Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe
Методами термодинаміки і кристалохімії досліджено дефектну підсистему кристалів германій телуриду. Визначено концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду в залежності від температури та тиску пари халькогену в умовах двотемпературного відпалу. Розраховано енергії утворення моновакансій та...
Saved in:
| Published in: | Украинский химический журнал |
|---|---|
| Date: | 2013 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187837 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe / Д.М. Фреїк, І.В. Горічок, Л.Д. Юрчишин // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 1. — С. 35-39. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-187837 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Фреїк, Д.М. Горічок, І.В. Юрчишин, Л.Д. 2023-01-28T19:13:27Z 2023-01-28T19:13:27Z 2013 Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe / Д.М. Фреїк, І.В. Горічок, Л.Д. Юрчишин // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 1. — С. 35-39. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0041–6045 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187837 621.315.592:535 Методами термодинаміки і кристалохімії досліджено дефектну підсистему кристалів германій телуриду. Визначено концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду в залежності від температури та тиску пари халькогену в умовах двотемпературного відпалу. Розраховано енергії утворення моновакансій та антиструктурних атомів. Встановлено, що у високотемпературній модифікації β-GeTe домінуючими дефектами є двократно йонізовані вакансії германію VGe²⁻ . Методами термодинамики и кристаллохимии исследована дефектная подсистема кристаллов германий теллурида. Определены концентрации точечных дефектов и свободных носителей заряда в зависимости от температуры и давления пара халькогенами в условиях двухтемпературного отжига. Рассчитаны энергии образования моновакансий и антиструктурных атомов. Установлено, что в высокотемпературной модификации β-GeTe доминирующими дефектами являются двукратно ионизованные вакансии германия VGe²⁻ . Investigated the defect subsystem crystal germanium telluride using the thermodynamics and crystal chemistry methods. Calculate the concentration of point defects and free carriers as a function of temperature and chalcogen vapor pressure in the conditions of two-temperature annealing. Calculated energy formation of monovacancies and antisite atoms. Found that in the high-temperature modification β-GeTe dominant defects are doubly ionized germanium vacancies VGe²⁻ . uk Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України Украинский химический журнал Неорганическая и физическая химия Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe Термодинамика и кристаллохимия точечных дефектов в кристаллах германий теллурида β-GeTe Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in germanium telluride crystals β-GeTe Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe |
| spellingShingle |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe Фреїк, Д.М. Горічок, І.В. Юрчишин, Л.Д. Неорганическая и физическая химия |
| title_short |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe |
| title_full |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe |
| title_fullStr |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe |
| title_full_unstemmed |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe |
| title_sort |
термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-gete |
| author |
Фреїк, Д.М. Горічок, І.В. Юрчишин, Л.Д. |
| author_facet |
Фреїк, Д.М. Горічок, І.В. Юрчишин, Л.Д. |
| topic |
Неорганическая и физическая химия |
| topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
| publishDate |
2013 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Украинский химический журнал |
| publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Термодинамика и кристаллохимия точечных дефектов в кристаллах германий теллурида β-GeTe Thermodynamics and crystal chemistry of point defects in germanium telluride crystals β-GeTe |
| description |
Методами термодинаміки і кристалохімії досліджено дефектну підсистему кристалів германій телуриду. Визначено концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду в залежності від температури та тиску пари халькогену в умовах двотемпературного відпалу. Розраховано енергії утворення моновакансій та антиструктурних атомів. Встановлено, що у високотемпературній модифікації β-GeTe домінуючими дефектами є двократно йонізовані вакансії германію VGe²⁻ .
Методами термодинамики и кристаллохимии исследована дефектная подсистема кристаллов германий теллурида. Определены концентрации точечных дефектов и свободных носителей заряда в зависимости от температуры и давления пара халькогенами в условиях двухтемпературного отжига. Рассчитаны энергии образования моновакансий и антиструктурных атомов. Установлено, что в высокотемпературной модификации β-GeTe доминирующими дефектами являются двукратно ионизованные вакансии германия VGe²⁻ .
Investigated the defect subsystem crystal germanium telluride using the thermodynamics and crystal chemistry methods. Calculate the concentration of point defects and free carriers as a function of temperature and chalcogen vapor pressure in the conditions of two-temperature annealing. Calculated energy formation of monovacancies and antisite atoms. Found that in the high-temperature modification β-GeTe dominant defects are doubly ionized germanium vacancies VGe²⁻ .
|
| issn |
0041–6045 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187837 |
| citation_txt |
Термодинаміка і кристалохімія точкових дефектів у кристалах германій телуриду β-GeTe / Д.М. Фреїк, І.В. Горічок, Л.Д. Юрчишин // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 1. — С. 35-39. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT freíkdm termodinamíkaíkristalohímíâtočkovihdefektívukristalahgermaníiteluriduβgete AT goríčokív termodinamíkaíkristalohímíâtočkovihdefektívukristalahgermaníiteluriduβgete AT ûrčišinld termodinamíkaíkristalohímíâtočkovihdefektívukristalahgermaníiteluriduβgete AT freíkdm termodinamikaikristallohimiâtočečnyhdefektovvkristallahgermaniitelluridaβgete AT goríčokív termodinamikaikristallohimiâtočečnyhdefektovvkristallahgermaniitelluridaβgete AT ûrčišinld termodinamikaikristallohimiâtočečnyhdefektovvkristallahgermaniitelluridaβgete AT freíkdm thermodynamicsandcrystalchemistryofpointdefectsingermaniumtelluridecrystalsβgete AT goríčokív thermodynamicsandcrystalchemistryofpointdefectsingermaniumtelluridecrystalsβgete AT ûrčišinld thermodynamicsandcrystalchemistryofpointdefectsingermaniumtelluridecrystalsβgete |
| first_indexed |
2025-12-07T20:33:24Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:33:24Z |
| _version_ |
1850883026423119872 |