Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані
 бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу
 одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2021 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2021
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184819 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862725241538609152 |
|---|---|
| author | Коваленко, Т.В. Ніколенко, А.С. Івахненко, С.О. Стрельчук, В.В. Литвин, П.М. Даниленко, І.М. Заневський, О.О. |
| author_facet | Коваленко, Т.В. Ніколенко, А.С. Івахненко, С.О. Стрельчук, В.В. Литвин, П.М. Даниленко, І.М. Заневський, О.О. |
| citation_txt | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані
бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу
одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням
розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу
кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених
оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу
і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі.
Structurally perfect diamond single crystals of type IIb doped with boron with developed growth sectors {113}
and {110} are grown by the HPHT- crystallization method. Single-sector semiconductor diamond plates are
obtained by the predicted cutting of crystals by mechanical and laser treatments using the developed microphotogrammetric
3D modeling of the sector structure. Raman and IR spectroscopies have been used to study
the structural perfection and peculiarities of the defect-impurity composition of crystals. The electronic properties
of growth sectors and intersectoral boundaries are characterized by the non-contact method of force
Kelvin probe microscopy. The necessity of using certain optical and electrophysical diagnostic methods of p-type
semiconductor material certification and the prospects of using single-sector semiconductor wafers for the development
of Schottky diode designs are demonstrated.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:51:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-184819 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:51:43Z |
| publishDate | 2021 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Коваленко, Т.В. Ніколенко, А.С. Івахненко, С.О. Стрельчук, В.В. Литвин, П.М. Даниленко, І.М. Заневський, О.О. 2022-07-17T14:27:37Z 2022-07-17T14:27:37Z 2021 Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2021.06.068 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184819 548.736.15:531.748 Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані
 бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу
 одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням
 розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу
 кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених
 оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу
 і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі. Structurally perfect diamond single crystals of type IIb doped with boron with developed growth sectors {113}
 and {110} are grown by the HPHT- crystallization method. Single-sector semiconductor diamond plates are
 obtained by the predicted cutting of crystals by mechanical and laser treatments using the developed microphotogrammetric
 3D modeling of the sector structure. Raman and IR spectroscopies have been used to study
 the structural perfection and peculiarities of the defect-impurity composition of crystals. The electronic properties
 of growth sectors and intersectoral boundaries are characterized by the non-contact method of force
 Kelvin probe microscopy. The necessity of using certain optical and electrophysical diagnostic methods of p-type
 semiconductor material certification and the prospects of using single-sector semiconductor wafers for the development
 of Schottky diode designs are demonstrated. Роботу виконано за підтримки Національного фонду досліджень України, проєкт
 №2020.02/0160 “Розробка нових складів розчинників вуглецю для вирощування монокристалів алмазу в області термодинамічної стабільності з контрольованим вмістом домішок азоту і бору з метою створення концепційних конструкцій електронних приладів”. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Матеріалознавство Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties Article published earlier |
| spellingShingle | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості Коваленко, Т.В. Ніколенко, А.С. Івахненко, С.О. Стрельчук, В.В. Литвин, П.М. Даниленко, І.М. Заневський, О.О. Матеріалознавство |
| title | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості |
| title_alt | Semiconductor HPHT-diamonds as active elements of electronic devices: their structural and electronic properties |
| title_full | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості |
| title_fullStr | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості |
| title_full_unstemmed | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості |
| title_short | Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості |
| title_sort | напівпровідникові hpht-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості |
| topic | Матеріалознавство |
| topic_facet | Матеріалознавство |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184819 |
| work_keys_str_mv | AT kovalenkotv napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí AT níkolenkoas napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí AT ívahnenkoso napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí AT strelʹčukvv napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí AT litvinpm napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí AT danilenkoím napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí AT zanevsʹkiioo napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí AT kovalenkotv semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties AT níkolenkoas semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties AT ívahnenkoso semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties AT strelʹčukvv semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties AT litvinpm semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties AT danilenkoím semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties AT zanevsʹkiioo semiconductorhphtdiamondsasactiveelementsofelectronicdevicestheirstructuralandelectronicproperties |