Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862706515375292416 |
|---|---|
| author | Махний, В.П. Ткаченко, И.В. |
| author_facet | Махний, В.П. Ткаченко, И.В. |
| citation_txt | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Украинский химический журнал |
| description | Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии цинка V"Zn , а также их ассоциаты (V"Zn, V°Se). Проведено сравнение расчетных данных с экспериментальными результатами по исследованию электропроводности и люминесценции кристаллов ZnSe.
Проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів в монокристалах селеніду цинку, вирощених з розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що основний механізм дефектоутворення відбувається за схемою Шотткі, при цьому при 300 К домінують однозарядні вакансії селену V°Se і двозарядні вакансії цинку V"Zn’ , а також їх асоціати (V"Zn, V°Se ). Проведено порівняння розрахункових даних з експериментальними результатами електропровідності та люмінесценції кристалів ZnSe.
The calculation of zinc selenide monocrystals concentration, grown from the fusion of stoichiometric alloy, has been carried out. It was established that the main mechanism of defect formation occurs according to the Shottki scheme, namely, defects of V°Se and V"Zn, and their associates (V"Zn, V°Se ) dominate at 300 K. The comparative analysis of computation data with experimental results as to the investigation of ZnSe crystals electroconductivity and luminescence has been made.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:00:27Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-185685 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0041–6045 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:00:27Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Махний, В.П. Ткаченко, И.В. 2022-10-04T17:12:33Z 2022-10-04T17:12:33Z 2007 Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685 535.37 Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии цинка V"Zn , а также их ассоциаты (V"Zn, V°Se). Проведено сравнение расчетных данных с экспериментальными результатами по исследованию электропроводности и люминесценции кристаллов ZnSe. Проведено розрахунок концентрацій рівноважних дефектів в монокристалах селеніду цинку, вирощених з розплаву стехіометричного складу. Встановлено, що основний механізм дефектоутворення відбувається за схемою Шотткі, при цьому при 300 К домінують однозарядні вакансії селену V°Se і двозарядні вакансії цинку V"Zn’ , а також їх асоціати (V"Zn, V°Se ). Проведено порівняння розрахункових даних з експериментальними результатами електропровідності та люмінесценції кристалів ZnSe. The calculation of zinc selenide monocrystals concentration, grown from the fusion of stoichiometric alloy, has been carried out. It was established that the main mechanism of defect formation occurs according to the Shottki scheme, namely, defects of V°Se and V"Zn, and their associates (V"Zn, V°Se ) dominate at 300 K. The comparative analysis of computation data with experimental results as to the investigation of ZnSe crystals electroconductivity and luminescence has been made. ru Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций Розрахунок концентрацій рівноважних дефектів у бездомішкових кристалах селеніду цинку методом квазіхімічних реакцій Calculation of equilibrium defects concentrations in the intrinsic crystals of zinc selenide by the method of quasichemical reactions Article published earlier |
| spellingShingle | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций Махний, В.П. Ткаченко, И.В. Неорганическая и физическая химия |
| title | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций |
| title_alt | Розрахунок концентрацій рівноважних дефектів у бездомішкових кристалах селеніду цинку методом квазіхімічних реакцій Calculation of equilibrium defects concentrations in the intrinsic crystals of zinc selenide by the method of quasichemical reactions |
| title_full | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций |
| title_fullStr | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций |
| title_full_unstemmed | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций |
| title_short | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций |
| title_sort | расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций |
| topic | Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet | Неорганическая и физическая химия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685 |
| work_keys_str_mv | AT mahniivp rasčetkoncentraciiravnovesnyhdefektovvbesprimesnyhkristallahselenidacinkametodomkvazihimičeskihreakcii AT tkačenkoiv rasčetkoncentraciiravnovesnyhdefektovvbesprimesnyhkristallahselenidacinkametodomkvazihimičeskihreakcii AT mahniivp rozrahunokkoncentracíirívnovažnihdefektívubezdomíškovihkristalahseleníducinkumetodomkvazíhímíčnihreakcíi AT tkačenkoiv rozrahunokkoncentracíirívnovažnihdefektívubezdomíškovihkristalahseleníducinkumetodomkvazíhímíčnihreakcíi AT mahniivp calculationofequilibriumdefectsconcentrationsintheintrinsiccrystalsofzincselenidebythemethodofquasichemicalreactions AT tkačenkoiv calculationofequilibriumdefectsconcentrationsintheintrinsiccrystalsofzincselenidebythemethodofquasichemicalreactions |