Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C
Ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Tm—Fe—Si побудовано при 800 °С методами рентгенівського фазового та структурного аналізів. Встановлено, що бінарна сполука Tm₂Fe₁₇ зі структурою типу Th₂Ni₁₇ характеризується областю гомогенності 10.5—12.5 % ат. Tm. Часткове заміщення пар атомів...
Saved in:
| Published in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187301 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C / О.І. Бардін, М. Дашкевич, Б.Д. Белан, М.Б. Маняко, Л.Б. Коваль, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 7. — С. 7-15. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-187301 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Бардін, О.І. Дашкевич, М. Белан, Б.Д. Маняко, М.Б. Коваль, Л.Б. Гладишевський, Р.Є. 2022-12-18T15:56:55Z 2022-12-18T15:56:55Z 2011 Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C / О.І. Бардін, М. Дашкевич, Б.Д. Белан, М.Б. Маняко, Л.Б. Коваль, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 7. — С. 7-15. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187301 546.28.72.667:548.3 Ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Tm—Fe—Si побудовано при 800 °С методами рентгенівського фазового та структурного аналізів. Встановлено, що бінарна сполука Tm₂Fe₁₇ зі структурою типу Th₂Ni₁₇ характеризується областю гомогенності 10.5—12.5 % ат. Tm. Часткове заміщення пар атомів Fe₂ атомами Tm приводить до збільшення параметру а елементарної комірки та зменшення параметру с. Визначено, що розчинність Si в сполуці Tm₂Fe₁₇ становить 15 % ат. вздовж ізоконцентрати 10.5 % ат. Tm. Межі твердих розчинів на основі інших бінарних сполук систем Tm—Fe та Tm—Si не перевищують 5 % ат. Вісім тернарних сполук утворюються у системі Tm—Fe—Si при 800 °С. Кристалічну структуру сполуки TmFe₄Si₂ (тип ZrFe₄Si₂) визначено рентгенівським методом порошку, а структуру сполук TmFe₀.₅₇₍₃₎₋₀.₄₇₍₅₎Si₂ (тип CeNiSi₂) і Tm₂FeSi₂ (тип Sc₂CoSi₂) — методом монокристалу. Изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системи Tm—Fe—Si построено при 800 °С методами рентгеновского фазового и структурного анализов. Установлено, что соединение Tm₂Fe₁₇ со структурой типа Th₂Ni₁₇ характеризуется областью гомогенности 10.5—12.5 % ат. Tm. Частичное замещение паратомов Fe₂ атомами Tm приводит к увеличению параметра а элементарной ячейки и уменьшению параметра с. Установлено, что растворимость Si в соединении Tm₂Fe₁₇ составляет 15 % ат. вдоль изоконцентраты 10.5 % ат. Tm. Границы твердых растворов на основе других соединений систем Tm—Fe и Tm—Si не превышают 5 % ат. Восемь трoйных соединений образуются в системе Tm—Fe—Si при 800 °С. Кристаллическая структура соединения TmFe₄Si₂ (тип ZrFe₄Si₂) определена рентгеновским методом порошка, а структура соединений TmFe₀.₅₇₍₃₎₋₀.₄₇₍₅₎Si₂ (тип CeNiSi₂) и Tm₂FeSi₂ (тип Sc₂CoSi₂) — методом монокристалла. The isothermal section of the phase diagram of the ternary system Tm—Fe—Si was constructed by means of X-ray phase and structural analysis at 800 °C. It was established that the binary compound Th₂Fe₁₇ with a Th₂Ni₁₇-type structure is characterized by a homogeneity range 10.5—12.5% at. Tm. Partial replacement of Fe₂ dumb-bells by Tm atoms leads to the increase of the cell parameter a and decrease of the parameter c. It was determined that the solubility of Si in the compound Tm₂Fe₁₇ is up to 15 % at. along the line 10.5 % at. Tm. The ranges of solid solutions based on other compounds of the Tm—Fe and Tm—Si systems do not exceed 5 % at. Eight ternary compounds are formed in the system Tm—Fe—Si at 800 °C. The crystal structure of the compound TmFe₄Si₂ (type ZrFe₄Si₂) was determined by means of X-ray powder diffraction, whereas the structures of TmFe₀.₅₇₍₃₎₋₀.₄₇₍₅₎Si₂ (type CeNiSi₂) and Tm2FeSi₂ (type Sc₂CoSi₂) were determined from X-ray single-crystal diffraction data. uk Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C Взаимодействие компонентов в системе Tm—Fe—Si при 800 °C Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C |
| spellingShingle |
Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C Бардін, О.І. Дашкевич, М. Белан, Б.Д. Маняко, М.Б. Коваль, Л.Б. Гладишевський, Р.Є. Неорганическая и физическая химия |
| title_short |
Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C |
| title_full |
Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C |
| title_fullStr |
Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C |
| title_full_unstemmed |
Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C |
| title_sort |
взаємодія компонентів у системі tm—fe—si при 800 °c |
| author |
Бардін, О.І. Дашкевич, М. Белан, Б.Д. Маняко, М.Б. Коваль, Л.Б. Гладишевський, Р.Є. |
| author_facet |
Бардін, О.І. Дашкевич, М. Белан, Б.Д. Маняко, М.Б. Коваль, Л.Б. Гладишевський, Р.Є. |
| topic |
Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
| publishDate |
2011 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Украинский химический журнал |
| publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Взаимодействие компонентов в системе Tm—Fe—Si при 800 °C |
| description |
Ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Tm—Fe—Si побудовано при 800 °С методами рентгенівського фазового та структурного аналізів. Встановлено, що бінарна сполука Tm₂Fe₁₇ зі структурою типу Th₂Ni₁₇ характеризується областю гомогенності 10.5—12.5 % ат. Tm. Часткове заміщення пар атомів Fe₂ атомами Tm приводить до збільшення параметру а елементарної комірки та зменшення параметру с. Визначено, що розчинність Si в сполуці Tm₂Fe₁₇ становить 15 % ат. вздовж ізоконцентрати 10.5 % ат. Tm. Межі твердих розчинів на основі інших бінарних сполук систем Tm—Fe та Tm—Si не перевищують 5 % ат. Вісім тернарних сполук утворюються у системі Tm—Fe—Si при 800 °С. Кристалічну структуру сполуки TmFe₄Si₂ (тип ZrFe₄Si₂) визначено рентгенівським методом порошку, а структуру сполук TmFe₀.₅₇₍₃₎₋₀.₄₇₍₅₎Si₂ (тип CeNiSi₂) і Tm₂FeSi₂ (тип Sc₂CoSi₂) — методом монокристалу.
Изотермическое сечение диаграммы состояния тройной системи Tm—Fe—Si построено при 800 °С методами рентгеновского фазового и структурного анализов. Установлено, что соединение Tm₂Fe₁₇ со структурой типа Th₂Ni₁₇ характеризуется областью гомогенности 10.5—12.5 % ат. Tm. Частичное замещение паратомов Fe₂ атомами Tm приводит к увеличению параметра а элементарной ячейки и уменьшению параметра с. Установлено, что растворимость Si в соединении Tm₂Fe₁₇ составляет 15 % ат. вдоль изоконцентраты 10.5 % ат. Tm. Границы твердых растворов на основе других соединений систем Tm—Fe и Tm—Si не превышают 5 % ат. Восемь трoйных соединений образуются в системе Tm—Fe—Si при 800 °С. Кристаллическая структура соединения TmFe₄Si₂ (тип ZrFe₄Si₂) определена рентгеновским методом порошка, а структура соединений TmFe₀.₅₇₍₃₎₋₀.₄₇₍₅₎Si₂ (тип CeNiSi₂) и Tm₂FeSi₂ (тип Sc₂CoSi₂) — методом монокристалла.
The isothermal section of the phase diagram of the ternary system Tm—Fe—Si was constructed by means of X-ray phase and structural analysis at 800 °C. It was established that the binary compound Th₂Fe₁₇ with a Th₂Ni₁₇-type structure is characterized by a homogeneity range 10.5—12.5% at. Tm. Partial replacement of Fe₂ dumb-bells by Tm atoms leads to the increase of the cell parameter a and decrease of the parameter c. It was determined that the solubility of Si in the compound Tm₂Fe₁₇ is up to 15 % at. along the line 10.5 % at. Tm. The ranges of solid solutions based on other compounds of the Tm—Fe and Tm—Si systems do not exceed 5 % at. Eight ternary compounds are formed in the system Tm—Fe—Si at 800 °C. The crystal structure of the compound TmFe₄Si₂ (type ZrFe₄Si₂) was determined by means of X-ray powder diffraction, whereas the structures of TmFe₀.₅₇₍₃₎₋₀.₄₇₍₅₎Si₂ (type CeNiSi₂) and Tm2FeSi₂ (type Sc₂CoSi₂) were determined from X-ray single-crystal diffraction data.
|
| issn |
0041–6045 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187301 |
| citation_txt |
Взаємодія компонентів у системі Tm—Fe—Si при 800 °C / О.І. Бардін, М. Дашкевич, Б.Д. Белан, М.Б. Маняко, Л.Б. Коваль, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 7. — С. 7-15. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT bardínoí vzaêmodíâkomponentívusistemítmfesipri800c AT daškevičm vzaêmodíâkomponentívusistemítmfesipri800c AT belanbd vzaêmodíâkomponentívusistemítmfesipri800c AT manâkomb vzaêmodíâkomponentívusistemítmfesipri800c AT kovalʹlb vzaêmodíâkomponentívusistemítmfesipri800c AT gladiševsʹkiirê vzaêmodíâkomponentívusistemítmfesipri800c AT bardínoí vzaimodeistviekomponentovvsistemetmfesipri800c AT daškevičm vzaimodeistviekomponentovvsistemetmfesipri800c AT belanbd vzaimodeistviekomponentovvsistemetmfesipri800c AT manâkomb vzaimodeistviekomponentovvsistemetmfesipri800c AT kovalʹlb vzaimodeistviekomponentovvsistemetmfesipri800c AT gladiševsʹkiirê vzaimodeistviekomponentovvsistemetmfesipri800c |
| first_indexed |
2025-12-07T16:44:55Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:44:55Z |
| _version_ |
1850868651231543296 |