Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает,...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186259 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862722905180209152 |
|---|---|
| author | Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. |
| author_facet | Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. |
| citation_txt | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Украинский химический журнал |
| description | Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей.
Методом хімічного осадження з газової фази стимульованого низькотемпературною плазмою β-дикетонату індію отримані покриття оксиду індію на скляних і кремнієвих підкладках. Аналіз методами скануючої електронної мікроскопії та електронної мікроскопії високої роздільної здатності показує, що в результаті цього утворюються регулярні наноострівні структури, морфологія і просторове розміщення яких визначає температурну залежність електропровідності та оптичного пропускання. Вивчено залежності електрофізичних і оптичних властивостей від умов осадження.
The method of chemical vapor deposition stimulated by low-temperature plasma β-diketonates of indium obtained indium oxide coating on glass and silicon substrates. Analysis of scanning electron microscopy and electron microscopy, high resolution shows that as a result of the formation of regular nano-island structure, morphology and spatial distribution of which determines the temperature dependence of electrical conductivity and optical transmission. We study the dependence of the electrical and optical properties of the deposition conditions. The promising applications of thin films and nano-island structures of indium oxide for modern nanotechnology purposes are signified.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:38:25Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-186259 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0041–6045 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:38:25Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. 2022-11-10T19:30:44Z 2022-11-10T19:30:44Z 2011 Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186259 541.49+544.72 Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей. Методом хімічного осадження з газової фази стимульованого низькотемпературною плазмою β-дикетонату індію отримані покриття оксиду індію на скляних і кремнієвих підкладках. Аналіз методами скануючої електронної мікроскопії та електронної мікроскопії високої роздільної здатності показує, що в результаті цього утворюються регулярні наноострівні структури, морфологія і просторове розміщення яких визначає температурну залежність електропровідності та оптичного пропускання. Вивчено залежності електрофізичних і оптичних властивостей від умов осадження. The method of chemical vapor deposition stimulated by low-temperature plasma β-diketonates of indium obtained indium oxide coating on glass and silicon substrates. Analysis of scanning electron microscopy and electron microscopy, high resolution shows that as a result of the formation of regular nano-island structure, morphology and spatial distribution of which determines the temperature dependence of electrical conductivity and optical transmission. We study the dependence of the electrical and optical properties of the deposition conditions. The promising applications of thin films and nano-island structures of indium oxide for modern nanotechnology purposes are signified. ru Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения Плазмохімічний синтез, структура тонких плівок оксиду індію і залежність їх електрофізичних і оптичних властивостей від режимів осадження Plasma-chemical synthesis, structure of indium oxide thin films and the dependence of its electrophysical and optical properties from the deposition option Article published earlier |
| spellingShingle | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. Неорганическая и физическая химия |
| title | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
| title_alt | Плазмохімічний синтез, структура тонких плівок оксиду індію і залежність їх електрофізичних і оптичних властивостей від режимів осадження Plasma-chemical synthesis, structure of indium oxide thin films and the dependence of its electrophysical and optical properties from the deposition option |
| title_full | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
| title_fullStr | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
| title_full_unstemmed | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
| title_short | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
| title_sort | плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
| topic | Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet | Неорганическая и физическая химия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186259 |
| work_keys_str_mv | AT gerasimčukai plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ AT železnovali plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ AT mazurenkoea plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ AT murafan plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ AT rogovcovaa plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ AT šubrtâ plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ AT gerasimčukai plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ AT železnovali plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ AT mazurenkoea plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ AT murafan plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ AT rogovcovaa plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ AT šubrtâ plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ AT gerasimčukai plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption AT železnovali plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption AT mazurenkoea plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption AT murafan plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption AT rogovcovaa plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption AT šubrtâ plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption |