Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения

Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения

Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает,...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Украинский химический журнал
Date:2011
Main Authors: Герасимчук, А.И., Железнова, Л.И., Мазуренко, Е.А., Мурафа, Н., Роговцов, А.А., Шубрт, Я.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2011
Subjects:
Неорганическая и физическая химия
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186259
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-186259
record_format dspace
spelling Герасимчук, А.И.
Железнова, Л.И.
Мазуренко, Е.А.
Мурафа, Н.
Роговцов, А.А.
Шубрт, Я.
2022-11-10T19:30:44Z
2022-11-10T19:30:44Z
2011
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
0041–6045
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186259
541.49+544.72
Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей.
Методом хімічного осадження з газової фази стимульованого низькотемпературною плазмою β-дикетонату індію отримані покриття оксиду індію на скляних і кремнієвих підкладках. Аналіз методами скануючої електронної мікроскопії та електронної мікроскопії високої роздільної здатності показує, що в результаті цього утворюються регулярні наноострівні структури, морфологія і просторове розміщення яких визначає температурну залежність електропровідності та оптичного пропускання. Вивчено залежності електрофізичних і оптичних властивостей від умов осадження.
The method of chemical vapor deposition stimulated by low-temperature plasma β-diketonates of indium obtained indium oxide coating on glass and silicon substrates. Analysis of scanning electron microscopy and electron microscopy, high resolution shows that as a result of the formation of regular nano-island structure, morphology and spatial distribution of which determines the temperature dependence of electrical conductivity and optical transmission. We study the dependence of the electrical and optical properties of the deposition conditions. The promising applications of thin films and nano-island structures of indium oxide for modern nanotechnology purposes are signified.
ru
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
Украинский химический журнал
Неорганическая и физическая химия
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
Плазмохімічний синтез, структура тонких плівок оксиду індію і залежність їх електрофізичних і оптичних властивостей від режимів осадження
Plasma-chemical synthesis, structure of indium oxide thin films and the dependence of its electrophysical and optical properties from the deposition option
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
spellingShingle Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
Герасимчук, А.И.
Железнова, Л.И.
Мазуренко, Е.А.
Мурафа, Н.
Роговцов, А.А.
Шубрт, Я.
Неорганическая и физическая химия
title_short Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
title_full Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
title_fullStr Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
title_full_unstemmed Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
title_sort плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
author Герасимчук, А.И.
Железнова, Л.И.
Мазуренко, Е.А.
Мурафа, Н.
Роговцов, А.А.
Шубрт, Я.
author_facet Герасимчук, А.И.
Железнова, Л.И.
Мазуренко, Е.А.
Мурафа, Н.
Роговцов, А.А.
Шубрт, Я.
topic Неорганическая и физическая химия
topic_facet Неорганическая и физическая химия
publishDate 2011
language Russian
container_title Украинский химический журнал
publisher Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
format Article
title_alt Плазмохімічний синтез, структура тонких плівок оксиду індію і залежність їх електрофізичних і оптичних властивостей від режимів осадження
Plasma-chemical synthesis, structure of indium oxide thin films and the dependence of its electrophysical and optical properties from the deposition option
description Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей. Методом хімічного осадження з газової фази стимульованого низькотемпературною плазмою β-дикетонату індію отримані покриття оксиду індію на скляних і кремнієвих підкладках. Аналіз методами скануючої електронної мікроскопії та електронної мікроскопії високої роздільної здатності показує, що в результаті цього утворюються регулярні наноострівні структури, морфологія і просторове розміщення яких визначає температурну залежність електропровідності та оптичного пропускання. Вивчено залежності електрофізичних і оптичних властивостей від умов осадження. The method of chemical vapor deposition stimulated by low-temperature plasma β-diketonates of indium obtained indium oxide coating on glass and silicon substrates. Analysis of scanning electron microscopy and electron microscopy, high resolution shows that as a result of the formation of regular nano-island structure, morphology and spatial distribution of which determines the temperature dependence of electrical conductivity and optical transmission. We study the dependence of the electrical and optical properties of the deposition conditions. The promising applications of thin films and nano-island structures of indium oxide for modern nanotechnology purposes are signified.
issn 0041–6045
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/186259
citation_txt Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT gerasimčukai plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ
AT železnovali plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ
AT mazurenkoea plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ
AT murafan plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ
AT rogovcovaa plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ
AT šubrtâ plazmohimičeskiisintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvoistvotrežimovosaždeniâ
AT gerasimčukai plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ
AT železnovali plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ
AT mazurenkoea plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ
AT murafan plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ
AT rogovcovaa plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ
AT šubrtâ plazmohímíčniisintezstrukturatonkihplívokoksiduíndíûízaležnístʹíhelektrofízičnihíoptičnihvlastivosteivídrežimívosadžennâ
AT gerasimčukai plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption
AT železnovali plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption
AT mazurenkoea plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption
AT murafan plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption
AT rogovcovaa plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption
AT šubrtâ plasmachemicalsynthesisstructureofindiumoxidethinfilmsandthedependenceofitselectrophysicalandopticalpropertiesfromthedepositionoption
first_indexed 2025-12-07T18:38:25Z
last_indexed 2025-12-07T18:38:25Z
_version_ 1850875791484649472

Similar Items