Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций

Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефектообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V°Se и двухзарядные вакансии...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Украинский химический журнал
Datum:2007
Hauptverfasser: Махний, В.П., Ткаченко, И.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2007
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185685
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций / В.П. Махний, И.В. Ткаченко // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 4. — С. 95-99. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine