Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |