Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆

Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Украинский химический журнал
Datum:2012
1. Verfasser: Горічок, І.В.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2012
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187812
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl, Br, I) груп періодичної таблиці. На основі отриманих результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах А₂B₆. Определены энтальпии образования комплексов точечных дефектов, состоящие из атома примеси, замещающего в матрице катион или анион, и анионной или катионной вакансии в соседнем узле. Расчет проведен для кристаллов ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легированных элементами первой (Cu, Ag, Au) и седьмой (Cl, Br, I) группы периодической таблицы. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ вероятности образования указанных комплексов в кристаллах А₂B₆. Determined the enthalpy of formation of complexes of point defects consisting of impurity atoms, which replaces the matrix cation or anion, and anionic or cationic vacancies in the neighboring node. The calculation was carried out for crystals ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, doped elements first (Cu, Ag, Au) and seventh (Cl, Br, I) groups of the periodic table. Based on the results of comparative analysis of the probability of formation of these complexes in A₂B₆ crystals.
ISSN:0041–6045