Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe

• Published in: Украинский химический журнал
• Date: 2013
• Main Authors: Фреїк, Д.М., Горічок, І.В., Юрчишин, Л.Д.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2013
• Subjects: Неорганическая и физическая химия
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187837
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe / Д.М. Фреїк, І.В. Горічок, Л.Д. Юрчишин // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 1. — С. 35-39. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

Методами термодинаміки і кристалохімії досліджено дефектну підсистему кристалів германій телуриду. Визначено концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду в залежності від температури та тиску пари халькогену в умовах двотемпературного відпалу. Розраховано енергії утворення моновакансій та антиструктурних атомів. Встановлено, що у високотемпературній модифікації β-GeTe домінуючими дефектами є двократно йонізовані вакансії германію VGe²⁻ . Методами термодинамики и кристаллохимии исследована дефектная подсистема кристаллов германий теллурида. Определены концентрации точечных дефектов и свободных носителей заряда в зависимости от температуры и давления пара халькогенами в условиях двухтемпературного отжига. Рассчитаны энергии образования моновакансий и антиструктурных атомов. Установлено, что в высокотемпературной модификации β-GeTe доминирующими дефектами являются двукратно ионизованные вакансии германия VGe²⁻ . Investigated the defect subsystem crystal germanium telluride using the thermodynamics and crystal chemistry methods. Calculate the concentration of point defects and free carriers as a function of temperature and chalcogen vapor pressure in the conditions of two-temperature annealing. Calculated energy formation of monovacancies and antisite atoms. Found that in the high-temperature modification β-GeTe dominant defects are doubly ionized germanium vacancies VGe²⁻ .