Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму

Методом термодинамічних потенціалів проведено аналіз домінуючих точкових дефектів, а також рівноважної концентрації вільних носіїв заряду та ступеня відхилення від стехіометрії SnTe у залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу — температури відпалу Т та тиску пари халькогену PTe...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Украинский химический журнал
Date:2011
ISSN:0041–6045
Main Authors: Фреїк, Д.М., Прокопів, В.В., Горічок, І.В.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2011
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187561
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Термодинаміка власних точкових дефектів телуриду стануму / Д.М. Фреїк, В.В. Прокопів, І.В. Горічок // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 12. — С. 88-91. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Description
Summary:Методом термодинамічних потенціалів проведено аналіз домінуючих точкових дефектів, а також рівноважної концентрації вільних носіїв заряду та ступеня відхилення від стехіометрії SnTe у залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу — температури відпалу Т та тиску пари халькогену PTe₂. Розраховано енергії утворення моновакансій металу і халькогену Методом термодинамических потенциалов проведен анализ доминирующих точечных дефектов, а также равновесной концентрации свободных носителей заряда и степени отклонения от стехиометрии SnTe в зависимости от технологических факторов двухтемпературного отжига — температуры отжига Т и давления пара халькогена PTe₂. Рассчитаны энергии образования моновакансий металла и халькогена. The method of thermodynamic potentials of the analysis of dominant point defects, as well as the equilibrium concentration of free charge carriers and the degree of deviation from stoichiometry in SnTe depending on technological factors two-temperature annealing — annealing temperature T and vapor pressure of chalcogen PTe₂. Calculated the formation energy of metal and chalcogen monovacancies.
ISSN:0041–6045