Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅

Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅

Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобра...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Украинский химический журнал
Datum:2010
Hauptverfasser: Слободянюк, И.А., Щербакова, Л.Г., Колбасов, Г.Я., Русецкий, И.А., Обловатная, С.Я.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2010
Schlagworte:
Электрохимия
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186045
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ / И.А. Слободянюк, Л.Г. Щербакова, Г.Я. Колбасов, И.А. Русецкий, С.Я. Обловатная// Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 6. — С. 98-100. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-186045
record_format dspace
spelling Слободянюк, И.А.
Щербакова, Л.Г.
Колбасов, Г.Я.
Русецкий, И.А.
Обловатная, С.Я.
2022-11-02T15:21:51Z
2022-11-02T15:21:51Z
2010
Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ / И.А. Слободянюк, Л.Г. Щербакова, Г.Я. Колбасов, И.А. Русецкий, С.Я. Обловатная// Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 6. — С. 98-100. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
0041–6045
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186045
544.52 : 541.138 : 621.352
Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с ростом фотопотенциала электродов и уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Исследована эффективность работы полученных поликристаллических пленок в фотоэлектрохимической системе с гидридобразующими сплавами типа АВ₅ в условиях природной инсоляции.
Вивчено фотоелектрохімічні властивості напівпровідникових плівок на основі CdSe та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Показано, що ефективність фотоперетворення збільшується після модифікування поверхні напівпровідникових плівок цинком. Проаналізовано причини зростання ефективності фотоперетворення на модифікованих CdSe- та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-електродах. Вивчено ефективність сумісної роботи полікристалічних плівок з гідридоутворюючими сплавами типу АВ₅ у фотоелектрохімічній комірці. Отримана ефективність перетворення світла складає 4 %.
Photoelectrochemical properties of semiconductor films on the basis of CdSe and CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ are studied. It is shown that efficiency of phototransformation increases after modifying of a surface of semi-conductor films for Zn. The reasons of increase in efficiency of photoconversion on modified CdSe-electrodes are analyzed. Efficiency of teamwork of polycrystalline films CdSe with metal hydride alloys of type AB₅ in a photoelectrochemical cell is studied. Efficiency of transformation of a sunlight of 4 % is received.
ru
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
Украинский химический журнал
Электрохимия
Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
Фоточутливість анодів на основі полікристалічних плівок CdSe та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
Photosensitivity of anodes on the basis of polycrystalline CdSe and CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
spellingShingle Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
Слободянюк, И.А.
Щербакова, Л.Г.
Колбасов, Г.Я.
Русецкий, И.А.
Обловатная, С.Я.
Электрохимия
title_short Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
title_full Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
title_fullStr Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
title_full_unstemmed Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
title_sort фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок cdse и cdse₀.₆₅te₀.₃₅
author Слободянюк, И.А.
Щербакова, Л.Г.
Колбасов, Г.Я.
Русецкий, И.А.
Обловатная, С.Я.
author_facet Слободянюк, И.А.
Щербакова, Л.Г.
Колбасов, Г.Я.
Русецкий, И.А.
Обловатная, С.Я.
topic Электрохимия
topic_facet Электрохимия
publishDate 2010
language Russian
container_title Украинский химический журнал
publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
format Article
title_alt Фоточутливість анодів на основі полікристалічних плівок CdSe та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
Photosensitivity of anodes on the basis of polycrystalline CdSe and CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅
description Изучены фотоэлектрохимические процессы на пленочных поликристаллических CdSe- и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоэлектродах, поверхность которых модифицирована цинком. Показано, что модифицирование электродов приводит к возрастанию их фоточувствительности. Проанализированы причины увеличения эффективности преобразования, связанные, в основном, с ростом фотопотенциала электродов и уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Исследована эффективность работы полученных поликристаллических пленок в фотоэлектрохимической системе с гидридобразующими сплавами типа АВ₅ в условиях природной инсоляции. Вивчено фотоелектрохімічні властивості напівпровідникових плівок на основі CdSe та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Показано, що ефективність фотоперетворення збільшується після модифікування поверхні напівпровідникових плівок цинком. Проаналізовано причини зростання ефективності фотоперетворення на модифікованих CdSe- та CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-електродах. Вивчено ефективність сумісної роботи полікристалічних плівок з гідридоутворюючими сплавами типу АВ₅ у фотоелектрохімічній комірці. Отримана ефективність перетворення світла складає 4 %. Photoelectrochemical properties of semiconductor films on the basis of CdSe and CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ are studied. It is shown that efficiency of phototransformation increases after modifying of a surface of semi-conductor films for Zn. The reasons of increase in efficiency of photoconversion on modified CdSe-electrodes are analyzed. Efficiency of teamwork of polycrystalline films CdSe with metal hydride alloys of type AB₅ in a photoelectrochemical cell is studied. Efficiency of transformation of a sunlight of 4 % is received.
issn 0041–6045
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186045
citation_txt Фоточувствительность анодов на основе поликристаллических пленок CdSe и CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ / И.А. Слободянюк, Л.Г. Щербакова, Г.Я. Колбасов, И.А. Русецкий, С.Я. Обловатная// Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 6. — С. 98-100. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT slobodânûkia fotočuvstvitelʹnostʹanodovnaosnovepolikristalličeskihplenokcdseicdse065te035
AT ŝerbakovalg fotočuvstvitelʹnostʹanodovnaosnovepolikristalličeskihplenokcdseicdse065te035
AT kolbasovgâ fotočuvstvitelʹnostʹanodovnaosnovepolikristalličeskihplenokcdseicdse065te035
AT ruseckiiia fotočuvstvitelʹnostʹanodovnaosnovepolikristalličeskihplenokcdseicdse065te035
AT oblovatnaâsâ fotočuvstvitelʹnostʹanodovnaosnovepolikristalličeskihplenokcdseicdse065te035
AT slobodânûkia fotočutlivístʹanodívnaosnovípolíkristalíčnihplívokcdsetacdse065te035
AT ŝerbakovalg fotočutlivístʹanodívnaosnovípolíkristalíčnihplívokcdsetacdse065te035
AT kolbasovgâ fotočutlivístʹanodívnaosnovípolíkristalíčnihplívokcdsetacdse065te035
AT ruseckiiia fotočutlivístʹanodívnaosnovípolíkristalíčnihplívokcdsetacdse065te035
AT oblovatnaâsâ fotočutlivístʹanodívnaosnovípolíkristalíčnihplívokcdsetacdse065te035
AT slobodânûkia photosensitivityofanodesonthebasisofpolycrystallinecdseandcdse065te035
AT ŝerbakovalg photosensitivityofanodesonthebasisofpolycrystallinecdseandcdse065te035
AT kolbasovgâ photosensitivityofanodesonthebasisofpolycrystallinecdseandcdse065te035
AT ruseckiiia photosensitivityofanodesonthebasisofpolycrystallinecdseandcdse065te035
AT oblovatnaâsâ photosensitivityofanodesonthebasisofpolycrystallinecdseandcdse065te035
first_indexed 2025-12-07T18:46:09Z
last_indexed 2025-12-07T18:46:09Z
_version_ 1850876278808248320

Ähnliche Einträge