Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga

• Published in: Украинский химический журнал
• Date: 2005
• Main Authors: Фреїк, Д.М., Бойчук, В.М., Межиловська, Л.Й.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2005
• Subjects: Неорганическая и физическая химия
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/183888
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga / Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Л.Й. Межиловська // Украинский химический журнал. — 2005. — Т. 71, № 6. — С. 70-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумовлює утворення міжвузлового галію Gai³⁺ у тетрапорожнинах підгратки телуру з наступним утворенням нової фази Ga₂Te₃. Стабілізація рівня Фермі і, відповідно, концентрації електронів пов’язана з утворенням GaPb¹⁺ на обидвох етапах легування. С позиции спонтанной диссоциации примеси галлия 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ в теллуриде свинца предложены кристаллоквазихимические уравнения, описывающие образование атомных дефектов. Показано, что на начальных этапах легирования реализуется механизм замещения галлием вакансий свинца GaPb³⁺. Глубокое легирование обусловливает образование межузлового галлия Gai³⁺ в тетраполостях подрешетки теллура с последующим образованием новой фазы Ga₂Te₃. Стабилизация уровня Ферми и, соответственно, концентрации электронов связана с образованием GaPb¹⁺ на двух этапах легирования. The crystal-quasichemical equation, that describe the formation of atomic defects from position of spontaneous dissociation of admixture of gallium 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ at the lead tellurides are offered. It is shown, that on the initial stages of alloying the substitution mechanism by gallium of vacancies of the lead GaPb³⁺ will be realized. The deep alloying stipulates formation of interlattice of gallium Gai³⁺ in tetraspaces sublattice of tellurium with a next formation of a new phase Ga₂Te₃. The stabilization of Fermi level and, accordingly, the concentration of electrons was related with GaPb¹⁺ formation on the both stages of alloying.