Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах
Спектрофотометрическим методом изучены кинетика и механизм образования соединений висмута низших степеней окисления в системе Вi⁰—BiCl₃—ZnCl₂—NH₄Cl. Установлено, что при контакте металлического висмута с ионами Bi³⁺ в расплаве образуются интермедиаты Bi⁺ и кластеры [Bi₅]³⁺, характеризующиеся появлен...
Saved in:
| Published in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187785 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах / В.Ф. Козин, Н.И. Буряк, А.В. Близнюк // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 10. — С. 71-77. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859869844195770368 |
|---|---|
| author | Козин, В.Ф. Буряк, Н.И. Близнюк, А.В. |
| author_facet | Козин, В.Ф. Буряк, Н.И. Близнюк, А.В. |
| citation_txt | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах / В.Ф. Козин, Н.И. Буряк, А.В. Близнюк // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 10. — С. 71-77. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Украинский химический журнал |
| description | Спектрофотометрическим методом изучены кинетика и механизм образования соединений висмута низших степеней окисления в системе Вi⁰—BiCl₃—ZnCl₂—NH₄Cl. Установлено, что при контакте металлического висмута с ионами Bi³⁺ в расплаве образуются интермедиаты Bi⁺ и кластеры [Bi₅]³⁺, характеризующиеся появлением на спектрах электронного поглощения полос поглощения в области 18000 и 14000 см⁻¹ соответственно. Зависимость интенсивности полос поглощения от времени контакта ионов Bi³⁺ с металлическим висмутом использована для оценки кинетических параметров образования Bi⁺ и [Bi₅]³⁺. Константы скорости образования интермедиатов Bi⁺ и кластеров [Bi₅]³⁺, вычисленные по углу наклона линейной зависимости log(Dτ – D∞) от τ, оцениваются величинами 3.33×10⁻³ и 2.31×10⁻³ с⁻¹ соответственно. Предложен механизм анодного растворения висмута в расплавах. Определены катодный и анодный выходы висмута по току.
Методом спектрофотометрії вивчено кінетику і механізм утворення сполук вісмуту нижчих ступенів окиснення в системі Вi⁰—BiCl₃—ZnCl₂—NH₄Cl. Встановлено, що при контакті металевого вісмуту з іонами Bi³⁺ у розплаві утворюються інтермедіати Bi⁺ і кластери [Bi₅]³⁺, що характеризуються появою на спектрах електронного поглинання смуг поглинання в області 18000 і 14000 см⁻¹ відповідно. Залежність інтенсивності смуг поглинання від часу кон такту іонів Bi³⁺ з мета талевим вісмутом використана для оцінки кінетичних параметрів утворення Bi⁺ і [Bi₅]³⁺. Константи швидкості утворення інтермедіатів Bi⁺ і кластерів [Bi₅]³⁺, розраховані по куту нахилу лінійної залежності log(Dτ – D∞) від τ, оцінюються величинами 3.33× 10⁻³ и 2.31×10⁻³ с⁻¹ відповідно.
The kinetics and mechanism of formation of compounds of bismuth in lower oxidation states in the system Вi⁰—BiCl₃—ZnCl₂—NH₄Cl have been studied by the spectrofotometric method. It has been found that when metallic bismuth is contact with Bi³⁺ ions, Bi⁺ intermediates and [Bi₅]³⁺ clusters are formed in the melt, which are characterized by the appearance of absorption bands at 1800 and 14000 cm⁻¹, respectively, in electronic absorption spectra. The dependence of the intensity of a bsorption bands on the time of contact of Bi³⁺ ions with metallic bismuth was used to estimate the kinetic parameters of Bi⁺ and [Bi₅]³⁺ formation. The formation rate constants of Bi⁺ intermediates and [Bi₅]³⁺ clusters, calculated from the slope angle of the linear plotof log(Dτ – D∞) against τ, were estimated to be 3.33×10⁻³ and 2.31×10⁻³ s⁻¹ respectively.
|
| first_indexed | 2025-12-07T15:50:26Z |
| format | Article |
| fulltext |
НЕОРГАНИЧЕСКАЯ И ФИЗИЧЕСКАЯ ХИМИЯ
УДК 546.87:543.42
В.Ф.Козин, Н.И.Буряк, А.В.Близнюк
КИНЕТИКА И МЕХАНИЗМ ОБРАЗОВАНИЯ ИНТЕРМЕДИАТОВ И ОДНОВАЛЕНТНО-
ГО ВИСМУТА НА МЕЖФАЗНЫХ ГРАНИЦАХ Вi0—Bi3+ В ХЛОРИДНЫХ РАСПЛАВАХ
Спектрофотометрическим методом изучены кинетика и механизм образования соединений висмута
низших степеней окисления в системе Bi0 —BiCl3—ZnCl2—NH4Cl. Установлено, что при контакте
металлического висмута с ионами Bi3+ в расплаве образуются интермедиаты Bi+ и кластеры [Bi5]3+,
характеризующиеся появлением на спектрах электронного поглощения полос поглощения в области
18000 и 14000 см–1 соответственно. Зависимость интенсивности полос поглощения от времени контак-
та ионов Bi3+ с металлическим висмутом использована для оценки кинетических параметров образо-
вания Bi+ и [Bi5]3+. Константы скорости образования интермедиатов Bi+ и кластеров [Bi5]3+, вычис-
ленные по углу наклона линейной зависимости log(Dτ—D∞) от τ, оцениваются величинами 3.33⋅10–3 и
2.31⋅10–3 с–1 соответственно. Предложен механизм анодного растворения висмута в расплавах. Опре-
делены катодный и анодный выходы висмута по току.
ВВЕДЕНИЕ. Благодаря уникальному соче-
танию многих физико-химических свойств висму-
та и его соединений низших степеней окисления
перспективно его использование в различных от-
раслях современных технологических процессов
и электронной технике [1, 2]. Висмут имеет
малое сечение захвата тепловых нейтронов. Это
делает его идеальным теплоносителем [3] в ядер-
ных реакторах плавучих полярных атомных элек-
тростанций и атомных подводных лодок [4]. Вы-
сокая химическая и радиационная стойкость ин-
терметаллических соединений висмута AgnBim-
SbxTey [5] позволяет применять их для изгото-
вления приборов, работающих в неблагопpи-
ятных условиях. Большая ширина запрещен-
ной зоны, образования твердых растворов изо-
морфного замещения способствует значитель-
ному расширению спектрального диапазона ра-
боты изготовленных на его основе светоизлуча-
ющих и фотоприемных устройств.
Хорошая теплопроводность обеспечивает
охлаждение рабочей области, а сочетание высо-
кой скорости насыщения электронов и значи-
тельной напряженности поля пробоя делает ви-
смут пригодным для изготовления мощных вы-
сококачественных эпитаксиальных диодов Bi/
GaAs [6]. Изучение высокотемпературной сверх-
проводимости соединения Bi(2–0,x)Pb0,xSr2Ca2Cu3O10
позволяет применять его в современных техно-
логических производствах (например, при созда-
нии прототипа ВТСП-двигателя мощностью 5
МВт). Прямой характер межзонных переходов,
большая ширина запрещенной зоны, образова-
ние твердых растворов изоморфного замещения
способствует значительному расширению спект-
рального диапазона работы светоизлучающих и
фотоприемных устройств [7, 8]. Так, из кристал-
лов Bi2Te3—Bi2Se3 и Bi2Te3—Sb2Te3 в настоящее
время производят термоэлектрические модули,
в основе работы которых лежит эффект Пель-
тье. Охлаждающие устройства с применением та-
ких модулей выполняют те же функции, что и
традиционные холодильники на основе хлад-
агентов. Однако использование термоэлектри-
ческих модулей имеет ряд преимуществ: отсутст-
вие в блоке охлаждения подвижных частей и ра-
бочей жидкости, бесшумность работы, малые раз-
мер и масса охлаждающей системы. Примене-
ние висмута в этой области растет из года в год.
Для регистрации рентгеновского излучения
в ядерной физике и физике высоких энергий,
компьютерной медицинской томографии, низ-
кофоновой спектрометрии используют монокри-
сталлы Bi14Ge3O12. Разработано новое поколе-
ние записывающих оптических дисков DVD-
RAM с емкостью 4.7 Гб, при изготовлении ко-
торых применяют висмут.
Широкое использование и устойчивый
© В.Ф .Козин, Н .И .Буряк, А.В.Близнюк , 2012
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2012. Т. 78, № 10 71
рост потребления висмута в высокотехнологи-
ческих процессах — разработке новых преобра-
зователей энергии и других требует увеличения
его производства и улучшения качества. Приме-
нение галогенидных расплавов в процессах
рафинирования и разделения висмута и его
сплава на составные элементы находит все
большое рас- пространение. Для определения
эффективных факторов, влияющих на процессы
получения и рафинирования висмута в расплав-
ленных электролитах на границах фаз Bi0/Bi3+,
необходимы сведения о составе соединений
низших степеней окисления Bin+
m , находящихся
в приэлектродном слое.
В литературе имеется большой материал по
изучению образования соединений висмута
различных степеней окисления [9]. Методом низ-
котемпературного радиолиза с использованием
оптической регистрации, ЭПР-спектроскопии, им-
пульсного радиолиза обнаружено образование
Bi(II) и Bi(IV) в концентрированных солянокис-
лых растворах хлорида висмута. Исследование
спектров КР комплексов висмута позволило
установить их состав BiCl4
– и симметрию распо-
ложения D4h лигандов, входящих в ближнюю
сферу окружения центрального иона Bi3+. Опре-
делены частоты нормальных колебаний γ1(А1g)
=272, γ2(В1g) =104, γ4(В2g) =222 см–1, активных в
спектрах КР [10, 11]. Методом импульсного ра-
диолиза изучен процесс восстановления Bi3+ и
Bi2+, рассчитаны константы скорости реакции
Bi3+ с атомом водорода и реакций образования
и распада BiCl2 по реакции диспропорциониро-
вания [12]:
2Bi2+ → Bi+ + Bi3+ . (1)
Многими исследователями [13, 14] изучено
равновесие в расплаве систем Bi0—BiX3 (X —
Cl–, Br–, I– ) и получена зависимость растворе-
ния висмута от природы анионной составляю-
щей и температуры.. Растворимость Bi в BiCl3 с
увеличением температуры уменьшается с 45 %
мол. при 320 oC до 28 % мол. при 550 oC, а за-
тем растет, достигая 51 % Bi при 780 oC [15]. Эв-
тектика Bi0 с BiCl отвечает 202 oC и 70 % Bi; BiCl3
образует эвтектику с BiCl при 267 oC и 99 % BiCl3.
Исследованы бинарные системы Bi0—BiBr3 и Bi0
—BiI3 [16]. В системе Bi0—BiBr3 температура рас-
творения двух жидких фаз 538 oC (62 % мол. Bi0).
На участке системы, богатом BiBr3, область рас-
слоения при повышении температуры расши-
ряется от 57 % мол. Bi при 294 oC до 45 % мол.
Bi при 430 oС. На участке, богатoм Bi, область
расслоения с повышением температуры сужает-
ся. В системе Bi0—BiI3 критическая температура
растворения жидких фаз 458 oC (78 % мол. Bi).
Расширения области расслоения с повышением
температуры не наблюдается.
Трудность выделения соединений висмута
низшей степени окисления из растворов метал-
лов в их расплавленных галогенидах объясняет-
ся тем, что имеющий основной характер галоге-
нид-ион стабилизирует более кислую высшую сте-
пень окисления металлов. В присутствии силь-
ной кислой соли AlCl3 удается получить устой-
чивые соединения Bi+. Растворимость висмута в
BiCl3 при 260 оС составляет 46 %. В присутст-
вии AlCl3 при 260 оС количественно протекает
реакция:
2Bi + BiCl3 + 3AlCl3 = 3Bi[AlCl4] . (2)
Образующееся соединение Bi[AlCl4] имеет
температуру плавления 253 оС и каштановый
цвет в монолитном куске либо красно-коричне-
вый в порошке. На воздухе соединение темнеет,
в воде, ацетонитриле и спирте диспропорцио-
нирует на металл и тригалогенид висмута. Сое-
динения Bi[AlCl4] диамагнитны, их рентгено-
граммы отличаются от рентгенограмм смесей
компонентов.
В работе [1] отмечается, что при растворе-
нии металлического висмута в расплавленном
BiCl3 образуется черное вещество приблизитель-
ного состава Bi24Cl28. Оно имеет сложную струк-
туру, состоящую из четырех BiCl5
2–-ионов одно-
го Bi2Cl8
2- и двух Bi9
5+-ионов. Авторами работы
[17] методом молекулярных орбиталей с учетом
интегралов перекрывания рассмотрена хими-
ческая электронная структура в Bi9
5+ для идеаль-
ной модели с симметрией D3h и в предположе-
нии участия в связях лишь 6р-электронов атомов
висмута. Показано, что в этом случае молекула
имеет только замкнутые оболочки, что согласует-
ся с устойчивостью и диамагнетизмом этого иона.
Влияние возможностей и разработка теоре-
тического конструирования кристаллических фаз
промежуточных соединений висмута, отличаю-
щихся заданными особенностями структуры или
физических свойств, является одной из центра-
льных проблем неорганической химии [18]. Ре-
Неорганическая и физическая химия
72 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2012. Т. 78, № 10
шение этих задач позволяет наиболее рациона-
льным образом осуществить научно обоснован-
ный поиск и направленный синтез новых соеди-
нений висмута с заданными свойствами [18]. Так,
работа [19] посвящена вопросам конструирова-
ния новых кристаллических соединений, содер-
жащих в структурах кластеры переходных ме-
таллов, на примере субгалогенидов висмута.
В водных растворах тригалогениды висму-
та гидролизуют с образованием BiOCl по обра-
тимой реакции:
BiCl3 + H2O ↔ BiOCl + 2HCl . (3)
В расплавах AlCl3 и ZnCl2 (кислоты Льюи-
са) соединения низших степеней окисления вис-
мута стабилизируются и равновесие Bi0—BiCl3
смещено в сторону образования Bi+:
2Bi0 + Bi3+ ↔ 3Bi+ . (4)
Взаимодействием солевых смесей галогени-
дов BiCl3 +AlCl3 и BiBr3 +AlBr3 синтезированы
Льюисовские кислотно-основные аддукты три-
галогенидов висмута и алюминия — кристалли-
ческие структуры следующего состава: [Bi2Сl4]
[AlCl4]2 и [Bi2Вr4] [AlBr4]2 [20, 21].
Стабилизация соединений одновалентного
висмута в твердом и расплавленном состоянии
осуществляется по кислотно-основному меха-
низму Льюиса. Согласно Льюису, основание оп-
ределяется как вещество, способное отдавать элек-
тронную пару другому веществу, называемому
кислотой, с образованием ковалентной связи. А
кислотные свойства приобретает вещество, спо-
собное образовать ковалентную связь с основа-
нием в результате присоединения принадлежа-
щей ему пары электронов. Согласно данному оп-
ределению, реакция монохлорида и трихлорида
висмута представляют собой кислотно-основ-
ную реакцию.
Установлено [22], что в расплаве системы
Bi0—BiCl3—Li, K/Clэвт реализуются следующие
равновесия:
BiCl4
– ↔ BiCl3 +Cl–, Bi0 +BiCl3 ↔ Bi2Cl3 (5)
с образованием на второй стадии квазитетра-
эдрического иона со связью металл–металл и од-
ним неспаренным электроном.
В настоящее время исследователи прояв-
ляют повышенный интерес к новым методам ра-
финирования висмута, который позволил бы эф-
фективно использовать физико-химические свой-
ства соединений висмута низших степеней окис-
ления. Электрохимические процессы, протекаю-
щие в таких электролитах, обладающих высо-
кой электропроводностью и низким давлением
пара, повышают разделительную способность
по отношению к сопутствующим примесям. Пе-
ренос тока в расплавленных солевых компози-
циях висмута низших степеней окисления осу-
ществляется с участием Bi+. При пропускании 1
А⋅ч электричества на катоде выделяется 7.797 г
металлического висмута, в то время как при этих
же условиях электролиза в присутствии Bi3+ вы-
деляется 2.599 г висмута, что в 3 раза меньше.
Исследование механизма образования ин-
термедиатов висмута в низших степенях окисле-
ния в системе Bi0/Bi3+ на межфазных границах и
стабилизация его в солевой фазе при протека-
нии реакций (4), (6), (7), (8)
4Bi0 + 2BiX3 → 3Bi2X2 ; (6)
2Bi0 + BiX3 → Вi3X3 ; (7)
8Bi0 + 4BiX3 → 3Bi4X4 (8)
(Х — Cl–, B–, I– ) представляет не только науч-
ный, но и практический интерес.
Получение стабильных соединений висму-
та промежуточных степеней окисления — это
новое направление по разработке наукоемких
технологических процессов получения висмута
высокой чистоты. Для создания рациональных
технологических схем получения висмута вы-
сокой чистоты и совершенствования электро-
химического метода рафинирования необходи-
мы сведения о физико-химических свойствах со-
единений висмута низшей степени окисления с
целью выяснения механизма процессов, проте-
кающих на межфазных границах Вi0—Bi3+ в со-
левых расплавах.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ. Процесс об-
разования соединений висмута низших степеней
окисления на границе раздела фаз Bi0/Bi3+ в хло-
ридных расплавах осуществляли по методике, опи-
санной в работе [23]. Применение электронной
спектроскопии позволяет по изменению интен-
сивности поглощения света в процессе образова-
ния реакционно-активных соединений низших
степеней окисления висмута регистрировать из-
менение его состава без проведения периоди-
ческих проб, не нарушая концентрацию изучае-
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2012. Т. 78, № 10 73
мой системы. Спектроскопический метод позволя-
ет идентифицировать продукты реакции, возни-
кающие на границе фаз без понижения темпера-
туры, что привело бы к сдвигу равновесия про-
цесса и понижению концентрации ионов низ-
ших степеней окисления.
Эксперименты проводили на приборе Spe-
cord UV-VIS в герметической кварцевой кю-
вете с плоскопараллельными окнами и длиной оп-
тического пути 1 см. Кинетику образования со-
единений висмута низших степеней окисления
изучали по поглощению света расплавом задан-
ного состава при контакте металлического вис-
мута площадью 2 см2 с BiCl3. Источник света
пропускали по границе фаз металлический ин-
дий/расплав. Оптическое поглощение исследуе-
мого расплава компенсировали расплавом того
же состава в кварцевой кювете сравнения. Рас-
плав, в котором изучали кинетику образования
низших соединений висмута, имел следующий
состав, % мол.: BiCl3 — 1.0, ZnCl2 — 51, NH4Cl
— 48 и плавится при 180 оС [24]. В качестве ис-
ходных веществ применяли реактивы квали-
фикации ос.ч., которые подвергали дополните-
льной перекристаллизации и очистке, тщате-
льно обезвоживали и сушили в вакуумной печи.
Общую концентрацию ионов Bi+ в изучаемой си-
стеме определяли методом перманганометрии.
Явление растворения металлов в расплав-
ленных солях имеет исключительное значение
для многих металлургических и электрохими-
ческих процессов [26]. В расплавах трехвалент-
ного висмута в присутствии металлического вис-
мута, вследствие протекания реакции
2Bi0 + 4BiX3 ↔ 3Bi[BiX4] (9)
с константой равновесия
Kp =
Bi [BiX4]
[BiX3]
(10)
образуются ионы низшей степени окисления.
Анализ экспериментальных данных показал,
что равновесная концентрация ионов Bi+ низ-
шей степени окисления в исследуемой системе
зависит от природы аниона [13—17].
ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ. Конфигура-
ция внешних оболочек атома висмута 6s26p3
свидетельствует о возможности его нахождения
в разных степенях окисления от 0 до 5+ и обра-
зовании различных координационных соеди-
нений [27]. Методом импульсного радиолиза в во-
дных растворах обнаружены соединения вис-
мута низшей степени окисления [12, 28, 29]. Об-
ращает на себя внимание устойчивость Bi2+ по
сравнению с другими ионами металлов в необы-
чных состояниях окисления в водных средах
[28]. Рассматриваемый димер Bi2Cl2,, по мнению
авторов [13, 17], содержит диамагнитный диме-
рный катион (:Bi::Bi:)2+, аналогичный (Hg:Hg)2+,
но отличающийся от него наличием двух допол-
нительных связующих электронов (двойная связь
и четыре несвязующих 6s-электронов).
Электродные потенциалы висмута
(Bi3+/Bi0 =0.32 B; Bi+/Bi0 =0.49 B; Bi3+/Bi+ =0.23 B)
системы Bi0—BiCl—BiCl3—HСl—H2O имеют
положите- льное значение относительно водо-
родного элек- трода и поэтому ни висмут, ни
его ионы низ- шей степени окисления не
вытесняют водород из его соединений в
водных растворах. В солевых расплавах
равновесие реакции (8) в системе Bi—BiCl3—
расплав зависит от температуры и смещено в
сторону образования соединений висмута
низших степеней окисления [13, 30].
На рис. 1 приведено изменение во времени
интенсивности полос электронных спектров пог-
лощения ионов висмута низших степеней окис-
ления в расплаве системы Bi0—BiCl3—ZnCl2—
NH4Cl. Первый спектр (кривая 1) записывали
через 1 мин после контакта металлической вис-
мутовой пластины с расплавом, последующие
(кривые 2–6) — с интервалом 2 мин. Введение в
расплав висмутовой пластины обусловливало
появление на спектре полосы поглощения в
области 18000 см–1 (участок I), а также плеча в
области 14000 см–1 (участок II), причем интен-
сивность поглощения на этих участках увеличи-
вается во времени. Согласно [31] на I участке
электронного спектра наблюдается полоса, ха-
рактерная для образования катиона Bi+ по ре-
акции (4). На участке II рис. 1 появляется плечо
в области λ = 14000 см–1, которое может быть свя-
зано с протеканием следующих реакций:
6Bi+ ↔ [Bi5]3+ + Bi3+ ; (11)
4Bi0 + Bi3+ ↔ [Bi5]3+ . (12)
Максимум полос поглощения на обоих уча-
стках спектров достигается в течение 10 мин.
Неорганическая и физическая химия
74 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2012. Т. 78, № 10
При этом равновесная концентрация Bi+ в ис-
следуемой системе составляла 5.3⋅10–5 г-ион/л, а
комплексного соединения [Bi5]
3+ — 9.1⋅10–5 г-ион/л.
Следует отметить, что зависимость оптиче-
ской плотности реакционной смеси в области об-
разования одновалентного висмута Bi+ и интер-
медиатов [Bi5]
3+ от содержания Bi+ и интермеди-
атов [Bi5]
3+ в реакционной смеси подчиняется зако-
ну Бугера–Ламберта–Бера (рис. 2). Зависимость
оптической плотности от концентрации Bi+ и
[Bi5]
3+ (при постоянной величине l — толщине
слоя раствора) является линейной. Это дает ос-
нование полагать, что, наблюдая за изменением
оптической плотности во времени, спектроскопи-
ческим методом можно изучать кинетику обра-
зования катионов одновалентного Bi+ по реак-
ции (4) и интермедиата [Bi5]
3 по реакции (12).
Оптическую плотность до начала взаимо-
действия реакционной смеси в начале реакции
(4) обозначим D0, Dτ — в момент времени τ, а
D∞ — за бесконечно большое время, достаточ-
ное для полного превращения ионов висмута
одной степени окисления в другую по оконча-
нии взаимодействия. Разность оптической плот-
ности Dτ – D∞ пропорциональна концентра-
ции ионов Bi+ в момент времени τ, а D0 – D∞
— в начале регистрации спектров.
Константу скорости первого порядка нахо-
дят из соотношения:
k = 2.303/τ log(D∞ – D0)/(D∞ – Dτ) . (13)
Зависимость равновесного содержания сое-
динений одновалентного висмута в реакционной
смеси от времени τ можно представить уравне-
ниями:
Dτ – D∞ = (D0 – D∞)exp(–kτ) (14)
или
log(Dτ – D∞) = log(D0 – D∞) – kτ/2.303, (15)
где k и τ — константа и время образования соот-
ветственных соединений. В координатах log(Dτ –
D∞)—τ эта зависимость имеет вид прямой с уг-
ловым коэффициентом, равным k/2.303.
Анализ полученных данных показал, что
изменение оптической плотности реакционной
смеси в случае образования Bi+ и [Bi5]
3+ удовлет-
ворительно описывается уравнением (15) (рис. 3).
Константы скорости образования интерме-
Рис. 2. Зависимость оптической плотности расплавов
системы Bi0 + BiCl3—ZnCl2—NH4Cl от концентрации
ионов Bi+ (а) и интермедиатов [Bi5]3+ (б) от времени
контакта при образовании монохлорида висмута ( Bi+)
(1) и интермедиатов висмута [Bi5]3+ (2).
Рис. 1. Изменение интенсивности полос поглощения
электронных спектров ионов Bi+ (область I) и [Bi5]3+
(область II) в расплавах системы Bi0 + BiCl3—ZnCl2—
NH4Cl во времени.
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2012. Т. 78, № 10 75
диатов Bi+ и кластеров [Bi5]
3+ вычислены по уг-
лу наклона линейной зависимости log(Dτ – D∞)
от τ и оцениваются величинами 3.33⋅10–3 и 2.31⋅
10–3 с–1 соответственно.
При электрохимическом поведении висму-
та установлено, что анодный выход по току вис-
мута больше катодного. Превышение теоретиче-
ских значений выходов по току на аноде обус-
ловлено протеканием следующей реакции:
5Bi0 = [Bi5]3+ + 3е , (16)
а также образованием соединений низших сте-
пеней окисления:
Bi0 = Bi+ + е . (17)
Анодный выход висмута по току при плот-
ности Di =10 мА/см2 составляет 205 %. С увели-
чением плотности тока выход уменьшается и
составляет 124 % при Di =100 мА/см2 . Снижение
выхода по току обусловлено протеканием реак-
ции диспропорционирования ионов однова-
лентного висмута:
3Bi+ → 2Bi0 + Bi3+ . (18)
Катодный выход по току в интервале
плотности тока 60—80 мА/см2 составляет 150—
180 %. При более высоких плотностях тока отме-
чено снижение выхода по току на катоде вслед-
ствие реакций:
[Bi5]3+ + 3е = 5Bi0; (19)
Bi+ + е = Bi0. (20)
Высокий выход по току висмута свидетель-
ствует о том, что в электролите присутствуют ио-
ны висмута низших степеней окисления.
Полученные результаты позволили разра-
ботать технологические процессы образования вис-
мутового порошка [32, 33].
ВЫВОДЫ. Спектрофотометрическим мето-
дом изучена система BiCl—BiCl3. Установлено,
что при контакте металлического висмута с ио-
нами Bi3+ в расплаве образуются интермедиаты
— ионы одновалентного висмута (Bi+) и класте-
ры [Bi5]
3+, характеризующиеся появлением на спе-
ктрах электронного поглощения полос поглоще-
ния в области 18000 и 14000 см–1 соответственно.
Зависимость интенсивности полос поглоще-
ния от времени контакта ионов Bi3+ с металличе-
ским висмутом использована для оценки кине-
тических параметров образования Bi+ и [Bi5]
3+.
Константы скорости образования интермедиа-
тов Bi+ и кластеров [Bi5]
3+, вычисленные по углу
наклона линейной зависимости log(Dτ – D∞) от
τ, оцениваются величинами 3.33⋅10–3 и 2.31⋅ 10–3
с–1 соответственно.
Образование соединений висмута низших
степеней окисления протекает при контактном
взаимодействии металлического висмута с иона-
ми Bi3+, что подтверждено данными электрохи-
мических исследований.
Анодный выход висмута по току зависит от
плотности тока. С увеличением Da выход вис-
мута по току на аноде возрастает. Наблюдаемая
зависимость обусловлена образованием соеди-
нений висмута в низших степенях окисления.
Полученные результаты могут быть использо-
ваны для определения параметров электрохи-
мического рафинирования висмута в солевых
расплавах.
РЕЗЮМЕ. Методом спектрофотометрії вивчено
кінетику і механізм утворення сполук вісмуту нижчих
ступенів окиснення в системі Bi0—BiCl3—ZnCl2—NH4Cl.
Встановлено, що при контакті металевого вісмуту з іо-
нами Bi3+ у розплаві утворюються інтермедіати Bi+
і кластери [Bi5]
3+, що характеризуються появою на спек-
трах електронного поглинання смуг поглинання в
області 18000 і 14000 см–1 відповідно. Залежність ін
тенсивності смуг поглинання від часу кон такту іонів
Bi3+ з мета талевим вісмутом використана для оцінки
кінетичних параметрів утворення Bi+ і [Bi5]
3+. Конс-
танти швидкості утворення інтермеді- атів Bi+ і кла-
стерів [Bi5]
3+, розраховані по куту нахилу лінійної
залежності log(Dτ – D∞) від τ, оцінюються величи-
нами 3.33⋅ 10–3 и 2.31⋅10–3 с–1 відповідно.
Неорганическая и физическая химия
Рис. 3. Зависимость оптической плотности расплавов
системы Bi0 +BiCl3—ZnCl2—NH4Cl от времени при об-
разовании ионов Bi+ (прямая I) и [Bi5]3+ (прямая II).
76 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2012. Т. 78, № 10
SUMMARY. The kinetics and mechanism of forma-
tion of compounds of bismuth in lower oxidation states
in the system Bi0—BiCl3—ZnCl2—NH4Cl have been stu-
died by the spectrofotometric method. It has been found
that when metallic bismuth is contact with Bi3+ ions,
Bi+ intermediates and [Bi5]
3+ clusters are formed in the
melt, which are characterized by the appearance of ab-
sorption bands at 1800 and 14000 cm–1, respectively, in
electronic absorption spectra. The dependence of the in-
tensity of absorption bands on the time of contact of Bi3+
ions with metallic bismuth was used to estimate the
kinetic parameters of Bi+ and [Bi5]
3+ formation. The for-
mation rate constants of Bi+ intermediates and [Bi5]
3+
clusters, calculated from the slope angle of the linear plot
of log(Dτ – D∞) against τ, were estimated to be 3.33⋅10–3
and 2.31⋅10–3 s–1 respectively.
ЛИТЕРАТУРА
1. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорга-
ническая химия. -М .: Мир, 1969. -Т. 2.
2. Борисов Ю .В. // Энергетика. Промышленность.
Регионы. -2006. -№ 11. -С. 18—27.
3. W ydler P. // Chimia. -2005. -59, № 12. -Р. 970.
4. Безносов А .В., Пинаев С.С., Муравьв Е.В. // Атом-
ная энергия. -2005. -98, № 2. -C. 111—122.
5. Cui J., Xu X.B. // Mater. Lett. -2005. -59, № 26.
-Р. 3205—3209.
6. Bao Z hi L iang, Kavanagh Karen L . // Appl. Phys.
Lett. -2006. -80, № 2. -Р. 022102/1.
7. Li L iang, Y ang Vouwen, Huang Xiahu // Nanotech-
nology. -2006. -17, № 6. -Р. 1706—1712.
8. Jiang Lun, Chen L idong, Bai Shengyiang // J. Alloys
and Compounds. -2005. -390, № 1–2. -Р. 208—216.
9. Александров А .И ., Макаров И .Е. // Изв. АН СССР.
Сер. Хим. -1987. -№ 2. -С. 249—253.
10. Белый М .У., Охрименко Б .А . // Журн. прикл. спек-
троскопии. -1984. -29, № 4. -С. 648—652.
11. Белый М .У., Охрименко Б .А . // Там же. -1972. -17,
№ 3. -С. 472—476.
12. Сухов Н . Л., Акиншин М .А ., Ершов Б .Г. // Химия
высоких энергий. -1988. -22, № 5. -С. 409—412.
13. Укше Е.А ., Букун Н .Г. // Успехи химии. -1961.
-30, № 2. -С. 243—273.
14. Cleary B.Y ., Cubicciotti D. // J. Amer. Chem. Soc.
-1952. -74, № 2. -P. 557—558.
15. Y osim S .J., Darnell A .J., Gehman W .G., M ayer S.W .
// J. Phys. Chem. -1959. -63, № 2. -Р. 230—233.
16. Y osim S .J., Ransom L.D., Sallach R .A ., Topol L .E .
// Ibid. -1962. -66, № 1. -Р. 28—31.
17. Corbett J.D., Rundle R .E. // Inorg. Chem. -1964. -3,
№ 10. -Р. 1408—1412.
18. Дикарев Е.В., Поповкин Б .А . // Вестн. МГУ. Химия.
-1990. -31, № 5. -С. 496—499.
19. Дикарев Е.В., Поповкин Б.А . // Докл. АН СССР.
-1990. -310, № 1. -С. 117—121.
20. Corbett J.D . // Inorg. Chem. -1968. -7, № 2. -Р. 198—208.
21. Beck Johannes, Hengstmann M ., Schluter S . // Z.
Kristallogr. -2005. -220, № 2–3. -Р. 147—156.
22. Волков С.В., Буряк Н.И., Козин В.Ф., Шека И.А. // Тео-
рет. и эксперим. химия. -1991. -27, № 3. -С. 311—316.
23. Козин В.Ф., Буряк Н .И . // Укр. хим. журн. -2010.
-76, № 5. -С. 37—42.
24. Справочник по плавкости систем из безводных не-
органических солей в 2-х т. / Под ред. Н .К .Воскре-
сенской. -М .;Л.: Изд-во АН СССР, 1961. -Т. 1.
25. Козин В.Ф., Омельчук А .А . // Изв. вузов. Цвет. Ме-
таллургия. -2006. -№ 2. -С. 392—398.
26. А .с. № 1095676 СССР Мкл3, С 25 С, 5/04. -Опубл.
03.05.1984: Бюл. изобрет. № 20.
27. Волков С.В., Грищенко В.Ф., Делимарский Ю .К. Ко-
ординационная химия солевых расплавов. -Киев:
Наук. думка , 1977.
28. Ершов Б .Г. // Успехи химии. -1981. -50, № 12. -С.
2138—2166.
29. Ершов Б.Г. // Там же. -1997. -66, № 2. -С. 103—129.
30. Emons H.H. // Chem. Zvesti. -1974. -28, № 4. -Р. 433.
31. Bjerrum N. J., Boston C.R ., Smith G.P . // Inorg. Chem.
-1967. -6, № 6. -Р. 1162—1172.
32. А .с. № 822489 СССР Мки3, С 01/G, 29/00 . -Опубл.
15.04.1981; Бюл. изобрет. № 14.
33. А .с. № 1512150 СССР Мки4, С 22 В 30/06. -Опубл.
15.04.1981; Бюл. изобрет. № 14.
Институт общей и неорганической химии Поступила 15.05.2012
им. В.И .Вернадского НАН Украины, Киев
ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2012. Т. 78, № 10 77
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-187785 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0041–6045 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T15:50:26Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Козин, В.Ф. Буряк, Н.И. Близнюк, А.В. 2023-01-25T17:42:50Z 2023-01-25T17:42:50Z 2012 Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах / В.Ф. Козин, Н.И. Буряк, А.В. Близнюк // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 10. — С. 71-77. — Бібліогр.: 33 назв. — рос. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187785 546.87:543.42 Спектрофотометрическим методом изучены кинетика и механизм образования соединений висмута низших степеней окисления в системе Вi⁰—BiCl₃—ZnCl₂—NH₄Cl. Установлено, что при контакте металлического висмута с ионами Bi³⁺ в расплаве образуются интермедиаты Bi⁺ и кластеры [Bi₅]³⁺, характеризующиеся появлением на спектрах электронного поглощения полос поглощения в области 18000 и 14000 см⁻¹ соответственно. Зависимость интенсивности полос поглощения от времени контакта ионов Bi³⁺ с металлическим висмутом использована для оценки кинетических параметров образования Bi⁺ и [Bi₅]³⁺. Константы скорости образования интермедиатов Bi⁺ и кластеров [Bi₅]³⁺, вычисленные по углу наклона линейной зависимости log(Dτ – D∞) от τ, оцениваются величинами 3.33×10⁻³ и 2.31×10⁻³ с⁻¹ соответственно. Предложен механизм анодного растворения висмута в расплавах. Определены катодный и анодный выходы висмута по току. Методом спектрофотометрії вивчено кінетику і механізм утворення сполук вісмуту нижчих ступенів окиснення в системі Вi⁰—BiCl₃—ZnCl₂—NH₄Cl. Встановлено, що при контакті металевого вісмуту з іонами Bi³⁺ у розплаві утворюються інтермедіати Bi⁺ і кластери [Bi₅]³⁺, що характеризуються появою на спектрах електронного поглинання смуг поглинання в області 18000 і 14000 см⁻¹ відповідно. Залежність інтенсивності смуг поглинання від часу кон такту іонів Bi³⁺ з мета талевим вісмутом використана для оцінки кінетичних параметрів утворення Bi⁺ і [Bi₅]³⁺. Константи швидкості утворення інтермедіатів Bi⁺ і кластерів [Bi₅]³⁺, розраховані по куту нахилу лінійної залежності log(Dτ – D∞) від τ, оцінюються величинами 3.33× 10⁻³ и 2.31×10⁻³ с⁻¹ відповідно. The kinetics and mechanism of formation of compounds of bismuth in lower oxidation states in the system Вi⁰—BiCl₃—ZnCl₂—NH₄Cl have been studied by the spectrofotometric method. It has been found that when metallic bismuth is contact with Bi³⁺ ions, Bi⁺ intermediates and [Bi₅]³⁺ clusters are formed in the melt, which are characterized by the appearance of absorption bands at 1800 and 14000 cm⁻¹, respectively, in electronic absorption spectra. The dependence of the intensity of a bsorption bands on the time of contact of Bi³⁺ ions with metallic bismuth was used to estimate the kinetic parameters of Bi⁺ and [Bi₅]³⁺ formation. The formation rate constants of Bi⁺ intermediates and [Bi₅]³⁺ clusters, calculated from the slope angle of the linear plotof log(Dτ – D∞) against τ, were estimated to be 3.33×10⁻³ and 2.31×10⁻³ s⁻¹ respectively. ru Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах Кінетика і механізм утворення інтермедіатів і одновалентного вісмуту на міжфазних границях Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридних розплавах Kinetics and mechanism of formation of intermediates and monovalent bismuth at Вi⁰—Bi³⁺ interfaces in chloride melts Article published earlier |
| spellingShingle | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах Козин, В.Ф. Буряк, Н.И. Близнюк, А.В. Неорганическая и физическая химия |
| title | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах |
| title_alt | Кінетика і механізм утворення інтермедіатів і одновалентного вісмуту на міжфазних границях Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридних розплавах Kinetics and mechanism of formation of intermediates and monovalent bismuth at Вi⁰—Bi³⁺ interfaces in chloride melts |
| title_full | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах |
| title_fullStr | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах |
| title_full_unstemmed | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах |
| title_short | Кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах Вi⁰—Bi³⁺ у хлоридных расплавах |
| title_sort | кинетика и механизм образования интермедиатов и одновалентного висмута на межфазных границах вi⁰—bi³⁺ у хлоридных расплавах |
| topic | Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet | Неорганическая и физическая химия |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187785 |
| work_keys_str_mv | AT kozinvf kinetikaimehanizmobrazovaniâintermediatoviodnovalentnogovismutanamežfaznyhgranicahvi0bi3uhloridnyhrasplavah AT burâkni kinetikaimehanizmobrazovaniâintermediatoviodnovalentnogovismutanamežfaznyhgranicahvi0bi3uhloridnyhrasplavah AT bliznûkav kinetikaimehanizmobrazovaniâintermediatoviodnovalentnogovismutanamežfaznyhgranicahvi0bi3uhloridnyhrasplavah AT kozinvf kínetikaímehanízmutvorennâíntermedíatívíodnovalentnogovísmutunamížfaznihgranicâhvi0bi3uhloridnihrozplavah AT burâkni kínetikaímehanízmutvorennâíntermedíatívíodnovalentnogovísmutunamížfaznihgranicâhvi0bi3uhloridnihrozplavah AT bliznûkav kínetikaímehanízmutvorennâíntermedíatívíodnovalentnogovísmutunamížfaznihgranicâhvi0bi3uhloridnihrozplavah AT kozinvf kineticsandmechanismofformationofintermediatesandmonovalentbismuthatvi0bi3interfacesinchloridemelts AT burâkni kineticsandmechanismofformationofintermediatesandmonovalentbismuthatvi0bi3interfacesinchloridemelts AT bliznûkav kineticsandmechanismofformationofintermediatesandmonovalentbismuthatvi0bi3interfacesinchloridemelts |