Поверхностная электропроводность допированных нанокристаллов диоксида олова

• Опубліковано в: : Украинский химический журнал
• Дата: 2010
• Автори: Малеваный, С.М., Панов, Э.В., Генкина, Е.А., Глущак, Т.С., Лапшин, В.Ф.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2010
• Теми: Неорганическая и физическая химия
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186058
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Поверхностная электропроводность допированных нанокристаллов диоксида олова / С.М. Малeваный, Э.В. Панов, Е.А. Генкина, Т.С. Глущак, В.Ф. Лапшин // Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 7. — С. 18-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Изучена возможность модифицирования поверхности нанопорошка путeм синтеза и допирования его в нитратном расплаве. Такой приeм существенно трансформирует химические и электрофизические свойства поверхности SnO₂, что адекватно отражается на поверхностной электропроводности нанокристаллов SnO₂. Нанокристали SnO₂, доповані оксидами Sb, Pb, Bi, Cu, Fe, Ni, Mo, одержано в нітратному розплаві. Продукти синтезу ідентифіковано методами РФА, ПЕМ, ЕПР, ЯМР. Показано, що допування суттєво трансформує хімічні і електрофізичні властивості поверхні SnO₂. Допант змінює розмір часток SnO₂ і такі фактори поверхні, як фазовий состав, стехіометрію, склад і концентрацію дефектів і, в результаті, концентрацію активних центрів на поверхні. Вивчено кореляцію між вказаними параметрами модифікування і поверхневою електропровідностю σ плівок SnO₂, виготовлених з цих порошків, індивідуальність модифікуючого фактору окремих допантів. Для цього булo дослідженo залежності σ від температури та складу газового середовища. SnO₂ nanocrystals, doped with Sb, Pb, Bi, Cu, Fe, Ni, Mo oxides, have been synthesized in nitric melt. Products of the synthesize have been indetificated with X-ray phase analysis, ТЕМ, ЕPR, NМR methods. It is showed that the doping considerably transforms chemical and electrophysical properties of SnO₂ surface. The dopant changes the size of SnO₂ particles and so surface factors as phase composition, stehiometry, composition and concentration defects and as result — surface concentration of active centers. The correlation between modification parametrs mentioned and surface electroconductivity σ SnO₂ films, made from these powders, individuality of modificating factor of single dopants have been studied. σ, 1/Т dependences and σ of gas atmosphere dependence have been studied for it.