Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃
Класичними методами фізико-хімічного аналізу (ДТА, РФА) з використанням математичного моделювання на ЕОМ вивчено характер фазових рівноваг у системі Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃ і побудовано відповідну просторову діаграму стану. Классическими методами физико-химического анализа (ДТА, РФА) с исп...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| Hauptverfasser: | Барчій, І.Є., Глух, О.С., Переш, Є.Ю., Цигика, В.В., Сабов, М.Ю. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185238 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Система Tl₂GeSe₃—Tl₄GeₓSn₁₋ₓSe₄ —Tl₂SnSe₃ / І.Є. Барчій, О.С. Глух, Є.Ю. Переш, В.В. Цигика, М.Ю. Сабов // Украинский химический журнал. — 2006. — Т. 72, № 7. — С. 6-10. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
von: Глух, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Глух, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Фазові рівноваги у квазіпотрійній системі Tl₄SnSe₄—TlBiSe₂—Tl₉BiSe₆
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Барчій, І.Є., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи Tl₂Se—SnSe₂—Bi₂Se₃
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Phase equilibria in the Tl2Se-Tl9BiSe6-Tl4SnSe3 system
von: O. O. Masalovych, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: O. O. Masalovych, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Phase equilibria in the Tl4SnSe4—TlBiSe2—Tl9BiSe6 quasiternary system
von: Ye. Barchii, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ye. Barchii, et al.
Veröffentlicht: (2011)
КВАЗІПОТРІЙНА СИСТЕМА Tl2Se–TlInSe2–Tl4P2Se6
von: Barchiy, Igor, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Barchiy, Igor, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Фазові рівноваги в системі Tl₂Те—SnТе—PbTe
von: Філеп, М.Й., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Філеп, М.Й., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особливості фізико-хімічної взаємодії в системі Tl—Ti—S
von: Севрюков, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Севрюков, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe₂ и TlInS₂
von: Абдуллаев, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Абдуллаев, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Вплив умов синтезу на термоелектричні властивості Tl₄TiS₄
von: Севрюков, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Севрюков, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Influence of the composition of (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ solid solutions on their physical properties
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Фізико-хімічна взаємодія в системі TlSe—ТlСl—TlBr
von: Слободян, Л.А.
Veröffentlicht: (2000)
von: Слободян, Л.А.
Veröffentlicht: (2000)
ВЗАЄМОДІЯ У КВАЗІПОДВІЙНИХ СИСТЕМАХ НА ОСНОВІ TlSbP2Se6 ТА СПОЛУК СИСТЕМИ Tl2Se–Sb2Se3
von: Sabov, Viktoria, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Sabov, Viktoria, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Influence of the composition of (TlGaS2)1–kh(TlInSe2)x solid solutions on their physical properties
von: S. N. Mustafaeva, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: S. N. Mustafaeva, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Vacancy Formation Energy for the Charged and Neutral States of TlGaSe₂ Crystal
von: Ismayilova, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Ismayilova, N.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
von: Зарбалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Зарбалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
TlBr: Carrier transport as influenced by defects and Tl ion migration
von: Kazukauskas, V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kazukauskas, V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Production of TlGa(In)Se2 crystals and the effect of cation substitution on their physical parameters
von: O. Parasiuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: O. Parasiuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)
The TlInS2–ZnS system and the properties of the TlInS2:Zn2+ crystal
von: L. Piskach, et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: L. Piskach, et al.
Veröffentlicht: (2018)
Quasi-binary sections and comparative analysis of interaction of ternary systems Tl—Pb—Se(Te)
von: T. O. Malakhovska, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: T. O. Malakhovska, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Regularities and peculiarities of interaction in Me—P—S(Se) systems (Me — Cu, Ag, Zn, Cd, In, Tl, Sn, Pb, Sb, Bi)
von: M. V. Potorij, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: M. V. Potorij, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Relaxation and thermoinduced processes in glassy HgSe(x)-GeSe₂(₁-x) alloys
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Halyan, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Laser-induced transformations in thermally evaporated thin TlInSe2 films studied by Raman spectroscopy
von: Y. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Y. M. Azhniuk, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Temperature dependence of raman-active modes of TlIn(0.95Se0.05)2 Single
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: O. O. Gomonnai, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Electric properties of TlInS₂ single crystals
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Mustafaeva, S.N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Phase equilibria in the system Tl2Te—SnTe—PbTe
von: M. Y. Filep, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: M. Y. Filep, et al.
Veröffentlicht: (2012)
A possible reason for non-proportionality of response in NaI:Tl and CsI:Tl scintillation crystals
von: Kudin, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Kudin, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2006)
The effects of strong correlations on the band structure of Ag₈SnSe₆ argyrodite
von: Syrotyuk, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Syrotyuk, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Polarization properties and a local structure of (GeSe₂)x(Sb2Se₃)₁-x glasses
von: Malesh, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Malesh, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2002)
1D- and 2D-matrices scintillation elements on the crystals base ZnSe(Te), CdWO₄, CsI(Tl), Bi₃Ge₄O₁₂
von: Ryzhikov, V.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ryzhikov, V.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Physico-chemical analysis and thermoelectric properties of (SnSe)1-x(ErSe)x system alloys
von: E. M. Godzhayev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: E. M. Godzhayev, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Urbach’s edge of glassy HgSe-GeSe₂ alloys: static disorder and temperature dependence of optical absorption
von: Bozhko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Bozhko, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2002)
THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Phase diagram of the Tl2S–Ga2S3 system and the crystal structure of the Tl2Ga20S31 compound
von: O. Tsisar, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: O. Tsisar, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Низкотемпературные особенности упругих модулей слоистого кристалла TlInS₂
von: Гаджиев, Б.Р., et al.
Veröffentlicht: (1995)
von: Гаджиев, Б.Р., et al.
Veröffentlicht: (1995)
Ähnliche Einträge
-
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Фазові рівноваги в системі Tl₂Se—SnSe, одержання та властивості монокристалів сполуки Tl₄SnSe₃
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Механізм утворення потрійних сполук у системі Tl₂Se—SnSe₂
von: Глух, О.С., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)