До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках
Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) і поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) од...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2022 |
| 1. Verfasser: | Гайдар, Г.П. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/184956 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | До методики визначення поперечного тензоопору в багатодолинних напівпровідниках / Г.П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. — 2022. — № 2. — С. 48-57. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристалографічних напрямках 〈110〉
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2019) -
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n–Si
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
von: Баранський, П.І., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Особливості зміни структури й електрофізичних характеристик n-Si під впливом різних режимів термообробки
von: Гайдар, Г.П.
Veröffentlicht: (2020)