Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆
Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl...
Saved in:
| Published in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Date: | 2012 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187812 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-187812 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Горічок, І.В. 2023-01-26T15:30:17Z 2023-01-26T15:30:17Z 2012 Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187812 621.794’4: 546.48’24 Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl, Br, I) груп періодичної таблиці. На основі отриманих результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах А₂B₆. Определены энтальпии образования комплексов точечных дефектов, состоящие из атома примеси, замещающего в матрице катион или анион, и анионной или катионной вакансии в соседнем узле. Расчет проведен для кристаллов ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легированных элементами первой (Cu, Ag, Au) и седьмой (Cl, Br, I) группы периодической таблицы. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ вероятности образования указанных комплексов в кристаллах А₂B₆. Determined the enthalpy of formation of complexes of point defects consisting of impurity atoms, which replaces the matrix cation or anion, and anionic or cationic vacancies in the neighboring node. The calculation was carried out for crystals ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, doped elements first (Cu, Ag, Au) and seventh (Cl, Br, I) groups of the periodic table. Based on the results of comparative analysis of the probability of formation of these complexes in A₂B₆ crystals. uk Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ Энтальпии образования примесно-вакансионных комплексов в кристаллах А₂B₆ Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A₂B₆ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| spellingShingle |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ Горічок, І.В. Неорганическая и физическая химия |
| title_short |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_full |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_fullStr |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_full_unstemmed |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_sort |
ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах а₂b₆ |
| author |
Горічок, І.В. |
| author_facet |
Горічок, І.В. |
| topic |
Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
| publishDate |
2012 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Украинский химический журнал |
| publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Энтальпии образования примесно-вакансионных комплексов в кристаллах А₂B₆ Enthalpy of formation of impurity-vacancy complexes in crystals A₂B₆ |
| description |
Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl, Br, I) груп періодичної таблиці. На основі отриманих результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах А₂B₆.
Определены энтальпии образования комплексов точечных дефектов, состоящие из атома примеси, замещающего в матрице катион или анион, и анионной или катионной вакансии в соседнем узле. Расчет проведен для кристаллов ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легированных элементами первой (Cu, Ag, Au) и седьмой (Cl, Br, I) группы периодической таблицы. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ вероятности образования указанных комплексов в кристаллах А₂B₆.
Determined the enthalpy of formation of complexes of point defects consisting of impurity atoms, which replaces the matrix cation or anion, and anionic or cationic vacancies in the neighboring node. The calculation was carried out for crystals ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, doped elements first (Cu, Ag, Au) and seventh (Cl, Br, I) groups of the periodic table. Based on the results of comparative analysis of the probability of formation of these complexes in A₂B₆ crystals.
|
| issn |
0041–6045 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187812 |
| citation_txt |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT goríčokív entalʹpííutvorennâdomíškovovakansíinihkompleksívukristalaha2b6 AT goríčokív éntalʹpiiobrazovaniâprimesnovakansionnyhkompleksovvkristallaha2b6 AT goríčokív enthalpyofformationofimpurityvacancycomplexesincrystalsa2b6 |
| first_indexed |
2025-12-07T16:22:32Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:22:32Z |
| _version_ |
1850867242543087616 |