Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму
Методом термодинамічних потенціалів проведено аналіз домінуючих точкових дефектів, а також рівноважної концентрації вільних носіїв заряду та ступеня відхилення від стехіометрії SnTe у залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу — температури відпалу Т та тиску пари халькогену PTe...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187561 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, І.В. Горічок // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 12. — С. 88-91. — Бібліогр.: 10 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Методом термодинамічних потенціалів проведено аналіз домінуючих точкових дефектів, а також рівноважної концентрації вільних носіїв заряду та ступеня відхилення від стехіометрії SnTe у залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу — температури відпалу Т та тиску пари халькогену PTe₂. Розраховано енергії утворення моновакансій металу і халькогену
Методом термодинамических потенциалов проведен анализ доминирующих точечных дефектов, а также равновесной концентрации свободных носителей заряда и степени отклонения от стехиометрии SnTe в зависимости от технологических факторов двухтемпературного отжига — температуры отжига Т и давления пара халькогена PTe₂. Рассчитаны энергии образования моновакансий металла и халькогена.
The method of thermodynamic potentials of the analysis of dominant point defects, as well as the equilibrium concentration of free charge carriers and the degree of deviation from stoichiometry in SnTe depending on technological factors two-temperature annealing — annealing temperature T and vapor pressure of chalcogen PTe₂. Calculated the formation energy of metal and chalcogen monovacancies.
|
|---|---|
| ISSN: | 0041–6045 |