Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
Методом спрямованої кристалізації одержано полікристалічні зразки евтектичних складів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆, досліджено їх термоелектричні властивості. Получены массивные поликристаллические образцы эвтектических сплавов систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe...
Saved in:
| Published in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187407 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ / А.А. Козьма, Є.Ю. Переш, І.Є. Барчій, М.Ю. Сабов, В.В. Беца, В.В. Цигика // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 9. — С. 23-26. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-187407 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Козьма, А.А. Переш, Є.Ю. Барчій, І.Є. Сабов, М.Ю. Беца, В.В. Цигика, В.В. 2022-12-24T16:29:03Z 2022-12-24T16:29:03Z 2011 Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ / А.А. Козьма, Є.Ю. Переш, І.Є. Барчій, М.Ю. Сабов, В.В. Беца, В.В. Цигика // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 9. — С. 23-26. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187407 546.683.1’814’87’23:537.322 Методом спрямованої кристалізації одержано полікристалічні зразки евтектичних складів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆, досліджено їх термоелектричні властивості. Получены массивные поликристаллические образцы эвтектических сплавов систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄), Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆. The thermoelectric parameters of the TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄), Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ quasibinary systems eutectic alloys were investigated. uk Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ Термоэлектрические свойства эвтектических сплавов систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) и Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ Thermoelectric properties of the eutectic alloys in the TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) and Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ systems Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ |
| spellingShingle |
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ Козьма, А.А. Переш, Є.Ю. Барчій, І.Є. Сабов, М.Ю. Беца, В.В. Цигика, В.В. Неорганическая и физическая химия |
| title_short |
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ |
| title_full |
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ |
| title_fullStr |
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ |
| title_full_unstemmed |
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ |
| title_sort |
термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем tlbise₂—snse₂ (tl₂snse₃, tl₄snse₄) і tl₄snse₄—tl₉bise₆ |
| author |
Козьма, А.А. Переш, Є.Ю. Барчій, І.Є. Сабов, М.Ю. Беца, В.В. Цигика, В.В. |
| author_facet |
Козьма, А.А. Переш, Є.Ю. Барчій, І.Є. Сабов, М.Ю. Беца, В.В. Цигика, В.В. |
| topic |
Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
| publishDate |
2011 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Украинский химический журнал |
| publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Термоэлектрические свойства эвтектических сплавов систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) и Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ Thermoelectric properties of the eutectic alloys in the TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) and Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ systems |
| description |
Методом спрямованої кристалізації одержано полікристалічні зразки евтектичних складів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆, досліджено їх термоелектричні властивості.
Получены массивные поликристаллические образцы эвтектических сплавов систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄), Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆.
The thermoelectric parameters of the TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄), Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ quasibinary systems eutectic alloys were investigated.
|
| issn |
0041–6045 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187407 |
| citation_txt |
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆ / А.А. Козьма, Є.Ю. Переш, І.Є. Барчій, М.Ю. Сабов, В.В. Беца, В.В. Цигика // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 9. — С. 23-26. — Бібліогр.: 20 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT kozʹmaaa termoelektričnívlastivostíevtektičnihsplavívsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4ítl4snse4tl9bise6 AT perešêû termoelektričnívlastivostíevtektičnihsplavívsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4ítl4snse4tl9bise6 AT barčíiíê termoelektričnívlastivostíevtektičnihsplavívsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4ítl4snse4tl9bise6 AT sabovmû termoelektričnívlastivostíevtektičnihsplavívsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4ítl4snse4tl9bise6 AT becavv termoelektričnívlastivostíevtektičnihsplavívsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4ítl4snse4tl9bise6 AT cigikavv termoelektričnívlastivostíevtektičnihsplavívsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4ítl4snse4tl9bise6 AT kozʹmaaa termoélektričeskiesvoistvaévtektičeskihsplavovsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4itl4snse4tl9bise6 AT perešêû termoélektričeskiesvoistvaévtektičeskihsplavovsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4itl4snse4tl9bise6 AT barčíiíê termoélektričeskiesvoistvaévtektičeskihsplavovsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4itl4snse4tl9bise6 AT sabovmû termoélektričeskiesvoistvaévtektičeskihsplavovsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4itl4snse4tl9bise6 AT becavv termoélektričeskiesvoistvaévtektičeskihsplavovsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4itl4snse4tl9bise6 AT cigikavv termoélektričeskiesvoistvaévtektičeskihsplavovsistemtlbise2snse2tl2snse3tl4snse4itl4snse4tl9bise6 AT kozʹmaaa thermoelectricpropertiesoftheeutecticalloysinthetlbise2snse2tl2snse3tl4snse4andtl4snse4tl9bise6systems AT perešêû thermoelectricpropertiesoftheeutecticalloysinthetlbise2snse2tl2snse3tl4snse4andtl4snse4tl9bise6systems AT barčíiíê thermoelectricpropertiesoftheeutecticalloysinthetlbise2snse2tl2snse3tl4snse4andtl4snse4tl9bise6systems AT sabovmû thermoelectricpropertiesoftheeutecticalloysinthetlbise2snse2tl2snse3tl4snse4andtl4snse4tl9bise6systems AT becavv thermoelectricpropertiesoftheeutecticalloysinthetlbise2snse2tl2snse3tl4snse4andtl4snse4tl9bise6systems AT cigikavv thermoelectricpropertiesoftheeutecticalloysinthetlbise2snse2tl2snse3tl4snse4andtl4snse4tl9bise6systems |
| first_indexed |
2025-11-24T21:02:47Z |
| last_indexed |
2025-11-24T21:02:47Z |
| _version_ |
1850496583167115264 |
| fulltext |
кільцю, вказує на те, що при підвищенні концен-
трації срібла частина емеральдину витрачається
на його відновлення, одночасно переходячи в оки-
слену непровідну форму.
ВИСНОВКИ. Таким чином, в роботі запропо-
новано метод синтезу композиту поліанілін—
срібло методом наповнювальної поліконденсації.
Досліджено морфологію поверхні одержаних ком-
позитів. За допомогою гранулометричного ана-
лізу показано, що вона змінюється від полімерної
до металічної із зростанням вмісту срібла в ком-
позитах. Отримано FTIR-спектри композитів. По-
казано, що із зростанням вмісту срібла зростає
міжфазова взаємодія між компонентами, а також
можливість протікання реакції відновлення іонів
срібла поліаніліном.
РЕЗЮМЕ. Синтезирован композит анилина и сере-
бра по принципу наполнительной полимеризации. Пред-
ложен возможный механизм реакции. Структура полу-
ченных композитов исследована методами атомно-си-
ловой микроскопии и FTIR-спектроскопии. Показана
эволюция морфологии поверхности композита в зави-
симости от изменения содержания серебра в композите.
SUMMARY. The synthesis of the polyaniline-silver
composites was carried out according to the principle of fil-
ling polymerisation. A possible mechanism of reaction was
proposed. The structure of the composites was studied by
atomic force microscopy, and FTIR-spectroscopy. The de-
pending of surface morphology from the silver content
was investigated.
1. Stejskal J., T rchova M . // Synth Met. -2010. -160.
-P. 1479—1486.
2. Shengyu J., Shuanqx i X . // Mat. Lett. -2007. -61.
-P. 2794—2797.
3. Stejskal J., T rchova M ., Kovarova J. // Chem Pap.
-2008. -62. -P. 181—186.
4. Blinova V., Stejskal J. // Polymer. -2009. -50. -P. 50—56.
5. Решетняк О.В.,. Ковальчук Є.П, Пасічнюк Р.І. // Вісн.
Львів. ун-ту. Серія хім. -1997. -Вип. 37. -С. 3—7.
6. Миронов В.Л. Основы зондовой сканирующей
микроскопии. -Нижний Новгород: Институт физи-
ки микроструктур, 2004.
7. Nova. Программное обеспечение для СЗМ . Справоч-
ное руководство. Нанотехнологии-МДТ, 2009.
Львівський національний університет ім. Івана Франка Надійшла 16.02.2011
УДК 546.683.1’814’87’23:537.322
А.А. Козьма, Є.Ю. Переш, І.Є. Барчій, М.Ю. Сабов, В.В. Беца, В.В. Цигика
ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕВТЕКТИЧНИХ СПЛАВІВ
СИСТЕМ TlBiSe2—SnSe2 (Tl2SnSe3, Tl4SnSe4) I Tl4SnSe4—Tl9BiSe6
Методом спрямованої кристалізації одержано полікристалічні зразки евтектичних складів систем TlBiSe2
—SnSe2 (Tl2SnSe3, Tl4SnSe4) і Tl4SnSe4—Tl9BiSe6, досліджено їх термоелектричні властивості. Встановлено,
що сплави (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45 і (Tl4SnSe4)0.85(Tl9BiSe6)0.15 характеризуються високими значеннями кое-
фіцієнта термо-ЕРС та термоелектричної добротності.
Системи TlBiSe2—SnSe2 (Tl2SnSe3, Tl4SnSe4) і
Tl4SnSe4—Tl9BiSe6, які виступають в якості внут-
рішніх квазібінарних перерізів квазіпотрійної си-
стеми Tl2Se—SnSe2—Bi2Se3, відносяться до евтек-
тичного типу взаємодії. Координати евтектик:
55 % мол. SnSe2—45 % мол. TlBiSe2 (727 К),
85 % мол. Tl2SnSe3—15 % мол. TlBiSe2 (724 К),
80 % мол. Tl4SnSe4—20 % мол. TlBiSe2 (674 К),
85 % мол. Tl4SnSe4—15 % мол. Tl9BiSe6 (687 К) [1].
Евтектичні сплави систем, як і індивідуальні
сполуки, не змінюють свій склад у процесі крис-
талізації, але, складаючись з різних компонентів,
здатні володіти відмінними від вихідних речовин
властивостями, зокрема, вищою термоелектричною
ефективністю, завдяки меншій теплопровідності,
що зумовлено розсіюванням фононів на границі
поділу фаз [2]. Термоелектричні властивості вихі-
дних бінарних та тернарних сполук наведених си-
© А.А. Козьма, Є.Ю . Переш, І.Є. Барчій, М .Ю . Сабов, В.В. Беца, В.В. Цигика , 2011
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2011. Т. 77, № 9 23
стем досліджені авторами робіт [3—11].
Мета роботи полягала в одержанні методом
спрямованої кристалізації та дослідженні термоеле-
ктричних властивостей щільних зразків евтектич-
них сплавів внутрішніх квазібінарних перерізів
квазіпотрійної системи Tl2Se—SnSe2—Bi2Se3.
ЕКСПЕРИМЕНТ ТА ОБГОВОРЕННЯ РЕЗУЛЬТА-
ТІВ. Евтектичні сплави складів (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45
(I), (Tl2SnSe3)0.85(TlBiSe2)0.15 (II), (Tl4SnSe4)0.80-
(TlBiSe2)0.20 (III) і (Tl4SnSe4)0.85(Tl9BiSe6)0.15 (IV)
готували із попередньо синтезованих бінарних і
тернарних сполук. Умови синтезу підбирали на ос-
нові відповідних Т—х діаграм стану [1]. Шихту
витримували протягом 24 год при максимальній
температурі у вакуумованих до 0.13 Па кварцевих
ампулах. З метою одержання компактних зразків
розплави спрямовано кристалізували зі швидкіс-
тю 5 мм/доб. Із середніх частин злитків вирізали
циліндричні зразки діаметром 7—8 мм і довжи-
ною 10—12 мм. Термоелектричні властивості до-
сліджували методом Хармана в температурному
ін- тервалі 300—600 К [12].
Температурна залежність термоелектричної
добротності (Z ) та коефіцієнта термо-ЕРС (α)
досліджених евтектичних сплавів представлені
на рисунку. Встановлено, що евтектичні сплави
складу (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45 та (Tl4SnSe4)0.85 -
(Tl9BiSe6)0.15 характеризуються високими зна-
ченнями термоелектричної добротності (1.52⋅
10–3 та 1.45⋅10–3 К–1 відповідно). Максимальні
значення Z сплаву (Tl4SnSe4)0.80(TlBiSe2)0.20 не
перевищують 0.60⋅10–3 К–1. Для (Tl2SnSe3)0.85 -
(TlBiSe2)0.15 термоелектричну добротність не
вдалося зафіксувати у зв’язку з низькими значен-
нями у дослідженому температурному інтервалі
коефіцієнта термо-ЕРС (таблиця).
Виявлення закономірностей зміни термое-
лектричних властивостей досліджених евтекти-
чних сплавів ускладнене з декількох причин.
По-перше, дані щодо термоелектричних пара-
метрів бінарних і тернарних фаз, які формують
відповідні евтектичні сплави, суперечливі, оскі-
льки дослідження проводились за різних умов,
в різних температурних інтервалах, на зразках
різної природи (тонкі аморфні та полікристалічні
плівки, масивні моно- та полікристали). По-дру-
ге, на сьогодні у науковій літературі не встанов-
лено чітких кореляцій між властивостями евтек-
тичних сплавів та їх складових компонентів. Зо-
крема, дослідження коефіцієнта термо-ЕРС спла-
вів квазібінарних систем вказують на можли-
вість як його збільшення [13], так і зменшення для
евтектичних композицій.
Водночас термоелектрична добротність (Z ),
згідно із загальновідомим виразом
Z = α2σχ–1, (1)
визначається не тільки коефіцієнтом термо-ЕРС
(α), але і значеннями питомої електропровідності
(σ) та теплопровідності (χ) [14]. Тобто високу тер-
моелектричну ефективність забезпечують високі
значення електропровідності та коефіцієнта тер-
мо-ЕРС і низька теплопровідність. Необхідно за-
значити, що методика Хармана дозволяє безпо-
середньо розрахувати Z , не визначаючи тепло-
провідність.
Важливо відмітити, що для досліджених зраз-
ків електропровідність не перевищує відповідні
показники складових компонентів евтектичних су-
мішей (таблиця), що узгоджується з описаними в
Неорганическая и физическая химия
Температурна залежність термоелектричної добротності
(a) i коефіцієнта термо-ЕРС (б) евтектичних сплавів І, ІІІ, ІV.
24 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2011. Т. 77, № 9
літературі дослідженнями електропровідності
евтектичних композицій [15].
З огляду на сказане можна констатувати, що
невисока термоелектрична ефективність зразка ІІ
обумовлена низькими значеннями коефіцієнта тер-
мо-ЕРС. Вища ефективність сплаву IV, у порівнян-
ні з ІІІ, спричинена високими значеннями α, що
компенсує його дещо гіршу електропровідність. Ці-
кавим є те, що при практично рівних значеннях
термоелектричної добротності евтектичних компо-
зицій І і IV останній характеризується суттєво ни-
жчими значеннями електропровідності. Різниця у
значеннях α не пояснює цей факт, проте iмовір-
ною причиною служить нижча теплопровідність
зразка IV порівняно з І, що випливає з виразу (1).
Нижча теплопровідність евтектичних ком-
позицій порівняно з однофазними індивідуаль-
ними компонентами є закономірною, внаслідок
розсіювання фононів на міжфазних границях.
Однак ефективність цього розсіювання у зразка
IV вища, ніж у І, що може бути пов’язане з особ-
ливостями кристалічних структур складових ком-
понентів евтектичних сумішей SnSe2 і TlBiSe2,
Tl4SnSe4 і Tl9BiSe6.
Незважаючи на неізоструктурність SnSe2 (ПГ:
Р3m1, а =0.3811 нм; с =0.6137 нм; α=β=90o,
γ= 120o [16]) та TlBiSe2 (ПГ: R 3m, а = 0.4240 нм;
с =2.2330 нм; α=β=90o, γ=120o [17]), структура обох
характеризується найщільнішою упаковкою ато-
мів Se, в яких атоми металів займають половину
і всі октаедричні пустоти відповідно.
Водночас Tl4SnSe4 (ПГ: P21/c, a =0.8481 нм;
b = 0.8411 нм; c =1.5800 нм; α=γ=90o, β=102.4o
[18]) та Tl9BiSe6 (ПГ: I4/mcm, а =0.8490 нм; с =
=1.2630 нм; α=β=γ=90° [19]) характеризуються різ-
ними структурними мотивами. Кристалічна стру-
ктура Tl4SnSe4 складається з псевдотетрагональ-
них шарів {Tl4SnSe4}8, що лежать у площині XY і
складаються з ізольованих тетраедрів [SnSe4] та
атомів Tl. Структура Tl9BiSe6 сформована з’єдна-
ними вершинами октаедрів атомів Se, центри
однієї половини яких зайняті атомами Bi, а інших
— Tl. Атоми Tl, що не знаходяться в центрах ок-
таедрів, розташовуються над гранями октаедрів.
Таким чином, міжфазові границі евтектичної
композиції IV, на відміну від сплаву І, розділяють
фази з абсолютно різними структурними мотива-
ми, що спричиняє більшу ефективність при розсі-
юванні фононів, а відтак і нижчу теплопровід-
ність. Особливості кристалічної структури відпо-
відних бінарних і тернарних фаз обумовлюють
також особливості взаємодії у системах TlBiSe2—
SnSe2 та Tl4SnSe4—Tl9BiSe6, зокрема ширину об-
ластей граничних твердих розчинів. Так, у сис-
темі TlBiSe2—SnSe2 межі взаємної розчинності ви-
хідних компонентів більші, ніж у системі Tl4SnSe4
—Tl9BiSe6 [1].
Проведені дослідження показали, що сплави
(SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45 і (Tl4SnSe4)0.85(Tl9BiSe6)0.15
мають високу ефективність та можуть бути реко-
мендовані в якості робочих елементів термоелек-
тричних пристроїв [20].
РЕЗЮМЕ. Получены массивные поликристалли-
ческие образцы эвтектических сплавов систем TlBiSe2—
SnSe2 (Tl2SnSe3, Tl4SnSe4), Tl4SnSe4—Tl9BiSe6, исследо-
Термоелектричні показники евтектичних сплавів та індивідуальних сполук систем TlBiSe2—SnSe2 (Tl2SnSe3,
Tl4SnSe4) і Tl4SnSe4—Tl9BiSe6
Склад сполуки або евтектики αмакс, мкВ/K σ (295 К), См/м Z ⋅10–3, К–1
SnSe2 [3] 645 (600 К) 0.5 0.19⋅10–3 (300 К)
(SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45 (I) 625 (364 К)
–1330 (473 К)
1.9 1.52 (564 К)
TlBiSe2 –620 (525–570 К) [4] 103–105⋅[5–8] 0.60 (570 К) [4]
(Tl2SnSe3)0.85(TlBiSe2)0.15 (II) –60 (465 К) 1.3⋅10–3 —
Tl2SnSe3 –316 (380 К) [9] 0.3⋅10–4 [10] 0.3 (431–440 К) [9]
(Tl4SnSe4)0.80(TlBiSe2)0.20 (III) –1060 (564 К) 1.3⋅10–2 0.60 (540–590 К)
Tl4SnSe4 –97 (345 К) [9] 10–6 [10] 0.10 (425 К) [9]
(Tl4SnSe4)0.85(Tl9BiSe6)0.15 (IV) 2350 (540 К) 1.7⋅10–3 1.45 (540 К)
Tl9BiSe6 1630 (570 К) [4] 1.2⋅103 [11] 1.53 (590 К) [4]
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2011. Т. 77, № 9 25
ваны их термоэлектрические свойства. Установлено, что
сплавы (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45 и (Tl4SnSe4)0.85(Tl9BiSe6)0.15
характеризуются высокими значениями термоэлектри-
ческих параметров.
SUMMARY. The thermoelectric parameters of the
TlBiSe2—SnSe2 (Tl2SnSe3, Tl4SnSe4), Tl4SnSe4—Tl9BiSe6
quasibinary systems eutectic alloys were investigated. It
was found that the eutectic polycrystals (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45
and (Tl4SnSe4)0.85(Tl9BiSe6)0.15 show excellent thermoelec-
tric features.
1. Козьма А .А ., Переш Є.Ю ., Барчій І.Є., Цигика В.В.
// Укр. хім. журн. -2010. -76, № 4. -С. 80—84.
2. Леонов В.В., Спектор Ю.Е. // Изв. АН СССР. Неор-
ган. материалы. -1980. -16, № 8. -С. 1358—1360.
3. Насибов И .О., Султанов Т .И ., Рустамов П .Г.,
Алиджанов М .А . // Неорган. материалы. -1977.
-13, № 6. -С. 982—985.
4. Козьма А .А ., Барчій І.Є., Переш Є.Ю . та ін. //
Вісн. Ужгород. націон. ун-ту. Сер. Хімія. -2010.
-Вип. 23–24. -С. 22—25.
5. Войнова Л.Г., Базакуца В.А ., Дембовский С.А . и др.
// Изв. вузов. Физика. -1971. -14, № 5. -С. 154—155.
6. Гицу Д.В., Гринчешен Й .Н ., Попович Н .С., Чеба-
новский А .В. // Неорган. материалы. -1980. -16, №
6. -С. 1111—1112.
7. Гицу Д.В., Попович Н .С., Чебановский А .В. // Там
же. -1980. -16, № 6. -С. 988—990.
8. M itsas C.L ., S iapkas D.I., Polychroniadis E.K. et al.
// Phys. Stat. Sol. (a). -1993. -136. -P. 483—495.
9. Малаховська Т .О., Глух О.С, Сабов М .Ю . та ін.
// Укр. хим. журн. -2009. -75, № 5. -С. 25—27.
10. Лазарев В.Б., Переш Е.Ю ., Староста В.И ., Мудрый
В.В. // Журн. неорган. химии. -1985. -30, № 6. -С.
1502—1506.
11. W olfing B., Kloc C., Ramirez A ., Bucher E . // 18th
Int. Conf. on Thermoelectrics. -Baltimore, MD, USA,
08–09/02/1999. -P. 546—549.
12. Harman Т .С., Cahn J.H., Logan M .J . // J. Appl.
Phys. -1959. -30, № 9. -P. 1351—1359.
13. Лазарев В.Б., Беруль С.И ., Сомов А .В. Тройные
полупроводниковые соединения в системах AI–
BV–CVI. -М .: Наука, 1982. -С. 148.
14. Йоффе А .Ф. Полупроводниковые термоэлементы.
-М .-Л., 1956. -С. 105.
15. Сомов А .И ., Тихоновский М .А . Эвтектические
композиции. -М .: Металлургия. -1975. -С. 304.
16. Palosz B., Salje E . // J. Appl. Crystallography. -1989.
-22, № 6. -P. 622—623.
17. Ман Л.И ., Семилетов С.А . // Кристаллография.
-1962. -7, № 6. -С. 844—849.
18. Akinocho G., Houenou P., Oyetola S . et al. // J.
Solid State Chem. -1991. -93. -Р. 336—340.
19. Ворошилов Ю.В., Гурзан М .И., Киш З.З., Лада Л.В.
// Неорган. материалы. -1988. -24, № 6. -С. 1479—1484.
20. Пат. 53638 Україна МПК H 01 L 35/00. -Опубл.
11.10.10.; Бюл. №19.
Ужгородський національний університет Надійшла 28.12.2010
Неорганическая и физическая химия
26 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2011. Т. 77, № 9
|