Адсорбционные свойства газочувствительных материалов сенсора СО
Методом термопрограммированной десорбции изучены адсорбционные свойства газочувствительного материала полупроводникового сенсора СО. Установлено, что платина играет роль активатора молекул СО, которые мигрируют в матрице полупроводника и удаляют адсорбированный кислород, изменяя электрическое сопрот...
Saved in:
| Published in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2010
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186062 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Адсорбционные свойства газочувствительных материалов сенсора СО / Е.В. Ищенко, А.В. Яцимирский, Н.П. Максимович, С.В. Гайдай, Б.Г. Мисчанчук // Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 7. — С. 37-39. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Методом термопрограммированной десорбции изучены адсорбционные свойства газочувствительного материала полупроводникового сенсора СО. Установлено, что платина играет роль активатора молекул СО, которые мигрируют в матрице полупроводника и удаляют адсорбированный кислород, изменяя электрическое сопротивление сенсора.
Методом термопрограмованої десорбції вивчено адсорбційні властивості газочутливого матеріалу напівпровідникового сенсора СО. Встановлено, що платина відіграє роль активатора молекул СО, які мігрують до матриці напівпровідника і видаляють адсорбований кисень, змінюючи електричний опір сенсора.
The adsorption properties of gas-sensitive material of the semiconductive CO sensor were investigated by the thermoprogrammed desorption method. It was determined that platinum acts as an activator of CO molecules, which migrate to the semiconductor matrix and remove the adsorbed oxygen, changing the electric resistance of the sensor.
|
|---|---|
| ISSN: | 0041–6045 |