Термодинаміка власних точкових дефектів і область гомогенності моносульфіду самарію

• Опубліковано в: : Украинский химический журнал
• Дата: 2012
• Автори: Фреїк, Д.М., Горічок, І.В., Шевчук, М.О.
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2012
• Теми: Неорганическая и физическая химия
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187766
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Термодинаміка власних точкових дефектів і область гомогенності моносульфіду самарію / Д.М. Фреїк, І.В. Горічок, М.О. Шевчук // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 9. — С. 25-29. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів і вільних носіїв заряду у металічній та напівпровідниковій фазі монокристалічного моносульфіду самарію, що знаходиться у рівновазі з парою металу. Визначено температурну залежність лінії солідусу з боку надлишку металу та встановлено переважаючий тип дефектів на межі області гомогенності сполуки. Проведен расчет концентраций точечных дефектов и свободных носителей заряда в металлической и полупроводниковой фазе монокристаллического моносульфида самария, находящегося в равновесии с паром металла. Определена температурная зависимость линии солидуса со стороны избытка металла и установлен преобладающий тип дефектов на границе области гомогенности соединения. The calculation of the concentration of point defects and free charge carriers in metallic and semiconductor single-crystal phase samarium monosulfid, which is in equilibrium with a pair of metal. The temperature dependence of the solidus line of the excess metal and found predominant type of defects on the edge of the homogeneity compounds.