Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций

Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций

Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Украинский химический журнал
Дата:2007
Автори: Махний, В.П., Ткаченко, И.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2007
Теми:
Неорганическая и физическая химия
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-185685
record_format dspace
spelling Махний, В.П.
Ткаченко, И.В.
2022-10-04T17:12:33Z
2022-10-04T17:12:33Z
2007
Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
0041–6045
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685
535.37
Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии цинка V"Zn , а также их ассоциаты (V"Zn, V°Se). Проведено сравнение расчетных данных с экспериментальными результатами по исследованию электропроводности и люминесценции кристаллов ZnSe.
Проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів в монокристалах селеніду цинку, вирощених з розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що основний механізм дефектоутворення відбувається за схемою Шотткі, при цьому при 300 К домінують однозарядні вакансії селену V°Se і двозарядні вакансії цинку V"Zn’ , а також їх асоціати (V"Zn, V°Se ). Проведено порівняння розрахункових даних з експериментальними результатами електропровідності та люмінесценції кристалів ZnSe.
The calculation of zinc selenide monocrystals concentration, grown from the fusion of stoichiometric alloy, has been carried out. It was established that the main mechanism of defect formation occurs according to the Shottki scheme, namely, defects of V°Se and V"Zn, and their associates (V"Zn, V°Se ) dominate at 300 K. The comparative analysis of computation data with experimental results as to the investigation of ZnSe crystals electroconductivity and luminescence has been made.
ru
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
Украинский химический журнал
Неорганическая и физическая химия
Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
Розрахунок концентрацій рівноважних дефектів у бездомішкових кристалах селеніду цинку методом квазіхімічних реакцій
Calculation of equilibrium defects concentrations in the intrinsic crystals of zinc selenide by the method of quasichemical reactions
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
spellingShingle Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
Махний, В.П.
Ткаченко, И.В.
Неорганическая и физическая химия
title_short Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
title_full Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
title_fullStr Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
title_full_unstemmed Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
title_sort расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
author Махний, В.П.
Ткаченко, И.В.
author_facet Махний, В.П.
Ткаченко, И.В.
topic Неорганическая и физическая химия
topic_facet Неорганическая и физическая химия
publishDate 2007
language Russian
container_title Украинский химический журнал
publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
format Article
title_alt Розрахунок концентрацій рівноважних дефектів у бездомішкових кристалах селеніду цинку методом квазіхімічних реакцій
Calculation of equilibrium defects concentrations in the intrinsic crystals of zinc selenide by the method of quasichemical reactions
description Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии цинка V"Zn , а также их ассоциаты (V"Zn, V°Se). Проведено сравнение расчетных данных с экспериментальными результатами по исследованию электропроводности и люминесценции кристаллов ZnSe. Проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів в монокристалах селеніду цинку, вирощених з розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що основний механізм дефектоутворення відбувається за схемою Шотткі, при цьому при 300 К домінують однозарядні вакансії селену V°Se і двозарядні вакансії цинку V"Zn’ , а також їх асоціати (V"Zn, V°Se ). Проведено порівняння розрахункових даних з експериментальними результатами електропровідності та люмінесценції кристалів ZnSe. The calculation of zinc selenide monocrystals concentration, grown from the fusion of stoichiometric alloy, has been carried out. It was established that the main mechanism of defect formation occurs according to the Shottki scheme, namely, defects of V°Se and V"Zn, and their associates (V"Zn, V°Se ) dominate at 300 K. The comparative analysis of computation data with experimental results as to the investigation of ZnSe crystals electroconductivity and luminescence has been made.
issn 0041–6045
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685
citation_txt Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT mahniivp rasčetkoncentraciiravnovesnyhdefektovvbesprimesnyhkristallahselenidacinkametodomkvazihimičeskihreakcii
AT tkačenkoiv rasčetkoncentraciiravnovesnyhdefektovvbesprimesnyhkristallahselenidacinkametodomkvazihimičeskihreakcii
AT mahniivp rozrahunokkoncentracíirívnovažnihdefektívubezdomíškovihkristalahseleníducinkumetodomkvazíhímíčnihreakcíi
AT tkačenkoiv rozrahunokkoncentracíirívnovažnihdefektívubezdomíškovihkristalahseleníducinkumetodomkvazíhímíčnihreakcíi
AT mahniivp calculationofequilibriumdefectsconcentrationsintheintrinsiccrystalsofzincselenidebythemethodofquasichemicalreactions
AT tkačenkoiv calculationofequilibriumdefectsconcentrationsintheintrinsiccrystalsofzincselenidebythemethodofquasichemicalreactions
first_indexed 2025-12-07T17:00:27Z
last_indexed 2025-12-07T17:00:27Z
_version_ 1850869628579872768

Схожі ресурси