Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2

The researches of the element structure of surface layers are carried out by methods of electronic raster microscopy and Auger-spectroscopy. The influence of dioxide titanium on structure surface layers of the system SiO2–TiO2 is investigated. A connection between the surface concentration of the se...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автори: Горбик, П.П., Гунько, В.М., Зарко, В.І., Міщук, О.О., Співак, О.А., Чуйко, О.О.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2007
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1897
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2 / П.П. Горбик, В.М. Гунько, В.І. Зарко, О.О. Міщук, О.А. Співак, О.О. Чуйко // Доп. НАН України. — 2007. — N 1. — С. 143–148. — Бібліогр.: 10 назв. — укp.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1860069244061876224
author Горбик, П.П.
Гунько, В.М.
Зарко, В.І.
Міщук, О.О.
Співак, О.А.
Чуйко, О.О.
author_facet Горбик, П.П.
Гунько, В.М.
Зарко, В.І.
Міщук, О.О.
Співак, О.А.
Чуйко, О.О.
citation_txt Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2 / П.П. Горбик, В.М. Гунько, В.І. Зарко, О.О. Міщук, О.А. Співак, О.О. Чуйко // Доп. НАН України. — 2007. — N 1. — С. 143–148. — Бібліогр.: 10 назв. — укp.
collection DSpace DC
description The researches of the element structure of surface layers are carried out by methods of electronic raster microscopy and Auger-spectroscopy. The influence of dioxide titanium on structure surface layers of the system SiO2–TiO2 is investigated. A connection between the surface concentration of the second oxide phase in titanium silica or aluminum silica and their zeta-potential is investigated.
first_indexed 2025-12-07T17:10:03Z
format Article
fulltext оповiдi НАЦIОНАЛЬНОЇ АКАДЕМIЇ НАУК УКРАЇНИ 1 • 2007 ХIМIЯ УДК 541.183 © 2007 П.П. Горбик, В.М. Гунько, В. I. Зарко, О. О. Мiщук, О.А. Спiвак, академiк НАН України О. О. Чуйко Розподiл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2−TiO2 The researches of the element structure of surface layers are carried out by methods of electronic raster microscopy and Auger-spectroscopy. The influence of dioxide titanium on structure surface layers of the system SiO2−TiO2 is investigated. A connection between the surface concentration of the second oxide phase in titanium silica or aluminum silica and their zeta- potential is investigated. Досягнення нанорозмiру дисперсними частинками супроводжується iстотним збiльшенням вкладу поверхневих ефектiв як у фiзичнi, так i хiмiчнi властивостi матерiалу [1, 2]. Вплив поверхнi визначає своєрiднiсть об’ємних властивостей, дефектної структури, механiзмiв ад- сорбцiї, хiмiчного складу, реакцiйної здатностi поверхнi нанокомпозитiв, зокрема на основi високодисперсного кремнезему [3]. Тому вивчення закономiрностей формування елементно- го складу приповерхневих шарiв матерiалу є актуальним для прогнозування фiзико-хiмiч- них властивостей нанокомпозитiв i оптимiзацiї технологiї їх виготовлення та практичного використання. Метою роботи було вивчення впливу дiоксиду титану на склад приповерхневих шарiв нанокомпозитiв системи SiO2−TiO2, отриманих на Калуському дослiдно-експерименталь- ному заводi Iнституту хiмiї поверхнi НАН України методом пiрогенного синтезу iз сумiшi SiCl4 й TiCl4 у полум’ї водневого пальника. Методика дослiджень. Зразки нанокомпозитiв дослiджували методом електронної растрової мiкроскопiї та електронної Оже-спектроскопiї [4, 5] за допомогою надвисокова- куумного Оже-мiкрозонду марки JAMP-10S фiрми JEOL. Методом електронно-растрової мiкроскопiї визначали дiлянки препарованого зразка нанокомпозита, найбiльш характернi та оптимальнi для Оже-спектральних дослiджень. Електронно-растровi дослiдження вiдбу- валися за такими параметрами електронно-оптичної системи: енергiя електронного променя 5 кеВ, струм променя 2 · 10−10 А, дiаметр пучка 0,05–0,1 мкм. Оже-спектральнi дослiдження проводили при енергiї первинних електронiв 5 кеВ, стру- мовi 5 ·10−7 А, дiаметрi пучка вiд 0,5 до 100 мкм. Величини струму i дiаметра електронного ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №1 143 пучка було пiдiбрано таким чином, щоб запобiгти руйнуванню зразкiв пiд впливом опромi- нення. Вакуумування зразкiв здiйснювалось до тиску 10−9–10−7 Па. Реєстрацiя диференцiальних Оже-спектрiв E·dN(E)/dE вiдбувалась за допомогою енер- гоаналiзатора типу “цилiндричне дзеркало” з роздiльною здатнiстю за енергiєю Оже-елект- ронiв ∆E/E = 0,7%, амплiтудою модуляцiї напруги на енергоаналiзаторi 4 В, напругою на каналотронi 2,5 кВ та постiйною часу тракту пiдсилення 1 с. Оже-спектри реєстрували в режимi автоматичного запису з кроком 1 еВ за допомогою комп’ютера та за програмами фiрми JEOL. Перелiк зразкiв та характеристики порошкових нанокомпозитiв наведено в табл. 1. Результати дослiджень та їх обговорення. Оскiльки порошки нанокомпозитiв пре- парувались у матрицю iндiю, то для аналiзу вiдбиралися спектри, на яких iнтенсивностi лiнiй iндiю та вуглецю були мiнiмальними. Встановлено, що наявнiсть вуглецю пов’язана з поверхнею матрицi iндiю [6]. Слiд вiдзначити, що для бiльшостi дослiджених наносистем типу SiO2−TiO2 вдалося отримати Оже-спектри з мiнiмальними iнтенсивностями лiнiй iн- дiю та вуглецю, що свiдчить про можливiсть дослiдження зразкiв бiльшої товщини по- рiвняно з наносистемами типу SiO2−Al2O3 [6]. Це пояснюється, iмовiрно, впливом оксиду титану, електропровiднiсть якого значно перевищує електропровiднiсть оксидiв кремнiю та алюмiнiю. Характернi Оже-спектри препарованих зразкiв порошкових нанокомпозитiв типу SiO2−TiO2 (табл. 1) наведено на рис. 1. Крiм лiнiй iндiю та вуглецю (поверхня метале- вої матрицi), на спектрах реєструються лiнiї чотирьох елементiв: кремнiю, титану, кисню, хлору. Вiрогiдно, що хлор є залишковою домiшкою, наявнiсть якої зумовлена особливостя- ми технологiї синтезу, що може впливати на концентрацiю кисню в дослiджених зразках. Аналiз хiмiчного зсуву LVV-лiнiї кремнiю свiдчить, що в приповерхневих шарах нано- систем типу SiO2−TiO2 атоми кремнiю знаходяться тiльки в оксидних фазах, тобто в усiх спектрах вiдсутня LVV-лiнiя 92 еВ, яка є характерною для вiдновленого кремнiю [7–9]. Концентрацiї елементiв у приповерхневих шарах нанокомпозитiв типу SiO2−TiO2 наве- дено в табл. 1. Пiд час розрахункiв концентрацiй фаза поверхнi металевої матрицi (елементи In, C) не враховувалася. Розрахунок концентрацiї титану проводили за LММ-лiнiєю 418 еВ Ti, а кремнiю — за LVV-лiнiєю Si. Табличнi данi свiдчать про зменшення поверхневої концентрацiї кисню на 18–25% у на- нокомпозитiв типу SiO2−TiO2, вже починаючи з низьких концентрацiй TiO2, порiвняно з чистим кремнеземом. Ця особливiсть добре спостерiгається на залежностi концентрацiї Таблиця 1. Характеристики високодисперсних порошкових нанокомпозитiв SiO2−TiO2 Номер зразка Загальний вмiст TiO2, % (мас.) Питома площа поверхнi, м2/г Поверхнева концентрацiя елементiв, % (ат.) Тi Si (Si−O) O Cl 1 0 312 0 30,2 65,8 4,0 2 2 77 4,3 40,1 53,8 1,8 3 9 238 7,1 26,4 66,4 — 4 14 137 7,8 39,6 49,1 3,5 5 20 86 6,5 36,9 52,3 4,3 6 40 109 7,4 32,3 60,3 — 7 65 34 14,4 29,6 54,2 1,8 8 94 30 30,9 3,4 64,0 1,7 9 100 50 31,5 0 68,5 — 144 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №1 Рис. 1. Диференцiальнi Оже-спектри: а: 1 — препарованого в матрицю iндiю високодисперсного SiO2 (зразок 1, табл. 1); 2, 3 — порошки на- нокомпозити SiO2−TiO2 (у матрицi In) з вiдносно низьким вмiстом TiO2 (зразки 2, 5 вiдповiдно); б : 1 ′, 2 ′ — препарованих у матрицю iндiю нанокомпозитiв SiO2 — TiO2 з високим вмiстом TiO2 (зразки 6, 7 вiдповiдно); 3 ′ — високодисперсний TiO2 у матрицi In (зразок 9 ) кисню в приповерхневому шарi зерен нанокомпозитiв вiд загального вмiсту оксиду TiO2 (рис. 2, а). Мiнiмальна поверхнева концентрацiя кисню спостерiгається в дiапазонi концентрацiй TiO2 вiд 14 до 20%. Подальше зростання загального вмiсту TiO2 у складi нанокомпозита в цiлому сприяє рiвномiрному збiльшенню концентрацiї кисню на поверхнi зерен до значень, характерних для стехiометрiї чистого TiO2. Зауважимо, що значнi вiдхилення вiд наведеної на рис. 2, а залежностi проявляються у випадках зразкiв з мiнiмальною (практично нульовою) концентрацiєю залишкової домiш- ки хлору (див. табл. 1, зразки 3, 6 ). Отже, цей елемент може вiдiгравати важливу роль у формуваннi структури нанокомпозита. Рис. 2, б iлюструє залежностi концентрацiї катiонiв на поверхнi зерен нанокомпозита вiд загального вмiсту TiO2. Зiставлення з рис. 3 дозволяє зробити висновок про iснування зво- ротної кореляцiї мiж змiнами концентрацiй кисню та кремнiю. Зокрема, подiбна кореляцiя стосується i зазначених значних вiдхилень вiд загальної тенденцiї (наприклад, див. табл. 1, зразок 3 ). Загалом, поверхня дослiджених нанокомпозитiв типу SiO2−TiO2 порiвняно з їх об’ємом є збiдненою на кисень (крива 1) та збагаченою на кремнiй (крива 2). Залежнiсть для поверхневої концентрацiї титану, з одного боку, є менш чутливою до непередбачуваних вiдхилень поверхневої концентрацiї кисню, а з iншого — має складнi- ший характер. Для малих концентрацiй TiO2 у складi композита (див. табл. 1, зразки 2–4 ) можна вважати, що переважна кiлькiсть атомiв титану утворює сегрегацiї на поверхнi зе- рен. В цiлому, поверхнева концентрацiя титану бiльша за його концентрацiю в об’ємi для зразкiв нанокомпозита з загальним вмiстом оксиду TiO2 до 20% (зразки 2–5 ). Для зразкiв, ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №1 145 Рис. 2. Залежнiсть концентрацiї кисню (а), титану (1 ) й кремнiю (2 ) у приповерхневих шарах нанокомпо- зитiв SiO2−TiO2 вiд загального вмiсту TiO2 (б ) якi мають загальний вмiст оксиду TiO2, вищий за 20% (iнтервал 20–80%), поверхня зерен збiднена титаном порiвняно з їх об’ємом (зразки 6, 7 ). Поверхнева та об’ємна концентрацiї титану вирiвнюються для випадкiв нанокомпозитiв iз значним загальним вмiстом оксиду TiO2 (зразок 8 — 94%). Отже, з введенням до складу нанокомпозита дiоксиду титану на поверхнi частинок фор- мується структура, елементний склад якої добре описується лiнiйною комбiнацiєю концент- рацiй монооксиду кремнiю та дiоксиду титану: nSiO + mTiO2 (див. табл. 1, зразки 2 ; 4–9 ) при змiнi загального вмiсту останнього в широких межах (2–100% (мас.)). Отриманi результати дозволяють прослiдкувати зв’язок мiж поверхневою концентра- цiєю другої оксидної фази в титанокремнеземах (ТК) або алюмокремнеземах (АК) та їх ζ-потенцiалом. Як вiдомо, заряд оксидної поверхнi у водному середовищi залежить вiд при- роди її поверхневих функцiональних груп i pH середовища. Утворення заряду на поверхнi оксидiв SiO2, TiO2 або Al2O3 можна представити через асоцiацiю або дисоцiацiю протона: −Me−OH + H+ ↔ −Me−OH+ 2 , (1) −Me−OH ↔ −Me−O− + H+, (2) де Me — Si, Ti, Al. У точцi нульового заряду (ТНЗ) — pHТНЗ або в iзоелектричнiй точцi (IЕТ) — pHIЕТ кон- центрацiї (Me−O−) = (Me−OH+ 2 ). Це означає, що при pH < pHIЕТ на поверхнi переважають центри (Me−OH+ 2 ), а при pH > pHIЕТ — центри (Me−O−). Iзоелектричнi точки для вихiдних оксидiв (SiO2, TiO2, Al2O3) добре вiдомi. Для SiO2 pHIЕТ = 2,2; для TiO2 pHIЕТ = 6,0; а для Al2O3 pHIЕТ = 9,8 [10]. Для змiшаних оксид- них систем SiO2−TiO2 (ТК) й SiO2−Al2O3 (АК) IЕТ повиннi знаходитися мiж IЕТ SiO2 та IЕТ TiO2 (або Al2O3). Однак для ТК i АК, синтезованих за пiрогенною технологiєю, вимiрянi IЕТ систем виявляються нижче значення IЕТ SiO2 [10], причому при будь-яких концентрацiях фаз TiO2 (або Al2O3) 6 40% по масi. У кислому середовищi на поверхнi ТК й АК повиннi переважати позитивно заряд- женi атоми Ti й Al, тобто центри (Me−OH+ 2 ), рiст яких на поверхнi приведе до збiль- шення ζ-потенцiала систем ТК й АК. Така змiна ζ-потенцiала зумовлена особливостями способу синтезу цих змiшаних оксидних систем, внаслiдок чого на поверхнi наночастинок ТК (або АК) знаходиться бiльша, нiж випливає iз стехiометричних спiввiдношень, кiль- кiсть атомiв титану (або алюмiнiю [6]), причому переважна частина цих атомiв утворює 146 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №1 Рис. 3. Залежностi потенцiала у водних суспензiях (CТК(АК) = 0,2%, pH 3 (а) та концентрацiї атомiв Ti (або Al) (б ) на поверхнi пiрогенних систем ТК i АК вiд загального вмiсту фази МеО титано(алюмо)силоксановi мiстки, якi за своєю природою є кислими активними центра- ми i в присутностi молекул води проявляють бренстедiвську кислотнiсть: Si−O(H)−Ti, Si−O(H)−Al [10]. Дiйсно, порiвняння кривих змiни величини ζ-потенцiала при pH 3 для пiрогенних сис- тем ТК й АК (див. рис. 3, а) i поверхневої концентрацiї атомiв Ti (або Al) (див. рис. 3, б ) показують, що збiльшення поверхневої концентрацiї другої оксидної фази в ТК (або АК) призводить до збiльшення ζ-потенцiала, причому кожна пара кривих є симбатними, а їх максимуми збiгаються. Це вказує на визначальну роль поверхневих атомiв титану й алю- мiнiю як у процесах адсорбцii iонiв важких металiв [6], так i при утвореннi заряджених центрiв поверхнi, що формують приповерхневий подвiйний електричний шар нанокомпози- тiв пiрогенних систем ТК й АК. Роботу виконано в рамках завдань комплексної програми фундаментальних дослiджень “На- носистеми, наноматерiали та нанотехнологiї”. 1. Снитко О.В., Саченко А. В., Примаченко В. Е. Проблемы физики поверхности полупроводников / Под общ. ред. О.В. Снитко. – Киев: Наук. думка, 1981. – 332 с. 2. Гуткин М.Ю., Овидько И.А. Дефекты и механизмы пластичности в наноструктурных и некристал- лических материалах. – Москва: Изд-во Янус, 2000. – 178 с. 3. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела / Под ред. Ф.Ф. Волькенштейна. – Москва: Мир, 1980. – 488 с. 4. Васильев М.А. Структура и динамика поверхности переходных металлов. – Киев: Наук. думка, 1988. – 248 с. 5. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. – Москва: Мир, 1987. – 600 с. 6. Горбик П.П., Гунько В.М., Зарко В.И. и др. О распределении оксида алюминия в высокодисперсной оксидной системе Al2O3/SiO2 // Доп. НАН України. – 2004. – Nо 11. – С. 150–154. 7. Иванов В.Ш., Брытов И.А., Кораблев В. В. Атлас Оже-спектров химических элементов и их соеди- нений. – Москва, 1986. – В86. – 112 с. – Деп. в ЦИОНТ ПИК ВИНИТИ 25.06.86, № 6359. ISSN 1025-6415 Доповiдi Нацiональної академiї наук України, 2007, №1 147 8. Terryu H. A new approach to the use of Auger-lineshape effects as a routine technique for characterization of chemical bounding // Appl. Surf. Sci. – 1985. – 24. Nо 2. – P. 283–286. 9. Wirth. Th. Quantitative Auger electron spectroscopy of silicides by extended matrix correction using dN(E)/dE spectra // Surf. Interf. Anal. – 1992. – 18, Nо 1. – P. 3–11. 10. Gun’ko V.M., Zarko V. I., Chibowski E., Leboda R. Aqueous suspension of fumed oxides: particle size distribution and zeta potential // Adv. Coll. and Surf. – 2001. – 91. – P. 1–112. Надiйшло до редакцiї 18.02.2005Iнститут хiмiї поверхнi НАН України, Київ УДК 546.185 © 2007 I. В. Огородник, I. В. Затовський, член-кореспондент НАН України М. С. Слободяник Кристалiзацiя складних фосфатiв у розплавах системи K2O−P2O5−TiO2−ZnO The crystallization fields and conditions of the formation of complex phosphates have been studi- ed for the flux system K2O−P2O5−TiO2−ZnO. KTi2(PO4)3, KTiOPO4, K2Zn0.5Ti1.5(PO4)3, K1+yZnxTi2−x(PO4)3 (0 6 x 6 0.5; 0 6 y 6 1) and KZnPO4 are synthesized. The cell parameters of the obtained compounds are calculated by the powder XRD. Ti4+ → Ti3+ reducti- on processes are observed during the crystallization of langbeinite-like phosphates. The presence of titanium(III) in the obtained compounds is discovered using EPR- and electron spectroscopy. Каркаснi фосфати р- та d-металiв є перспективними кристалiчними матрицями для ство- рення нових люмiнесцентних та сцинтиляцiйних матерiалiв [1, 2]. У цьому аспектi значний iнтерес представляють складнi фосфати на основi магнiю, мангану, цинку, кадмiю, строн- цiю, титану та iн. [3]. Одним з пiдходiв до одержання таких сполук є метод високотемпера- турного розчинного-розплавного синтезу, що широко застосовується не лише для синтезу, а й для вирощування монокристалiв фосфатiв. Дослiдження процесiв фазоутворення в со- льових розплавах головним чином спрямованi на оптимiзацiю умов одержання вiдомих та нових сполук з необхiдними характеристиками для створення функцiональних матерiалiв. У цiй роботi було дослiджено процеси фазоутворення для розчинiв-розплавiв системи K2O−P2O5−TiO2−ZnO в умовах спонтанної кристалiзацiї. Кристалiзацiю проводили для iзоконцентрацiйних розрiзiв для значень Ti/P = 0,125, 0,150 й 0,175. При цьому спiввiдно- шення K/P та Zn/Ti варiювали в межах вiд 0,8 до 1,4 та вiд 0,5 до 2,5 вiдповiдно. За вихiднi реагенти використовували фосфати та оксиди таких квалiфiкацiй чистоти: KPO3 (“ч”), K4P2O7 (“ч”), H3PO4 (“ч. д. а.”), TiO2 (“о. с. ч.”), ZnO (“о. с. ч.”). Перетертi у ага- товiй ступi вихiднi шихти помiщали у платиновi тиглi та нагрiвали до 1000–1150 ◦С. Для одержання розчинiв-розплавiв з спiввiдношеннями K/P < 1 до шихт додавали розраховану кiлькiсть ортофосфорної кислоти. У таких випадках нагрiвання проводили iз ступiнчастою витримкою протягом 2 год при 200 та 400 ◦С. Для досягнення гомогенностi розплавiв, останнi витримувались 2–6 год при 1000 ◦С (спiввiдношення K/P = 1,0–1,5) або 4–8 год при 1150 ◦С (спiввiдношення K/P < 1). Повноту розчинення оксидiв контролювали шляхом 148 ISSN 1025-6415 Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2007, №1
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-1897
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1025-6415
language Ukrainian
last_indexed 2025-12-07T17:10:03Z
publishDate 2007
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
record_format dspace
spelling Горбик, П.П.
Гунько, В.М.
Зарко, В.І.
Міщук, О.О.
Співак, О.А.
Чуйко, О.О.
2008-09-03T13:08:39Z
2008-09-03T13:08:39Z
2007
Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2 / П.П. Горбик, В.М. Гунько, В.І. Зарко, О.О. Міщук, О.А. Співак, О.О. Чуйко // Доп. НАН України. — 2007. — N 1. — С. 143–148. — Бібліогр.: 10 назв. — укp.
1025-6415
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1897
541.183
The researches of the element structure of surface layers are carried out by methods of electronic raster microscopy and Auger-spectroscopy. The influence of dioxide titanium on structure surface layers of the system SiO2–TiO2 is investigated. A connection between the surface concentration of the second oxide phase in titanium silica or aluminum silica and their zeta-potential is investigated.
uk
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
Хімія
Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2
Article
published earlier
spellingShingle Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2
Горбик, П.П.
Гунько, В.М.
Зарко, В.І.
Міщук, О.О.
Співак, О.А.
Чуйко, О.О.
Хімія
title Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2
title_full Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2
title_fullStr Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2
title_full_unstemmed Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2
title_short Розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи SiO2–TiO2
title_sort розподіл оксиду титану в нанокомпозитах системи sio2–tio2
topic Хімія
topic_facet Хімія
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1897
work_keys_str_mv AT gorbikpp rozpodíloksidutitanuvnanokompozitahsistemisio2tio2
AT gunʹkovm rozpodíloksidutitanuvnanokompozitahsistemisio2tio2
AT zarkoví rozpodíloksidutitanuvnanokompozitahsistemisio2tio2
AT míŝukoo rozpodíloksidutitanuvnanokompozitahsistemisio2tio2
AT spívakoa rozpodíloksidutitanuvnanokompozitahsistemisio2tio2
AT čuikooo rozpodíloksidutitanuvnanokompozitahsistemisio2tio2