Фотоэлектрохимические свойства модифицированных фотоанодов на основе нанотрубок TiO₂ и халькогенидов кадмия для систем получения фотоводорода

Путем нанесения полупроводниковых пленок CdSe на титановую подложку со сформированным слоем нанотрубок TiО₂ методом потенциостатической анодной поляризации получены полупроводниковые гетероструктуры NT-TiO₂/CdSe, NT-TiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Изучены фотоэлектрохимические процессы на поликристаллических...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Украинский химический журнал
Дата:2013
Автори: Слободянюк, И.А., Русецкий, И.А., Данилов, М.О., Колбасов, Г.Я., Щербакова, Л.Г., Солонин, Ю.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2013
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/187941
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотоэлектрохимические свойства модифицированных фотоанодов на основе нанотрубок TiO₂ и халькогенидов кадмия для систем получения фотоводорода / И.А. Слободянюк, И.А. Русецкий, М.О. Данилов, Г.Я. Колбасов, Л.Г. Щербакова, Ю.М. Солонин // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 5. — С. 51-55. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Путем нанесения полупроводниковых пленок CdSe на титановую подложку со сформированным слоем нанотрубок TiО₂ методом потенциостатической анодной поляризации получены полупроводниковые гетероструктуры NT-TiO₂/CdSe, NT-TiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Изучены фотоэлектрохимические процессы на поликристаллических NT-TiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ фотоэлектродах. Проанализированы причины увеличения эффективности фотопреобразования после модифицирования поверхности фотоэлектродов NT-TiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ наночастицами CdS. Показано, что наноструктурирование электродов приводит к увеличению их фоточувствительности, что связано с уменьшением скорости поверхностной рекомбинации. Исследована эффективность работы изучаемых фотоанодов в фотоэлектрохимической ячейке с накоплением водорода. Шляхом нанесення напівпровідникових плівок CdSe на титанову підладку зі сформованим шаром нанотрубок TiО₂ методом потенціостатичної анодної поляризації отримано напівпровідникові гетероструктури NT-TiО₂/CdSe, NT-TiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅. Вивчено фотоелектрохімічні процеси на полікристалічних NT-TiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅-фотоелектродах. Проаналізовано причини збільшення ефективності фотоперетворення після модифікування поверхні фотоелектродів NT-TiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ наночастинками CdS. Показано, що наноструктурування електродів приводить до збільшення їхньої фоточутливості, що пов’язане зі зменшенням швидкості поверхневої рекомбінації. Досліджено ефективність роботи фотоанодів, що вивчаються, у фотоелектрохімічній комірці з накопиченням водню. Semiconductor heterostructures NT-TiO₂/CdSe have been obtained by supporting semiconductor films CdSe on a Ti-substrate with the generated layer of nanotubes TiО₂ by a method of potentiostatic anodic polarisation. Photoelectrochemical processes on polycrystalline NT-TiO₂/CdSe, NT-TiO₂/CdSe0.65Te0.35-photoelectrodes have been studied. The reasons of increase in efficiency of phototransformation after inoculation of a surface of photoelectrodes NTTiO₂/CdSe₀.₆₅Te₀.₃₅ nanoparticles CdS have been analyzed. It has been shown that nanostructurization of electrodes leads to increase in their photosensitivity whet is connected with decrease us speed of a surface recombination. Overall performance of studied photoanodes in a photoelectrochemical cell with hydrogen accumulation has been examined.
ISSN:0041–6045