Електронна структура поверхні нанокристалічного дисульфіду вольфраму
Електронна структура поверхнi нанокристалiчних зразкiв 2H-WS2 з рiзним середнiм розмiром анiзотропних наночастинок була дослiджена методом РФС пiсля вiдпалу при 293–1073 К. Згiдно з даними РФС, поверхня наночастинок 2H-WS2 є нестехiометричною i вiдповiдає фазi WSx, де x = 1,4–1,5. Для найменших нано...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/18713 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Електронна структура поверхні нанокристалічного дисульфіду вольфраму / А.П. Шпак, О.М. Кордубан, Л.М. Кулiков, Т.В. Крищук, Н.Б. Кьонiг, В.О. Кандиба // Доп. НАН України. — 2009. — № 9. — С. 87-91. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Електронна структура поверхнi нанокристалiчних зразкiв 2H-WS2 з рiзним середнiм розмiром анiзотропних наночастинок була дослiджена методом РФС пiсля вiдпалу при 293–1073 К. Згiдно з даними РФС, поверхня наночастинок 2H-WS2 є нестехiометричною i вiдповiдає фазi WSx, де x = 1,4–1,5. Для найменших наночастинок 2H-WS2 з d[013] = 3,8(3) нм; d[110] = 17(1) нм зафiксовано вплив на стан поверхнi розмiрного фактора.
The electronic structure of the surface of nanocrystalline samples 2H-WS2 with different mean sizes of anisotropic nanoparticles is studied by the XPS method after annealing at 293–1073 K. According to the XPS data, the surface of 2H-WS2 nanoparticles is nonstoichiometric and corresponds to the WSx phase, where x = 1.4–1.5. For the least 2H-WS2 nanoparticles with d[013] = 3.8(3) nm and d[110] = 17(1) nm, the influence of the size factor on the surface state is fixed.
|
|---|---|
| ISSN: | 1025-6415 |