Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах PbTe при двотемпературному відпалі

• Veröffentlicht in: Украинский химический журнал
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Фреїк, Д.М., Туровська, Л.В., Межиловська, Л.Й., Горічок, І.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainian
• Veröffentlicht: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2011
• Schlagworte: Неорганическая и физическая химия
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186245
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Термодинаміка і кристалочімія точкових дефектів у кристалах PbTe при двотемпературному відпалі / Д.М. Фреїк, Л.В. Туровська, Л.Й. Межиловська, І.В. Горічок // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 2. — С. 91-95. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Вперше, використовуючи метод термодинамічних потенціалів та кристалохімічний формалізм, визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій дефектоутворення та величину диспропорціонування зарядових станів катіонних вакансій та міжвузлового плюмбуму в кристалах плюмбум телуриду при їх двотемпературному відпалі. Розраховано залежності концентрації домінуючих точкових дефектів та холлівської концентрації носіїв струму від технологічних факторів, встановлено умови реалізації термодинамічного n-p-переходу. Впервые, используя метод термодинамических потенциалов и кристаллохимический формализм, определены константы равновесия квазихимических реакций дефектообразования и величина диспропорционирования зарядовых состояний катионных вакансий и междоузельного свинца в кристаллах теллурида свинца при их двухтемпературном отжиге. Рассчитаны зависимости концентрации доминирующих точечных дефектов и холловской концентрации носителей тока от технологических факторов, определены условия реализации термодинамического n-p-перехода. First using the method of thermodynamic potentials and crystallochemical formalism equilibrium constants of quasichemical reactions and the size of disproportionation of charge states of cationic vacancies and interstitial lead in lead telluride crystals at their two-temperature annealing are determined. Concentration dependences of dominant point defects and Hall concentration of current carriers subject to technological factors are calculated; conditions of thermodynamic n-p-conversion are determined.