо, как показано в [3], находится частично в виде оксида (гидроксида) на поверхности и частично в виде 218 УКРАИНСк.ий ХИМИЧЕСКИй ЖУРНАЛ, 1984. Т. 50. N~ 2 ионов Fe3+, замещающих кремний в матрице Si02• Соотношение между ЭТИМИ разновидностями различно в зависимости от концентрации желе­ за. Ионная проводимость феррисиликагелей может быть объяснена присутствием в образцах подвижных ионов железа. Полученные данные свидетельствуют о том, что количество таких ионов в образце с 5 % железа больше, чем с 20 о/о. При замене иона Si4+ на FеЗ+ в матрице Si02 образуется отрица­ тельно заряженный дефект. Из условия электронейтральности этот де­ фект должен компенсироваться положительным зарядом, который соз­ дают кислородные вакансии Vo [6]: г-,о,Z 2Fe~i +- 300 +Vo·. в такой дефектной структуре образца при повышенных темпера­ 'турах возможна электронная проводимость. Для образца с 20 О/О же­ леза электронная составляющая изменяется более чем в два раза (от 0,14 до 0,3) в интервале температур 395-4700, в то время как общая .проводимостъ изменяется незначительно. В образцах феррнсилнкагелей, имеющих достаточно высокую кон­ центрацию примеси FеЗ+, образуются кластеры гидроксида железа FexOy·nH20 [3]. В окислах железа механизм проводимости связан с переносом электрона. В феррисиликагелях с большим содержанием примесных ионов железа при высоких температурах становится воз­ можным перенос электронов между расположенными на поверхности 'островками окисла железа через имеющуюся приповерхностную транс­ портную зону, существование которой показано в [2]. Однако после термовакуумирования образца с 20 о/о железа при повышенных темпе­ ратурах электронная проводимость не наблюдается: происходит как бы разрыв цепи для электронного тока. Наличие в широкозонных полупроводниках - феррисиликагелях электронной компоненты проводимости может представить интерес при выяснении механизма действия катализаторов на их основе. 1. Киселев В. Ф.} Крылов о. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полу­ проводниках и диэлектриках.- М. : Наука, 1979.- 233 с. 2. Миронов с. Л,} Горлов ю. Н,} Чуйко А. А. Адсорбционный потенциал и электрофи­ зические свойства поверхности двуокиси кремния".- Укр, физ. журн., 1979, 24, N2 17, с.983-989. :3. Белецкий и. П., Горлов ю. Н.} Чуйко А. А. Спектры ЭПР примесных ионов FеЗ+ в силикагелях.- Теорет. и эксперим. химия, 1980, 16, N2 2, с. 273-275. !. West Р. W., Tallan N. М. High-temperature transference number сегегпппайопа Ьу polarization measurements.- J. Appl. Phys. 1963, 36, N 2, р. 543-547. :5. Полевая десорбция воды с поверхности кремнезема и строение его гидратного по­ крова / ю. и. Горлов, В. Г. Головатый, М. М. Конопля, А. А. ЧуЙко.- Теорет. и эксперим. химия, 1980, 16, N2 2, с. 202-207. 6. Atkinson А., Gardner J. W. 'Пте diffusion о! FеЗ -+ in ашогрпоцв Si02 and the protective properties of Si02 layers.- Corrosion Sci., 1981, 21, р. 49-58. Институт физической химии им. Л. В. Писаржевского .AI-I УССР, Киев УI(РАИНСКИй химичвскии ЖУРНАЛ, 1984, т. 50.X~ 2 Поступила 14.0~.82 219