Новi сполуки в системi Er—Ga—Si
У системі Er—Ga—Si синтезовано три нові тернарні сполуки. Методом рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (варіант впорядкування ромбічного типу α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2)...
Saved in:
| Published in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185861 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Новi сполуки в системi Er—Ga—Si / С.Я. Пукас, Р. Черни, М.Б. Маняко, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 11. — С. 18-26. — Бібліогр.: 27 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-185861 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Пукас, С.Я. Черни, Р. Маняко, М.Б. Гладишевський, Р.Є. 2022-10-24T07:56:56Z 2022-10-24T07:56:56Z 2007 Новi сполуки в системi Er—Ga—Si / С.Я. Пукас, Р. Черни, М.Б. Маняко, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 11. — С. 18-26. — Бібліогр.: 27 назв. — укр. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185861 548.736.4 У системі Er—Ga—Si синтезовано три нові тернарні сполуки. Методом рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (варіант впорядкування ромбічного типу α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) та ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональна структура типу α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристалічну структуру сполуки Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ розшифровано методом монокристалу; вона належить до власного ромбічного типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Цей структурний тип споріднений до типу Pr₄Al₃Ge₃, однак характеризується розщепленням двох із п’яти положень атомів та іншим розподілом атомів p-елементів по правильним системам точок. В системе Er—Ga—Si синтезированы три новые тройные соединения. Методом рентгеноструктурного анализа поликристаллических образцов установлена структура соединения ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (вариант упорядочения ромбического типа α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) и ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональная структура типа α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристаллическая структура соединения Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ решена методом монокристалла; она принадлежит к собственному ромбическому типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Этот структурный тип родственный типу Pr₄Al₃Ge₃, но характеризуется расщеплением двух из пяти положений атомов и иным распределением атомов p-элементов по правильным системам точек. Three new ternary compounds have been synthesized in the Er—Ga—Si system. The crystal structures of the compounds ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (ordering variant of the orthorhombic structure type α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) nm) and ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (tetragonal structure type α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2 nm) were established by means of X-ray powder diffraction. The crystal structure of the compound Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ was solved by the single-crystal method; it belongs to own orthorhombic type (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) nm). This structure type is closely related to the type Pr₄Al₃Ge₃, but is characterized by a split of two from five atom sites and a different distribution of the atoms of the p-elements in Wyckoff positions. uk Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Новi сполуки в системi Er—Ga—Si Новые соединения в системе Er—Ga—Si New ternary compounds in the Er—Ga—Si system Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si |
| spellingShingle |
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si Пукас, С.Я. Черни, Р. Маняко, М.Б. Гладишевський, Р.Є. Неорганическая и физическая химия |
| title_short |
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si |
| title_full |
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si |
| title_fullStr |
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si |
| title_full_unstemmed |
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si |
| title_sort |
новi сполуки в системi er—ga—si |
| author |
Пукас, С.Я. Черни, Р. Маняко, М.Б. Гладишевський, Р.Є. |
| author_facet |
Пукас, С.Я. Черни, Р. Маняко, М.Б. Гладишевський, Р.Є. |
| topic |
Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
| publishDate |
2007 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Украинский химический журнал |
| publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Новые соединения в системе Er—Ga—Si New ternary compounds in the Er—Ga—Si system |
| description |
У системі Er—Ga—Si синтезовано три нові тернарні сполуки. Методом рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (варіант впорядкування ромбічного типу α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) та ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональна структура типу α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристалічну структуру сполуки Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ розшифровано методом монокристалу; вона належить до власного ромбічного типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Цей структурний тип споріднений до типу Pr₄Al₃Ge₃, однак характеризується розщепленням двох із п’яти положень атомів та іншим розподілом атомів p-елементів по правильним системам точок.
В системе Er—Ga—Si синтезированы три новые тройные соединения. Методом рентгеноструктурного анализа поликристаллических образцов установлена структура соединения ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (вариант упорядочения ромбического типа α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) и ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональная структура типа α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристаллическая структура соединения Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ решена методом монокристалла; она принадлежит к собственному ромбическому типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Этот структурный тип родственный типу Pr₄Al₃Ge₃, но характеризуется расщеплением двух из пяти положений атомов и иным распределением атомов p-элементов по правильным системам точек.
Three new ternary compounds have been synthesized in the Er—Ga—Si system. The crystal structures of the compounds ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (ordering variant of the orthorhombic structure type α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) nm) and ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (tetragonal structure type α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2 nm) were established by means of X-ray powder diffraction. The crystal structure of the compound Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ was solved by the single-crystal method; it belongs to own orthorhombic type (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) nm). This structure type is closely related to the type Pr₄Al₃Ge₃, but is characterized by a split of two from five atom sites and a different distribution of the atoms of the p-elements in Wyckoff positions.
|
| issn |
0041–6045 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/185861 |
| citation_txt |
Новi сполуки в системi Er—Ga—Si / С.Я. Пукас, Р. Черни, М.Б. Маняко, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 11. — С. 18-26. — Бібліогр.: 27 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT pukassâ novispolukivsistemiergasi AT černir novispolukivsistemiergasi AT manâkomb novispolukivsistemiergasi AT gladiševsʹkiirê novispolukivsistemiergasi AT pukassâ novyesoedineniâvsistemeergasi AT černir novyesoedineniâvsistemeergasi AT manâkomb novyesoedineniâvsistemeergasi AT gladiševsʹkiirê novyesoedineniâvsistemeergasi AT pukassâ newternarycompoundsintheergasisystem AT černir newternarycompoundsintheergasisystem AT manâkomb newternarycompoundsintheergasisystem AT gladiševsʹkiirê newternarycompoundsintheergasisystem |
| first_indexed |
2025-12-07T19:10:16Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:10:16Z |
| _version_ |
1850877795191750656 |