Коллективные процессы атомного упорядочения при низкотемпературном осаждении пленок

• Дата: 2009
• Автори: Марченко, И.Г., Неклюдов, И.М., Марченко, И.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2009
• Теми: Матеріалознавство
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/18855
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Коллективные процессы атомного упорядочения при низкотемпературном осаждении пленок / И. Г. Марченко, И.М. Неклюдов, И.И. Марченко // Доп. НАН України. — 2009. — № 10. — С. 97-103. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Методом молекулярної динамiки дослiджено процеси атомного упорядкування при низькотемпературному осадженнi металiв з ГЦК структурою на щiльноупаковану площину (111). Показано, що змiна структури поверхневого шару структури має недифузiйний характер i зумовлена колективним рухом атомiв в кластерах. Методом комп’ютерного моделювання виявлено нове явище явище дислокацiйно iндукованої коалесценцiї, що полягає у зростаннi середнього розмiру ГЦК кластерiв за рахунок зменшення кiлькостi гексагональних щiльноупакованих (ГЩУ) кластерiв внаслiдок руху поверхневих дислокацiй Шоклi. Очевидно, виявлене явище є загальним як для ГЦК, так i для ГЩУ металiв при низькотемпературному осадженнi та допускає експериментальну перевiрку. The method of molecular dynamics is used to investigate the atomic ordering processes taking place during the low-temperature fcc metal deposition onto the close-packed plane (111). It is evidenced that the change in the surface layer structure is nondiffusive in character and is due to the collective atomic motion in the clusters. By the simulation method, a new phenomenon has been found, namely, the phenomenon of dislocation-induced coalescence, consisting in the growth of mean-size fcc clusters due to a decrease of the number of hcp clusters caused by the motion of Shockley surface dislocations. Most likely, the phenomenon observed is the general process for both fcc metals and hcp metals during the low-temperature deposition and supposes an experimental checking.