Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобра...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2010
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186045 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ / И.А. Слободянюк, Л.Г. Щербакова, Г.Я. Колбасов, И.А. Русецкий, С.Я. Обловатная// Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 6. — С. 98-100. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с ростом фотопотенциала электродов и уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Исследована эффективность работы полученных поликристаллических пленок в фотоэлектрохимической системе с гидридобразующими сплавами типа АВ₅ в условиях природной инсоляции.
Вивчено фотоелектрохімічні властивості напівпровідникових плівок на основі CdSe та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Показано, що ефективність фотоперетворення збільшується після модифікування поверхні напівпровідникових плівок цинком. Проаналізовано причини зростання ефективності фотоперетворення на модифікованих CdSe- та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-електродах. Вивчено ефективність сумісної роботи полікристалічних плівок з гідридоутворюючими сплавами типу АВ₅ у фотоелектрохімічній комірці. Отримана ефективність перетворення світла складає 4 %.
Photoelectrochemical properties of semiconductor films on the basis of CdSe and CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ are studied. It is shown that efficiency of phototransformation increases after modifying of a surface of semi-conductor films for Zn. The reasons of increase in efficiency of photoconversion on modified CdSe-electrodes are analyzed. Efficiency of teamwork of polycrystalline films CdSe with metal hydride alloys of type AB₅ in a photoelectrochemical cell is studied. Efficiency of transformation of a sunlight of 4 % is received.
|
|---|---|
| ISSN: | 0041–6045 |