Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂
Синтезовано нові тернарні сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ з R — Tb, Dy і Ho. Методами рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків встановлено, що ці сполуки кристалізуються в ромбічному структурному типі ZrSi₂(символ Пірсона oS12, просторова група Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) нм...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185191 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ / С.Я. Пукас, В.В. Куприсюк, А.Л. Мельник, Н.З. Семусьо, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2006. — Т. 72, № 5. — С. 16-21. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859656316261236736 |
|---|---|
| author | Пукас, С.Я. Куприсюк, В.В. Мельник, А.Л. Семусьо, Н.З. Гладишевський, Р.Є. |
| author_facet | Пукас, С.Я. Куприсюк, В.В. Мельник, А.Л. Семусьо, Н.З. Гладишевський, Р.Є. |
| citation_txt | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ / С.Я. Пукас, В.В. Куприсюк, А.Л. Мельник, Н.З. Семусьо, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2006. — Т. 72, № 5. — С. 16-21. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Украинский химический журнал |
| description | Синтезовано нові тернарні сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ з R — Tb, Dy і Ho. Методами рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків встановлено, що ці сполуки кристалізуються в ромбічному структурному типі ZrSi₂(символ Пірсона oS12, просторова група Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) нм для R — Tb). Сплави такого ж складу з R — Er, Tm і Lu відповідають твердим розчинам Al у бінарних дигерманідах із структурою типу ZrSi₂.
Синтезированы новые тройные соединения RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R — Tb, Dy и Ho). Методами рентгеноструктурного анализа поликристаллических образцов установлено, что эти соединения кристаллизуются в ромбическом структурном типе ZrSi₂(символ Пирсона oS12, пространственная группа Cmcm, a==0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) нм для R — Tb). Сплавы такого же состава, где R — Er, Tm и Lu, соответствуют твердым растворам Al в двойных дигерманидах со структурой типа ZrSi₂.
The new ternary compounds RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅, R = Tb, Dy, Ho, have been synthesized. It was established by powder X-ray diffraction that they crystallize with the orthorhombic ZrSi₂structure type (Pearson symbol oS12, space group Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) nm for R = Tb). Alloys of the same composition with R = Er, Tm and Lu also crystallize with ZrSi₂-type struсtures, however, for these elements the homogeneity ranges include the corresponding binary rare-earth digermanides.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:40:12Z |
| format | Article |
| fulltext |
рован NaInP2O7 и изучена его структура. Получен ряд
твердых растворов на основе M IInxM III
1–xP2O7 (M I —
Li, Na, K; M III — Fe, Cr, Mn), установлен их состав
и границы гомогенности. Исследована ионная прово-
димость твердых растворов NaIInxMnIII
1–xP2O7.
SUMMARY. The double diphosphate of sodium and
indium NaInP2O7 was obtained by using the method of
spontaneous crystallization from the melt of system Na2О
—P2O5—In2O3. The crystal structure of NaInP2O7 was
investigated. The series of solid solutions on the base of
M IInxM III
1–xP2O7 (MI — Li, Na, K; MIII — Fe, Cr, Mn)
were obtained, their chemical compositions and homo-
geneous region were determined. Ionic conductivity for
solid solutions with general formula Na IInxMnIII
1–xP2O7
was investigated.
1. Gabelica-R obert M ., Tarte P. // Solid State Chemis-
try Proc. 2 Eur. Conf. Veldhoven. -Amsterdam,
1983. -P. 475—478.
2. Генкина Е.А . // Журн. структур. химии . -1990.
-31, № 6. -С. 92—96.
3. Нагорний П.Г. // Доп. АН УРСР. Сер. Б. -1988.
-№ 5. -С. 142—146.
4. Слободяник М .С., Нагорний П.Г., Корнієнко З.І.,
Бойко Р.С. // Доп. НАН України. Сер. Б. -2002.
-№ 1. -С. 48—51.
5. Sheldrick G.M . SHELXS-93. A system of computer
programs for X-ray structure determination. Univ.
Gеttinden. -1993.
6. Alkemper J., Paulus H., Fuess H . // Z. fuer Kristall.
-1994. -209. -Р. 616.
7. Leclaire A., Benmoussa A., Borel M .M . et al. // J.
Solid State Chem. -1988. -77. -P. 299—305.
8. W ang Y .P., L ii K.H., W ang S .L . // Acta Crystall.
-1989. -45. -P. 1417, 1418.
9. Bohaty L., Liebertz J., Froehlich R . // Z. fuer Kristall.
-1982. -161. -P. 53—59.
10. M oya-Pizarro T., Salmon R ., Fournes L. et al. // J.
Solid State Chem. -1984. -53. -P. 387—397.
11. Leclaire A., Borel M .M ., Grandin A., Raveau B. //
Ibid. -1988. -76. -P. 131—135.
Київський національний університет ім. Тараса Шевченка Надійшла 07.12.2004
УДК 548.736.4
С.Я. Пукас, В.В. Куприсюк, А.Л. Мельник, Н.З. Семусьо, Р.Є. Гладишевський
СПОЛУКИ RAl0.15Ge1.85 (R = Тb, Dy, Ho) ІЗ РОМБІЧНОЮ СТРУКТУРОЮ ТИПУ ZrSi2
Синтезовано нові тернарні сполуки RAl0.15Ge1.85 з R — Tb, Dy і Ho. Методами рентгеноструктурного ана-
лізу полікристалічних зразків встановлено , що ці сполуки кристалізуються в ромбічному структурному
типі ZrSi2 (символ Пірсона oS12, просторова група Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) нм для
R — Tb). Сплави такого ж складу з R — Er, Tm і Lu відповідають твердим розчинам Al у бінарних
дигерманідах із структурою типу ZrSi2.
У кожній з подвійних систем R—Ge (R —
рідкісноземельний метал ітрієвої підгрупи) ут-
ворюється декілька сполук RGe2–x у залежності
від ступеня дефектності по германію [1]. Їхні
структури належать до різних, але близькоспо-
ріднених типів. Окремі сполуки характеризують-
ся незначними областями гомогенності; при
певних складах і температурах вакансії впоряд-
ковуються, що приводить до реалізації надструк-
тур і поліморфних переходів. Дефектні дигерма-
ніди рідкісноземельних металів привертають ува-
гу дослідників у зв’язку з цікавими електрични-
ми та магнітними властивостями [2]. Для їх син-
тезу все частіше застосовується взаємодія ком-
понентів під флюсом алюмінію, галію або індію.
Однак на сьогодні відсутні систематичні дос-
лідження впливу Al, Ga та In на структуру спо-
лук RGe2–x. Атоми цих елементів можуть частко-
во заміщати атоми германію або включатися у
пустоти структур з утворенням твердих розчинів;
не виключена також можливість формування тер-
нарних сполук. Метою цієї роботи було вста-
новлення фазового складу сплавів RAl0.15Ge1.85,
де R — Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb і Lu, та кристаліч-
ної структури сполук, що в них утворюються.
Серед сполук RGe2–x (табл. 1) значенням x=0
характеризується дигерманід Tm, однак в його
структурі типу ZrSi2 (символ Пірсона oS12,
просторова група Cmcm [10]) виявлені вакансії
в положенні атомів R. Дефектна структура типу
ZrSi2, але з вакансіями в положеннях менших за
розміром атомів, утворюється в системі Lu—Ge,
© С.Я. Пукас, В.В. Куприсюк, А.Л . Мельник, Н .З. Семусьо, Р.Є. Гладишевський , 2006
16 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2006. Т. 72, № 5
тоді як у системі Er—Ge відома сполука з струк-
турою включення додаткових атомів Ge (власний
тип ErGe2.16, oS12.64, Cmcm [11]). Слід зауважити,
що ця сполука існує лише при високій темпера-
турі (>900 oC) [11, 12]. Згідно з літературними да-
ними, стехіометричним складом RGe2 описується
лише сполука TbGe2 (структура власного типу,
oS24, Cmmm [13]). Проте, ймовірно, що і у цьому
випадку має місце дефектність по Ge, і, анало-
гічно системі Dy—Ge, реалізується тип PrGe1.91
(oS23.28, Cmmm [14]). При збільшенні значення
x у системах із Dy, Ho, Er і Tm утворюються де-
фектні дигерманіди зі структурою типу DyGe1.85
(oS22.80, Cmc21 [15]) або YGe1.82 (oS22.58, Cmcm
[16]). Сполука ErGe1.83 при температурі 907 оС за-
знає поліморфного перетворення (повідомляє-
ться про дві високотемпературні модифікації) і
розкладається за перитектичною реакцією при
1037 оС. Не виключено, що одна з цих високотем-
пературних модифікацій відповідає сполуці
ErGe2.16. Сполука TmGe1.83 існує лише при ви-
сокій температурі, тоді як при нижчій температу-
рі та дещо меншому значенні x утворюється спо-
лука TmGe1.9. Її структуру (власний тип, oP20,
Pmma [17]) можна отримати зрощенням фраг-
ментів типів ZrSi2 та DyGe1.85. Ще більшою де-
фектністю по Ge характеризуються сполуки
RGe1.67 (R3Ge5, структура типу Y3Ge5, oF64, Fdd2
[18]). Сполуки Tb3Ge5 (890 оC) і Ho3Ge5 (940 оC)
зазнають поліморфного перетворення з реалі-
зацією дефектної структури типу α-ThSi2 (tI12,
I41/amd [19]) і розкладаються за перитектичними
реакціями при 1380 і 1210 oC відповідно. В систе-
мах Dy—Ge та Ho—Ge відомі також сполуки
Dy11Ge18 і Ho14Ge23 із структурами власних типів
(oF232, Fdd2 і oS148, C2221 відповідно [20]), в
яких вакансії по відношенню до типу α-ThSi2
впорядковані. Структура типу AlB2 (hP3, P6/mmm
[21]) притаманна сполукам із максимальним зна-
ченням x і реалізується лише при високих темпе-
ратурах. При низьких температурах проходить
впорядкування вакансій з утворенням (модульо-
ваних) надструктур гексагональної, ромбічної
або моноклінної симетрії. Так, у системі Yb—Ge
низькотемпературна модифікація описується скла-
дом YbGe1.43 або Yb3Ge4.3 (структура типу Th3Pd5,
hP8, P-62m [22]). У структурі сполуки TmGe1.5
(Tm2Ge3) спостерігається впорядкування вакан-
сій, що відповідає власному типу (mS20, C2/c [23]).
Можна відзначити, що при поступовому переході
від Tb до Lu в окремих рядах ізоструктурних
сполук простежується тенденція до збільшення
Т а б л и ц я 1
Структурні типи, способи утворення (L — безпосередньо з розплаву, P — за перитектичною реакцією, T —
поліморфним перетворенням) і температури утворення (oС) бінарних сполук RGe2–x (R — рідкісноземельний метал
ітрієвої підгрупи)
x
Струк-
турний
тип
Tb [1,3] Dy [1,4] Ho [1,5] Er [1,6] Tm [1,7] Yb [1,8] Lu [1,9]
~0 ErGe2.16 ErGe2.16
(?, ...–900)
ZrSi2 Tm0.9Ge2
(P, 885)
LuGe1.8
(P, 1065)
~0.1 TbGe2
(PrGe1.91)
TbGe2
(P, 940)
DyGe1.90
(?, ...)
TmGe1.9 TmGe1.9
(P, 1022)
~0.2 DyGe1.85 DyGe1.85
(P, 967)
ErGe1.83
(T , 907)
TmGe1.83
(P, 1040–950)
YGe1.82 HoGe1.85
(P, 1000)
~0.3 Y3Ge5 Tb3Ge5
(T , 890)
Dy3Ge5
(P, 935)
Ho3Ge5
(T , 940)
~0.5 AlB2 TbGe1.5
(P, 1420–860)
DyGe1.5
(P, 1403–1300)
HoGe1.5
(P, 1400–925)
ErGe1.5
(P, 1405–943)
YbGe1.5
(L , 1080–935)
LuGe1.5
(P, 1330–1030)
Tm2Ge3 Tm2Ge3
(P, 1272)
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2006. Т . 72, № 5 17
ступеня дефектності по германію.
Зразки для дослідження готували сплавлян-
ням шихти з компактних металів (чистота рід-
кісноземельних металів >99.82 %, Al — 99.985 %,
Ge — 99.999 %) в електродуговій печі в атмосфері
аргону під тиском ~50 кПа. Сплави гомогенізу-
вали у вакуумованих кварцeвих ампулах при 600
oC впродовж 350 год і гартували в холодній во-
ді. Рентгенограми полікристалічних зразків одер-
жували в камерах РКД-57.3 (проміння CrK) і на
дифрактометрі ДРОН -2.0 (FeKα). Масив диф-
ракційних даних для зразка складу Tb32Al8Ge60
був отриманий на автоматичному дифрактомет-
рі ДРОН-3 (CuKα) у діапазоні кутів 20 ≤2θ ≤
100o з кроком 0.02o. Розрахунки та індексування
порошкограм проводили з використанням про-
грами POWDER CELL-2.4 [24]. Параметри еле-
ментарних комірок уточнювали за допомогою
програми LATCON [25], а структурне уточнення
здійснювали методом Рітвельда, програма
DBWS-9807 [26].
У роботах [27, 28], в яких наведені результа-
ти дослідження взаємодії компонентів у потрійній
системі Tb—Al—Ge при 400 оC, ми повідомляли
про існування на ізоконцентраті 33.3 % ат. Tb при
невеликому вмісті Al (5 % ат.) тернарної сполуки
TbAl0.15Ge1.85. На основі дифрактометричного
дослідження полікристалічного зразка складу
Tb32Al8Ge60, відпаленого при 600 оC, можна ствер-
джувати, що структура сполуки TbAl0.15Ge1.85
належить до ромбічного типу ZrSi2 (oS12, Cmcm,
a=0.41168 (5), b=1.6320 (1), c=0.39527 (3) нм) (табл.
2). Досліджений зразок виявився трифазним —
крім основної фази, він містив 8 % мол. фази
Tb3Ge5 зі структурою типу Y3Ge5 і 5 % мол.
Tb2AlGe3 (структура типу Y2AlGe3). Для опису
Т а б л и ц я 2
Результати уточнення індивідуальних фаз сплаву Tb32Al8Ge60 (метод порошку, дифрактометр ДРОН-3, проміння CuKα)
Параметри
TbAl0.15Ge1.85 Tb3Ge5 Tb2AlGe3
Cmcm F dd2 Pnma
Параметри комірки, нм
a
b
c
0.41402 (3)
1.6312 (1)
0.39657 (4)
0.5753 (3)
1.7284 (5)
1.3744 (2)
0.6787 (3)
0.4198 (2)
1.7690 (6)
Фактор достовірності Rp (R wp)
Rp = ∑
yспост − yрозр
/ ∑
yспост
Rwp = √∑ w(yспост − yрозр)2 / ∑ (yспост)
2
0.0273 (0.0357)
Фактор добротності S
S = √∑ w(yспост − yрозр)2 / (n − p + c)
1.43
Нульове значення 2θ (°) –0.151 (5)
Параметри ширини піків U,V ,W
H = √ U tan2θ + V tanθ + W
0.131 (9), –0.015 (9), 0.059 (1)
Параметр змішування η
ηL + (1 –η)G
0.49 (2)
Параметр асиметрії піків CM –0.10 (2)
Фактор шкали SF 0.298 (3)⋅10–3 0.282 (5)⋅10–5 0.102 (4)⋅10–4
Параметр текстури G [напрям]
P = (√ G2cos2α + (1 / G) sin3α )–3
0.949 (3) [010] 0.68 (2) [011] 0.90 (3) [001]
Фактор достовірності RB
RB = ∑
Iспост − Iрозр
/ ∑
Iспост
0.073 0.134 0.107
Об’єм комірки, нм3 0.26782 (4) 1.3665 (8) 0.5040 (4)
Густина, г⋅см–3 7.393 8.162 7.413
Вміст, % 72 (3) 19 (2) 9 (3)
18 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2006. Т. 72, № 5
дифракційного профілю використано функцію
псевдо-Войта, незалежних уточнюваних пара-
метрів було 28. Отримані результати узгоджую-
ться з ізотермічним перерізом діаграми стану
системи Tb—Al—Ge при 400 оC, згідно з яким
сполука TbAl0.15Ge1.85 вступає у двофазні рів-
новаги з Ge, бінарними сполуками TbGe2
(власний структурний тип) [13] і TbGe1.67 (Tb3Ge5)
[20], а також тернарними сполуками Tb2AlGe3
[29] і Tb2Al1,6Ge5,4 (структура типу La2AlGe6) [30].
Уточнений склад зразка — Tb34Al5Ge61; коор-
динати та параметри теплового коливання атомів
у структурі TbAl0.15Ge1.85 наведені в табл. 3. Як
видно, вакансії в структурі відсутні, а атоми Al
утворюють статистичну суміш з атомами Ge в
одному з двох положень атомів меншого розміру.
Існування тернарної сполуки TbAl0.15Ge1.85 і
бінарних дефектних дигерманідів Er, Tm та Lu із
структурою типу ZrSi2 (див. табл. 1) вказувало на
можливість утворення ізоструктурних тернарних
(або бінарних) сполук з Dy, Ho та Yb. З метою
перевірки цього припущення нами було дослід-
жено методами рентгеноструктурного аналізу
полікристалічні зразки RAl0.15Ge1.85, де R — Dy,
Ho, Er, Tm, Yb і Lu. Основною фазою в усіх спла-
вах, за винятком сплаву з Yb, була сполука,
кристалічна структура якої належить до типу
ZrSi2. Склади RAl0.15Ge1.85 з R — Dy і Ho від-
повідають тернарним сполукам, тоді як R — Er,
Tm і Lu — твердим розчинам Al у бінарних
дигерманідах. Уточнені параметри елементарних
комірок для цих сполук наведені в табл. 4. Об’є-
ми елементарних комірок для твердих розчинів
більші від об’ємів елементарних комірок відпо-
відних бінарних сполук (рис. 1). Сплав YbAl0.15Ge1.85
є твердим розчином Al у бінарній сполуці YbGe2–x
із дефектною структурою типу AlB2 [31]. Слід за-
уважити, що бінарний дигерманід Er може та-
кож розчиняти Ga. Параметри елементарної ко-
мірки твердого розчину ErGa0.15Ge1.85 такі: a=
=0.4044 (1), b=1.5931 (4), c=0.3902 (1) нм [32].
Усі структурні типи, в яких кристалізуються
Т а б л и ц я 3
Координати та ізотропні параметри теплового коли-
вання атомів у структурі сполуки TbAl0.15Ge1.85 (струк-
турний тип ZrSi2, символ Пірсона oS 12, просторо -
ва група Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657
(4) нм, Z =4, ПСТ 4(с))
Атом x y z Bізо .⋅10–2, нм2
Tb 0 0.3970 (3) 1⁄4 0.59 (8)
Ge 0 0.0489 (4) 1⁄4 0.60 (1)
Ge0.87 (2)Al0.13 (2) 0 0.7513 (5) 1⁄4 0.60 (1)
П р и м і т к а. ПСТ — правильна система точок.
Т а б л и ц я 4
Параметри елементарних комірок тернарних сполук
або твердих розчинів із структурою типу ZrSi2, знайде-
них у сплавах RAl0.15Ge1.85
R
a b c
нм
Tb 0.41402 (3) 1.6312 (1) 0.39657 (4)
Dy 0.40854 (5) 1.6206 (2) 0.39345 (4)
Ho 0.40767 (5) 1.6119 (1) 0.39307 (4)
Er 0.40600 (5) 1.6008 (1) 0.39165 (5)
Tm 0.40482 (5) 1.5890 (1) 0.39036 (3)
Lu 0.40172 (5) 1.5712 (1) 0.38820 (4)
Рис. 1. Залежність параметрів елементарних комірок
бінарних сполук (заповнені кружки), тернарних сполук
або твердих розчинів Al на основі бінарних сполук
(незаповнені кружки) із структурою типу ZrSi2 (у ви-
падку бінарного германіду ербію — тип ErGe2.16) від
порядкового номера R.
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2006. Т . 72, № 5 19
сполуки RGe2–x, близькоспоріднені. Характер-
ною особливістю цих типів є присутність шарів
тригональних призм, з’єднаних за рахунок спіль-
них граней (фрагменти типу AlB2). Тригональ-
ні призми побудовані виключно атомами R, а ато-
ми Ge розміщуються в центрах призм. Гексаго-
нальний структурний тип AlB2 та тетрагональний
α-ThSi2 повністю викладені із таких шарів. У
структурах типу α-ThSi2 осі призм у сусідніх ша-
рах взаємноперпендикулярні. Ромбічний тип
Y3Ge5 можна вивести із типу α-ThSi2 відніман-
ням 1/6 частини атомів меншого розміру та впо-
рядкуванням утворених вакансій.
У ромбічних структурах типів TbGe2 та
PrGe1.91 блоки із трьох шарів тригональних
призм (взаємне розміщення сусідніх шарів ана-
логічне типу α-ThSi2) розділені двома шарами
кубічного типу CaF2 (рис. 2). Тип PrGe1.91
відрізняється від типу TbGe2 зміщенням більшос-
ті атомів Ge з ідеальних положень, і утворенням
невпорядкованих вакансій по Ge в середньому
шарі тришарового блоку тригональних призм. Із
фрагментів типів AlB2 та CaF2 у такому ж спів-
відношенні (3:2) побудовані ромбічні структури
типів DyGe1.85 i YGe1.82. Однак шари тригональ-
них призм у цьому випадку зрощені, як у типі
AlB2 (осі всіх призм паралельні). Ці два струк-
турні типи відрізняються зміщеннями атомів, що
центрують призми в середньому шарі тришаро-
вого блоку тригональних призм.
Фрагменти типів AlB2 та CaF2 є також струк-
турними деталями ромбічних типів ZrSi2 та
ErGe2.16 (див. рис. 2). Співвідношення фрагмен-
тів у цьому випадку становить 1:2. Структура
ErGe2.16 є варіантом включення додаткових ато-
мів меншого розміру в типі ZrSi2, які розміщу-
ються у фрагментах типу CaF2. Саме в цих фра-
гментах у структурі TbAl0.15Ge1.85 знаходиться
статистична суміш атомів Al і Ge.
Таким чином, ряд ізоструктурних сполук ти-
пу ZrSi2 для германідів рідкісноземельних мета-
лів простягається від Tb до Tm і Lu, однак спо-
луки стабілізуються невеликими кількостями Al
(~5 % ат. при 600 oС). Цей тип реалізується також
і в подвійних системах з Er, Tm або Lu, але за
умови присутності структурних дефектів.
РЕЗЮМЕ. Синтезированы новые тройные соеди-
нения RAl0.15Ge1.85 (R — Tb, Dy и Ho). Методами рент-
геноструктурного анализа поликристаллических об-
разцов установлено, что эти соединения кристаллизу-
ются в ромбическом структурном типе ZrSi2 (символ
Пирсона oS12, пространственная группа Cmcm, a=
=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) нм для R — Tb).
Сплавы такого же состава, где R — Er, Tm и Lu,
соответствуют твердым растворам Al в двойных дигер-
манидах со структурой типа ZrSi2.
SUMMARY. The new ternary compounds RAl0.15Ge1.85,
R = Tb, Dy, Ho, have been synthesized. It was established
by powder X-ray diffraction that they crystallize with the
orthorhombic ZrSi2 structure type (Pearson symbol oS12,
space group Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657
(4) nm for R = Tb). Alloys of the same composition with
R = Er, Tm and Lu also crystallize with ZrSi2-type struсtu-
res, however, for these elements the homogeneity ranges
include the corresponding binary rare-earth digermanides.
1. Okamoto H. Desk Handbook: Phase Diagrams for
Binary Alloys. -ASM International, 2000.
2. Netzer F.P. // J. Phys. Condens. Mater. -1995. -7.
-P. 991—1022.
3. Еременко В.Н ., Мелешевич К.А ., Буянов Ю.И.,
Марценюк П.С. // Укр. хим. журн. -1988. -54, №
10. -С. 1019—1023.
4. Еременко В.Н ., Баталин В.Г., Буянов Ю.И., Обу-
шенко И .М . // Доп. АН УРСР. Сер. Б . -1977. -№
6. -С. 516—521.
5. Еременко В.Н ., Обушенко И.М ., Буянов Ю.И. //
Там же. Сер. А. -1980. -№ 7. -С. 87—91.
6. Еременко В.Н ., Обушенко И .М . // Изв. вузов. Цвет.
металлургия. -1981. -№ 3. -С. 59—62.
7. Еременко В.Н ., Мелешевич К.А ., Буянов Ю.И.,
Рис. 2. Проекції кристалічних структур типів TbGe2
(просторова група Cmmm), DyGe1.85 (Cmc21) та ZrSi2
(Cmcm) вздовж напряму [1 0 0]; великі кулі — атоми
Tb, Dy та Zr, малі — атоми Ge та Si.
20 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2006. Т. 72, № 5
Марценюк П.С. // Порошковая металлургия. -1989.
-№ 7. -С. 41—46.
8. Еременко В.Н ., Мелешевич К.А ., Буянов Ю.И. //
Доп. АН УРСР. Сер. А. -1983. -№ 3. -С. 83—88.
9. Еременко В.Н ., Мелешевич К.А., Буянов Ю.И., Петюх
В.М . // Там же. Сер. А. -1987. -№ 5. -С. 76—80.
10. Schachner H., Nowotny H., Kudielka H. // Monat.
Chem. -1954. -85. -S. 1140—1153.
11. Venturini G., Ijjaali I., M alaman B. // J. Alloys Compd.
-1999. -288. -P. 183—187.
12. Пукас С., Гладишевський Р., Гладишевський Є. //
Вісн. Львів. ун-ту. Сер. хім. -2004. -45. -С. 84—90.
13. Schobinger-Papamantellos P., de Mooij D.B., Buschow
K.H.J. // J. Less-Common Met. -1988. -144. -P. 265—274.
14. Savysyuk I.A ., Gladyshevskii E.I., Gladyshevskii R.E.
// VII Inter. Conf. Crystal Chem. Intermet. Comp.,
September 22–25, 1999. -Lviv: Coll. Abstr. -P. B17.
15. Мокрая И.Р., Печарский В.К., Шпырка З.М . и др.
// Докл. АН УССР. Сер. Б . -1989. -№ 2. -С. 48—50.
16. Ijjaali I., Venturini G., M alaman B. // J. Alloys Compd.
-1999. -284. -P. 237—242.
17. Venturini G. // Ibid. -2000. -308. -P. 200—204.
18. Брусков В.А ., Бодак О.И., Печарский В.К и др. //
Кристаллография. -1983. -28. -С. 260—263.
19. Brauer G., M itius A. // Z. Anorg. Allg. Chem. -1942.
-249. -S. 325—339.
20. Venturini G., Ijjaali I., M alaman B. // J. Alloys Compd.
-1999. -285. -P. 194—203.
21. Felten E.J. // J. Amer. Chem. Soc. -1956. -78. -P.
5977, 5978.
22. Thompson J.R. // Acta Crystallogr. -1963. -16. -P.
320, 321.
23. Venturini G., Ijjaali I., M alaman B. // J. Alloys Compd.
-1999. -284. -P. 262—269.
24. Kraus W ., Nolze G. PowderCell for Windows. -Berlin,
Germany: Federal Institute for Materials Research
and Testing, 1999.
25. Schwarzenbach D. LATCON: Refine Lattice Para-
meters. -Lausanne, Switzerland: University of Lau-
sanne, 1966.
26. Y oung R.A., Larson A.C., Paiva-Santos C.O. Rietveld
Analysis of X-Ray and Neutron Powder Diffraction
Patterns. -Atlanta, GA: School of Physics. Georgia
Institute of Technology, 1998.
27. Наконечна Н., Мельник А., Сависюк І., Гладишевський
Р. // 8 Наук. конф. "Львів. хім. читання", травень
24–25, 2001. -Львів: Зб. наук. праць. -С. Н1.
28. Kuprysiuk W ., Babiuk W ., Bodak O. et al. // VIII
Kraj. Sem. Prof. St. Bretsznajdera, wrzesnia 19–20,
2002. -Plock, Polska: Mater. -S. 312—316.
29. M el’nyk I., Kuprysyuk V ., Gladyshevskii R., Pikus S .
// VIII Inter. Conf. Crystal Chem. Intermet. Comp.,
September 25–28, 2002. -Lviv: Coll. Abstr. -P. 97.
30. Z hao J.T., Cenzual K., Parthe E. // Acta Crystallogr.
-1991. -C47. -P. 1777—1781.
31. Гладышевский Е.И . // Журн. структур. химии. -1964.
-5, № 4. -С. 568—575.
32. Пукас С., Мельник А ., Куприсюк В., Гладишевський
Р. // 9 Наук. конф. "Львів. хім. читання", травень
21–23, 2003. -Львів: Зб. наук. праць. -С. Н36.
Львівський національний університет ім. Івана Франка Надійшла 15.12.2004
УДК 621.315.592:54-185
А.Г. Белоус, А.И. Товстолыткин, О.И. Вьюнов, Ю.Д. Ступин, Л.Л. Коваленко
ВЛИЯНИЕ МЕТОДА ПОЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА ПЛЕНОК La0.775Sr0.225MnO3
Проведен сравнительный анализ электрофизических свойств пленок состава La0.775Sr0.225MnO3, полученных
методами трафаретной печати и магнетронного напыления. Определены температурные режимы, при которых
пленки, полученные методом трафаретной печати, обладают оптимальными электрофизическими свойствами.
Было показано, что по некоторым техническим параметрам полученные пленки не уступают пленкам, нане-
сенным по методу магнетронного напыления.
Перовcкитоподобные манганиты R1–xMxMnO3
(где R и М — редкоземельный и щелочно-зе-
мельный элементы соответственно), обладающие
эффектом гигантского магнитосопротивления, ши-
роко исследуются благодаря уникальному соче-
танию структурных, электрических и магнитных
свойств [1]. Перспективными для практического
применения являются манганиты La1–xSrxMnO3
с х=0.2—0.3, в которых этот эффект наблюдается
в области комнатных температур [2, 3]. Магнит-
ные и электрические свойства данных материалов
чувствительны к режимам синтеза, микрострук-
турным особенностям (размер зерна, пористость
и др.), а также к тому, в каком виде находится
материал — объемном или пленочном [4, 5]. По
сравнению с объемными образцами в пленках ман-
© А.Г. Белоус, А.И . Товстолыткин, О.И . Вьюнов, Ю.Д . Ступин, Л.Л. Коваленко , 2006
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2006. Т . 72, № 5 21
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-185191 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0041–6045 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:40:12Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Пукас, С.Я. Куприсюк, В.В. Мельник, А.Л. Семусьо, Н.З. Гладишевський, Р.Є. 2022-09-05T15:55:29Z 2022-09-05T15:55:29Z 2006 Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ / С.Я. Пукас, В.В. Куприсюк, А.Л. Мельник, Н.З. Семусьо, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2006. — Т. 72, № 5. — С. 16-21. — Бібліогр.: 32 назв. — укр. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185191 548.736.4 Синтезовано нові тернарні сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ з R — Tb, Dy і Ho. Методами рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків встановлено, що ці сполуки кристалізуються в ромбічному структурному типі ZrSi₂(символ Пірсона oS12, просторова група Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) нм для R — Tb). Сплави такого ж складу з R — Er, Tm і Lu відповідають твердим розчинам Al у бінарних дигерманідах із структурою типу ZrSi₂. Синтезированы новые тройные соединения RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R — Tb, Dy и Ho). Методами рентгеноструктурного анализа поликристаллических образцов установлено, что эти соединения кристаллизуются в ромбическом структурном типе ZrSi₂(символ Пирсона oS12, пространственная группа Cmcm, a==0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) нм для R — Tb). Сплавы такого же состава, где R — Er, Tm и Lu, соответствуют твердым растворам Al в двойных дигерманидах со структурой типа ZrSi₂. The new ternary compounds RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅, R = Tb, Dy, Ho, have been synthesized. It was established by powder X-ray diffraction that they crystallize with the orthorhombic ZrSi₂structure type (Pearson symbol oS12, space group Cmcm, a=0.41402 (3), b=1.6312 (1), c=0.39657 (4) nm for R = Tb). Alloys of the same composition with R = Er, Tm and Lu also crystallize with ZrSi₂-type struсtures, however, for these elements the homogeneity ranges include the corresponding binary rare-earth digermanides. uk Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ Соединения RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) с ромбической структурой типа ZrSi₂ RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ compounds (R = Tb, Dy, Ho) with ZrSi₂-type Rhombic structure Article published earlier |
| spellingShingle | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ Пукас, С.Я. Куприсюк, В.В. Мельник, А.Л. Семусьо, Н.З. Гладишевський, Р.Є. Неорганическая и физическая химия |
| title | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ |
| title_alt | Соединения RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) с ромбической структурой типа ZrSi₂ RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ compounds (R = Tb, Dy, Ho) with ZrSi₂-type Rhombic structure |
| title_full | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ |
| title_fullStr | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ |
| title_full_unstemmed | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ |
| title_short | Сполуки RAl₀.₁₅Ge₁.₈₅ (R = Тb, Dy, Ho) із ромбічною структурою типу ZrSi₂ |
| title_sort | сполуки ral₀.₁₅ge₁.₈₅ (r = тb, dy, ho) із ромбічною структурою типу zrsi₂ |
| topic | Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet | Неорганическая и физическая химия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185191 |
| work_keys_str_mv | AT pukassâ spolukiral015ge185rtbdyhoízrombíčnoûstrukturoûtipuzrsi2 AT kuprisûkvv spolukiral015ge185rtbdyhoízrombíčnoûstrukturoûtipuzrsi2 AT melʹnikal spolukiral015ge185rtbdyhoízrombíčnoûstrukturoûtipuzrsi2 AT semusʹonz spolukiral015ge185rtbdyhoízrombíčnoûstrukturoûtipuzrsi2 AT gladiševsʹkiirê spolukiral015ge185rtbdyhoízrombíčnoûstrukturoûtipuzrsi2 AT pukassâ soedineniâral015ge185rtbdyhosrombičeskoistrukturoitipazrsi2 AT kuprisûkvv soedineniâral015ge185rtbdyhosrombičeskoistrukturoitipazrsi2 AT melʹnikal soedineniâral015ge185rtbdyhosrombičeskoistrukturoitipazrsi2 AT semusʹonz soedineniâral015ge185rtbdyhosrombičeskoistrukturoitipazrsi2 AT gladiševsʹkiirê soedineniâral015ge185rtbdyhosrombičeskoistrukturoitipazrsi2 AT pukassâ ral015ge185compoundsrtbdyhowithzrsi2typerhombicstructure AT kuprisûkvv ral015ge185compoundsrtbdyhowithzrsi2typerhombicstructure AT melʹnikal ral015ge185compoundsrtbdyhowithzrsi2typerhombicstructure AT semusʹonz ral015ge185compoundsrtbdyhowithzrsi2typerhombicstructure AT gladiševsʹkiirê ral015ge185compoundsrtbdyhowithzrsi2typerhombicstructure |