Новi сполуки в системi Er—Ga—Si

• Опубліковано в: : Украинский химический журнал
• Дата: 2007
• Автори: Пукас, С.Я., Черни, Р., Маняко, М.Б., Гладишевський, Р.Є.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2007
• Теми: Неорганическая и физическая химия
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185861
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Новi сполуки в системi Er—Ga—Si / С.Я. Пукас, Р. Черни, М.Б. Маняко, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 11. — С. 18-26. — Бібліогр.: 27 назв. — укр.

У системі Er—Ga—Si синтезовано три нові тернарні сполуки. Методом рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (варіант впорядкування ромбічного типу α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) та ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональна структура типу α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристалічну структуру сполуки Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ розшифровано методом монокристалу; вона належить до власного ромбічного типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Цей структурний тип споріднений до типу Pr₄Al₃Ge₃, однак характеризується розщепленням двох із п’яти положень атомів та іншим розподілом атомів p-елементів по правильним системам точок. В системе Er—Ga—Si синтезированы три новые тройные соединения. Методом рентгеноструктурного анализа поликристаллических образцов установлена структура соединения ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (вариант упорядочения ромбического типа α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) и ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональная структура типа α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристаллическая структура соединения Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ решена методом монокристалла; она принадлежит к собственному ромбическому типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Этот структурный тип родственный типу Pr₄Al₃Ge₃, но характеризуется расщеплением двух из пяти положений атомов и иным распределением атомов p-элементов по правильным системам точек. Three new ternary compounds have been synthesized in the Er—Ga—Si system. The crystal structures of the compounds ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (ordering variant of the orthorhombic structure type α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) nm) and ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (tetragonal structure type α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2 nm) were established by means of X-ray powder diffraction. The crystal structure of the compound Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ was solved by the single-crystal method; it belongs to own orthorhombic type (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) nm). This structure type is closely related to the type Pr₄Al₃Ge₃, but is characterized by a split of two from five atom sites and a different distribution of the atoms of the p-elements in Wyckoff positions.