Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму
Методом термодинамічних потенціалів проведено аналіз домінуючих точкових дефектів, а також рівноважної концентрації вільних носіїв заряду та ступеня відхилення від стехіометрії SnTe у залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу — температури відпалу Т та тиску пари халькогену PTe...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187561 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, І.В. Горічок // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 12. — С. 88-91. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Методом термодинамічних потенціалів проведено аналіз домінуючих точкових дефектів, а також рівноважної концентрації вільних носіїв заряду та ступеня відхилення від стехіометрії SnTe у залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу — температури відпалу Т та тиску пари халькогену PTe₂. Розраховано енергії утворення моновакансій металу і халькогену
Методом термодинамических потенциалов проведен анализ доминирующих точечных дефектов, а также равновесной концентрации свободных носителей заряда и степени отклонения от стехиометрии SnTe в зависимости от технологических факторов двухтемпературного отжига — температуры отжига Т и давления пара халькогена PTe₂. Рассчитаны энергии образования моновакансий металла и халькогена.
The method of thermodynamic potentials of the analysis of dominant point defects, as well as the equilibrium concentration of free charge carriers and the degree of deviation from stoichiometry in SnTe depending on technological factors two-temperature annealing — annealing temperature T and vapor pressure of chalcogen PTe₂. Calculated the formation energy of metal and chalcogen monovacancies.
|
|---|---|
| ISSN: | 0041–6045 |