Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості

Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості

Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням р...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Доповіді НАН України
Date:2021
Main Authors: Коваленко, Т.В., Ніколенко, А.С., Івахненко, С.О., Стрельчук, В.В., Литвин, П.М., Даниленко, І.М., Заневський, О.О.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2021
Subjects:
Матеріалознавство
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184819
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-184819
record_format dspace
spelling Коваленко, Т.В.
Ніколенко, А.С.
Івахненко, С.О.
Стрельчук, В.В.
Литвин, П.М.
Даниленко, І.М.
Заневський, О.О.
2022-07-17T14:27:37Z
2022-07-17T14:27:37Z
2021
Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
1025-6415
DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2021.06.068
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184819
548.736.15:531.748
Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі.
Structurally perfect diamond single crystals of type IIb doped with boron with developed growth sectors {113} and {110} are grown by the HPHT- crystallization method. Single-sector semiconductor diamond plates are obtained by the predicted cutting of crystals by mechanical and laser treatments using the developed microphotogrammetric 3D modeling of the sector structure. Raman and IR spectroscopies have been used to study the structural perfection and peculiarities of the defect-impurity composition of crystals. The electronic properties of growth sectors and intersectoral boundaries are characterized by the non-contact method of force Kelvin probe microscopy. The necessity of using certain optical and electrophysical diagnostic methods of p-type semiconductor material certification and the prospects of using single-sector semiconductor wafers for the development of Schottky diode designs are demonstrated.
Роботу виконано за підтримки Національного фонду досліджень України, проєкт №2020.02/0160 “Розробка нових складів розчинників вуглецю для вирощування монокристалів алмазу в області термодинамічної стабільності з контрольованим вмістом домішок азоту і бору з метою створення концепційних конструкцій електронних приладів”.
uk
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Доповіді НАН України
Матеріалознавство
Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
spellingShingle Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
Коваленко, Т.В.
Ніколенко, А.С.
Івахненко, С.О.
Стрельчук, В.В.
Литвин, П.М.
Даниленко, І.М.
Заневський, О.О.
Матеріалознавство
title_short Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_full Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_fullStr Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_full_unstemmed Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_sort напівпровідникові hpht-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
author Коваленко, Т.В.
Ніколенко, А.С.
Івахненко, С.О.
Стрельчук, В.В.
Литвин, П.М.
Даниленко, І.М.
Заневський, О.О.
author_facet Коваленко, Т.В.
Ніколенко, А.С.
Івахненко, С.О.
Стрельчук, В.В.
Литвин, П.М.
Даниленко, І.М.
Заневський, О.О.
topic Матеріалознавство
topic_facet Матеріалознавство
publishDate 2021
language Ukrainian
container_title Доповіді НАН України
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
format Article
title_alt Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties
description Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі. Structurally perfect diamond single crystals of type IIb doped with boron with developed growth sectors {113} and {110} are grown by the HPHT- crystallization method. Single-sector semiconductor diamond plates are obtained by the predicted cutting of crystals by mechanical and laser treatments using the developed microphotogrammetric 3D modeling of the sector structure. Raman and IR spectroscopies have been used to study the structural perfection and peculiarities of the defect-impurity composition of crystals. The electronic properties of growth sectors and intersectoral boundaries are characterized by the non-contact method of force Kelvin probe microscopy. The necessity of using certain optical and electrophysical diagnostic methods of p-type semiconductor material certification and the prospects of using single-sector semiconductor wafers for the development of Schottky diode designs are demonstrated.
issn 1025-6415
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184819
citation_txt Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT kovalenkotv napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT níkolenkoas napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT ívahnenkoso napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT strelʹčukvv napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT litvinpm napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT danilenkoím napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT zanevsʹkiioo napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT kovalenkotv semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties
AT níkolenkoas semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties
AT ívahnenkoso semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties
AT strelʹčukvv semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties
AT litvinpm semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties
AT danilenkoím semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties
AT zanevsʹkiioo semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties
first_indexed 2025-12-07T18:51:43Z
last_indexed 2025-12-07T18:51:43Z
_version_ 1850876628779925504

Similar Items