Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик
Запропоновано метод локалізації несправних підсхем електронних пристроїв, який ґрунтується на принципі декомпозиції. Показано, що шляхом перевірки певним чином сформованих гіпотез відносно стану складових частин електронних пристроїв (суть аналізу їх характеристик), можна виділити несправну підсхему...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2008
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/18685 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик / С.А. Положаенко, А.А. Верлань, И.Х. Осман // Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Технічні науки: зб. наук. пр. — Кам’янець-Подільський: Кам'янець-Подільськ. нац. ун-т, 2008. — Вип. 1. — С. 140-144. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860235979418238976 |
|---|---|
| author | Положаенко, С.А. Верлань, А.А. Осман, И.Х. |
| author_facet | Положаенко, С.А. Верлань, А.А. Осман, И.Х. |
| citation_txt | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик / С.А. Положаенко, А.А. Верлань, И.Х. Осман // Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Технічні науки: зб. наук. пр. — Кам’янець-Подільський: Кам'янець-Подільськ. нац. ун-т, 2008. — Вип. 1. — С. 140-144. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки |
| description | Запропоновано метод локалізації несправних підсхем електронних пристроїв, який ґрунтується на принципі декомпозиції. Показано, що шляхом перевірки певним чином сформованих гіпотез відносно стану складових частин електронних пристроїв (суть аналізу їх характеристик), можна виділити несправну підсхему. Доведено ефективність методів локалізації при діагностиці електронних пристроїв.
The method of localization of defective subsystems of electronic devices, which, is offered it is founded on principle of decomposition. It is shown, that by verification definitely of the formed hypotheses in relation to being of component parts of electronic devices (essence of analysis of their descriptions), and it is possible to select defective of subsystem. Efficiency of methods of localization is led to at diagnostics of electronic devices.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:23:52Z |
| format | Article |
| fulltext |
Математичне та комп’ютерне моделювання
140
УДК 621.36.2
С. А. Положаенко1, А. А. Верлань2, И. Х. Осман1
1Одесский национальный политехнический университет
2Институт проблем моделирования в энергетике
НАН Украины, г. Киев
ЛОКАЛИЗАЦИЯ НЕИСПРАВНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ
ПОДСХЕМ МЕТОДОМ ОБУЧАЮЩИХ
И ПРОВЕРОЧНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
Запропоновано метод локалізації несправних підсхем елек-
тронних пристроїв, який ґрунтується на принципі декомпози-
ції. Показано, що шляхом перевірки певним чином сформова-
них гіпотез відносно стану складових частин електронних
пристроїв (суть аналізу їх характеристик), можна виділити не-
справну підсхему. Доведено ефективність методів локалізації
при діагностиці електронних пристроїв.
Ключові слова: діагностика, локалізація несправних під-
схем, принцип декомпозиції.
Диагностирование работоспособного состояния электронных
устройств (ЭУ) различного назначения представляет собой важную
техническую задачу. В постановочном плане и в процессе реализации
данная задача существенно осложняется необходимостью получения
оценок диагностирования непосредственно в ходе рабочего цикла
электронного устройства. Особенно актуально указанный аспект ре-
шения задачи диагностики стоит для устройств, которые не могут
быть выведены из эксплуатации. Например, это относится к элемен-
там аварийной сигнализации, нерезервированным компонентам дис-
петчерского управления, а также устройствам, работающим в авто-
номном режиме.
Известные к настоящему времени методы функционального и
тестового диагностирования электронных устройств [1, 2] характери-
зуются рядом существенных недостатков. Так, методы функциональ-
ного диагностирования ограничены возможностью проведения диаг-
ностического эксперимента (например, формирование на входе под-
схемы произвольного тестового сигнала), что существенно снижает
эффективность диагностирования. Методы тестового диагностирова-
ния, в свою очередь, требуют выведения из эксплуатации электрон-
ного устройства, что не позволяет использовать данные методы непо-
средственно в ходе рабочего цикла. Отмеченные недостатки обу-
словливают необходимость разработки методов диагностирования,
обеспечивающих, с одной стороны – максимальную полноту полу-
чаемой оценки диагностирования, а с другой стороны – проведение
диагностического эксперимента непосредственно в процессе экс-
плуатации электронного устройства.
© С. А. Положаенко, А. А. Верлань, И. Х. Осман, 2008
Серія: Технічні науки. Випуск 1
141
Рассмотрим метод локализации неисправных электронных под-
схем, основанный на анализе их обучающих и проверочных характе-
ристик (метод ОПХ) и, который, по существу, можно отнести к мето-
дам декомпозиции. Суть метода ОПХ состоит в том, что поиск неис-
правной электронной подсхемы Si ( Ni ,1= , где N – общее число ло-
кализованных подсхем) сводится к поочередному рассмотрению ги-
потез Hi о неисправности. При этом если какая-либо гипотеза Hi при-
нимается, то подсхема Si считается неисправной.
В качестве подсхем в ЭУ выделяются только такие, для которых
возможна проверка априорно принятых гипотез Hi. Выделенная под-
схема представляет собой многополюсник, имеющий m + 1 внешних
(полюсных) узлов. Для описания подсхем необходимо иметь m неза-
висимых уравнений относительно 2m переменных [3], однозначно
описывающих его состояние
( )
( )
=
=
.0...,,
,0...,,
21
211
mm
m
xx
xx
ϕ
ϕ
M (1)
Переменными x1, …, x2m являются токи, потребляемые подсхе-
мой через полюсные узлы и напряжения между ее полюсами. При
этом можно образовать различные системы из этих переменных, сре-
ди которых традиционными являются системы полюсных величин
(рис. 1а) и величин сторон многополюсника (рис. 1б).
Для описания многополюсников можно использовать и другие
системы независимых величин. В этом случае вводится понятие
“обобщённой стороны” многополюсника, определяемой в виде про-
извольной пары его полюсов. Данной паре соответствует напряже-
ние, равное разности потенциалов полюсов и контурный ток. Для
определения системы независимых величин в графе, полученном в
результате представления каждой обобщенной стороны отрезком,
выбирают дерево. Bсeгo для m + 1-полюсника можно достроить
(m + 1)m – 1 систем 2m независимых величин.
а) б)
Рис. 1
Математичне та комп’ютерне моделювання
142
Если разбить 2m независимых переменных на две группы по m
переменных и разрешить, при возможности, систему (1) относитель-
но одной из групп, то многополюсник можно описать системой урав-
нений вида [3].
( )
( )
( )
=
=
=
....,,,
...
,...,,,
,...,,,
21
2122
2111
mmm
m
m
xxxfy
xxxfy
xxxfy
(2)
В случае, если представление вида (2) возможно, то вектор
[ ]Tmxxx ...,,1= (T – знак транспонирования) можно рассматривать
как вход подсхемы, а вектор [ ]Tmyyy ...,,1= – как выход подсхемы. В
зависимости от вида уравнений системы (2) многополюсники разде-
ляют на линейные и нелинейные.
Для любого линейного многополюсника с постоянными пара-
метрами систему уравнений (1) можно представить в виде
,CАx = (3)
где )( pxx = – m2 -мерный вектор изображений по Лапласу незави-
симых переменных, )(рСС = – m-мерный вектор, соответствующий
изображениям по Лапласу источников энергии, принадлежащих под-
схеме, A – квадратная матрица размерности mm 22 × , элементами
которой являются постоянные величины или дробно-рациональные
функции от оператора p.
В зависимости от выбранной системы независимых переменных
вектор x можно разбить на части
[ ]TUIx M= , (4)
где )(),( рUUрII == – изображения по Лапласу токов и напряже-
ний, вошедших в выбранную систему переменных.
В соответствии с (4) систему (3) можно представить в виде
[ ] С
U
INM =
M ,
откуда
CNUMI =+ . (5)
Уравнение (5) при ряде допущений позволяет получить другие
формы уравнений многополюсника. Так, в частности, если существу-
ет 1−M , то
,11 СMNUMI −− +−=
или, обозначив
Серія: Технічні науки. Випуск 1
143
,
;
1
1
JСM
YNM
=
=−
−
−
получим
.JYUI += (6)
Если существует 1−N , то
СNMINU 11 −− +−=
или, обозначив
,
;
1
1
EСN
ZMN
=
=−
−
−
получим
.EZIU += (7)
Уравнения (6) и (7) говорят о том, что как вектор токов, так и
вектор напряжений можно выбирать в качестве входных или выход-
ных сигналов для линейных подсхем. Кроме того, разбивая векторы
[ ]
[ ] ,
;
21
21
T
T
UUU
III
M
M
=
=
и обозначив
[ ]
[ ] ,
;
212
211
T
T
IU
UI
M
M
=
=
ξ
ξ
можно получить гибридное уравнение для многополюсника
dD += 21 ξξ (8)
т.е. входные и выходные векторы можно формировать из различных
независимых переменных (в (8) D и d – некоторые числовые константы).
Для нелинейных подсхем будем считать, что существует систе-
ма уравнений вида (2). Необходимым условием для существования
системы уравнений (2) является отсутствие в рассматриваемой под-
схеме источников тока и напряжения, управляемых токами или на-
пряжениями ветвей цепи, не входящими в данный многополюсник.
Таким образом, при использовании метода ОПХ для проверки
гипотезы Hi, в зависимости от того, какое представление выбрано для
подсхемы Si, необходимо определить оценку выходного сигнала
m + 1 полюсника. Эта оценка сводится к набору из m независимых
переменных, представляющих собой напряжения между полюсами
подсхемы и токи, потребляемые подсхемой через полюсные узлы.
Список использованной литературы:
1. Мозгалевский А. В., Калявин В. П., Костанди Г. Г. Диагностирование
электронных схем. – Л.: Судостроение, 1984. – 224 с.
Математичне та комп’ютерне моделювання
144
2. Киншт Н. В., Герасимова Г. Н., Кац М. А. Диагностика электрических
цепей. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 192 с.
3. Влах И., Сингхал К. Машинные методы анализа и проектирования элек-
тронных схем. – М.: Радио и связь, 1988. – 560 с.
The method of localization of defective subsystems of electronic devices,
which, is offered it is founded on principle of decomposition. It is shown,
that by verification definitely of the formed hypotheses in relation to being of
component parts of electronic devices (essence of analysis of their descrip-
tions), and it is possible to select defective of subsystem. Efficiency of meth-
ods of localization is led to at diagnostics of electronic devices.
Key words: diagnostics, localization of defective subsystem, principle
of decomposition.
Отримано: 05.06.2008
УДК 621.771.06
А. А. Пушкин, А. В. Тимошенко
Донбасская государственная машиностроительная академия,
г. Краматорск
КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ
ДВУХМАССОВОЙ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ
СИСТЕМЫ ПРОКАТНОГО СТАНА
В работе производится исследование электромеханическо-
го взаимодействия электрической и механической подсистем в
составе духмассовой электромеханической системы прокатно-
го стана на основе компьютерного моделирования в пакетах
прикладных программ MathCAD и MATLAB Simulink.
Ключевые слова: электромеханическая система, демп-
фирование, упругие связи, математическое моделирование,
переходные процессы.
Введение. Преодоление кризисных явлений в экономике Украи-
ны сопровождаются ограничением энергетических и материальных
ресурсов, увеличением количества потребления энергии, усложнени-
ем требований технологических процессов, в связи с этим возникла
необходимость более полного учета взаимодействия электропривода
с приводными механизмами, которые содержат упругие связи.
На сегодня, наиболее перспективным и рациональным способом
подавления упругих колебаний является электротехнический, так как
он прост в осуществлении, легко может использоваться для автома-
тизации любой электромеханической системы [1-2].
Постановка задачи исследования. Целью работы является ис-
следование электромеханического взаимодействия парциальных
© А. А. Пушкин, А. В. Тимошенко, 2008
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-18685 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | XXXX-0060 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:23:52Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Положаенко, С.А. Верлань, А.А. Осман, И.Х. 2011-04-07T19:06:50Z 2011-04-07T19:06:50Z 2008 Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик / С.А. Положаенко, А.А. Верлань, И.Х. Осман // Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Технічні науки: зб. наук. пр. — Кам’янець-Подільський: Кам'янець-Подільськ. нац. ун-т, 2008. — Вип. 1. — С. 140-144. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. XXXX-0060 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/18685 621.36.2 Запропоновано метод локалізації несправних підсхем електронних пристроїв, який ґрунтується на принципі декомпозиції. Показано, що шляхом перевірки певним чином сформованих гіпотез відносно стану складових частин електронних пристроїв (суть аналізу їх характеристик), можна виділити несправну підсхему. Доведено ефективність методів локалізації при діагностиці електронних пристроїв. The method of localization of defective subsystems of electronic devices, which, is offered it is founded on principle of decomposition. It is shown, that by verification definitely of the formed hypotheses in relation to being of component parts of electronic devices (essence of analysis of their descriptions), and it is possible to select defective of subsystem. Efficiency of methods of localization is led to at diagnostics of electronic devices. ru Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України Математичне та комп'ютерне моделювання. Серія: Фізико-математичні науки Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик Article published earlier |
| spellingShingle | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик Положаенко, С.А. Верлань, А.А. Осман, И.Х. |
| title | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик |
| title_full | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик |
| title_fullStr | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик |
| title_full_unstemmed | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик |
| title_short | Локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик |
| title_sort | локализация неисправных электронных подсхем методом обучающих и проверочных характеристик |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/18685 |
| work_keys_str_mv | AT položaenkosa lokalizaciâneispravnyhélektronnyhpodshemmetodomobučaûŝihiproveročnyhharakteristik AT verlanʹaa lokalizaciâneispravnyhélektronnyhpodshemmetodomobučaûŝihiproveročnyhharakteristik AT osmanih lokalizaciâneispravnyhélektronnyhpodshemmetodomobučaûŝihiproveročnyhharakteristik |