Вплив способу підготовки та легуючих домішок на пороутворення і структурну модифікацію поверхні твердих розчинів CdTe - Воробець, М.М.; Воробець, Г.І.; Волощук, А.Г.; Тевтуль, Я.Ю.; Ткач, В.М. (Украинский химический журнал, 2011)
Досліджено вплив легуючих домішок арсену, хлору, цинку і способу хімічної обробки на зміну морфології поверхні та особливості структурно-фазової модифікації приповерхневого шару твердих розчинів CdTe, анодованих у сумішах HNO₃ : НF : Н₂O та HNO₃ : HCl : Н₂O. Встановлено, що поверхнева густина пор корелює з концентрацією легуючих домішок у високоомному р-CdTe. У твердих розчинах заміщення n-CdZnTe пороутворення практично відсутнє. Хімічна обробка зразків перед анодуванням, як і наявність домішки арсену, забезпечує більшу морфологічну однорідність поверхні під час пороутворення в CdTe. Домішка хлору сприяє інтенсифікації процесу електрохімічного травлення, а продукт реакції CdCl₂ виділяється на поверхні у вигляді наноструктур товщиною 10—100 нм та довжиною до 10—30 мкм. Исследовано влияние легирующих примесей арсена, хлора, цинка и способа химической обработки на морфологию поверхности и особенности структурно-фазовой модификации приповерхностного слоя твердых растворов CdTe, анодированных в смесях HNO₃ : НF : Н₂O и HNO₃ : HCl : Н₂O. Показано, что поверхностная плотность пор коррелирует с концентрацией легирующих примесей в высокоомном р-CdTe. В твердых растворах замещения n-CdZnTe порообразование практически отсутствует. Химическая обработка образцов перед анодированием, как и наличие примесей As, обеспечивает большую морфологическую однородность поверхности при порообразовании в CdTe. Примесь хлора приводит к интенсификации процесса электрохимического травления, а продукт реакции CdCl₂, выделяется на поверхности в виде наноструктур толщиной 10—100 нм и длиной до 10—30 мкм. Influence of doping impurity As, Cl, Zn and a way of chemical processing on morphology of a surface and feature of structurally-phase updating of an under surface layer of CdTe solid solutions anodized in mixes HNO₃ : НF : Н₂O and HNO₃: HCl : Н₂O is investigated. It is shown, that the superficial density of pitting in porous layer is correlated with concentration of impurity in high-resistance р-CdTe. In solid solutions of replacement n-CdZnTe the formation of porous layer practically is absent. Chemical processing of samples before anodizing, as well as presence of impurity As provides the more morphological uniformity of a surface at the formation of porous layer in CdTe. Impurity Cl leads to an intensification of process of electrochemical etching, and reaction product CdCl₂, is allocated for surfaces in a kind nano structures with thickness 10—100 nanometer and length to 10—30 micron.