Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2021
• Hauptverfasser: Коваленко, Т.В., Ніколенко, А.С., Івахненко, С.О., Стрельчук, В.В., Литвин, П.М., Даниленко, І.М., Заневський, О.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2021
• Schlagworte: Матеріалознавство
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184819
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані
 бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу
 одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з...