Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅

Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобра...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Украинский химический журнал
Дата:2010
Автори: Слободянюк, И.А., Щербакова, Л.Г., Колбасов, Г.Я., Русецкий, И.А., Обловатная, С.Я.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2010
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186045
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ / И.А. Слободянюк, Л.Г. Щербакова, Г.Я. Колбасов, И.А. Русецкий, С.Я. Обловатная// Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 6. — С. 98-100. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с ростом фотопотенциала электродов и уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Исследована эффективность работы полученных поликристаллических пленок в фотоэлектрохимической системе с гидридобразующими сплавами типа АВ₅ в условиях природной инсоляции. Вивчено фотоелектрохімічні властивості напівпровідникових плівок на основі CdSe та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Показано, що ефективність фотоперетворення збільшується після модифікування поверхні напівпровідникових плівок цинком. Проаналізовано причини зростання ефективності фотоперетворення на модифікованих CdSe- та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-електродах. Вивчено ефективність сумісної роботи полікристалічних плівок з гідридоутворюючими сплавами типу АВ₅ у фотоелектрохімічній комірці. Отримана ефективність перетворення світла складає 4 %. Photoelectrochemical properties of semiconductor films on the basis of CdSe and CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ are studied. It is shown that efficiency of phototransformation increases after modifying of a surface of semi-conductor films for Zn. The reasons of increase in efficiency of photoconversion on modified CdSe-electrodes are analyzed. Efficiency of teamwork of polycrystalline films CdSe with metal hydride alloys of type AB₅ in a photoelectrochemical cell is studied. Efficiency of transformation of a sunlight of 4 % is received.
ISSN:0041–6045