Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії

• Published in: Доповіді НАН України
• Date: 2010
• Main Authors: Козирев, Ю.М., Картель, М.Т., Рубежанська, М.Ю., Скляр, В.К., Дмитрук, Н.В., Тайхерт, К., Хофер, К.
• Language: Ukrainian
• Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2010
• Subjects: Фізика
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/19255
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.

Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми напiвсфер з низьким спiввiдношенням латерального розмiру нанокластера до висоти β. Запропоновано механiзм формування таких систем. Self-assembled Si and Ge nanoclusters are prepared by molecular-beam epitaxy on an initially amorphous silicon oxide SiOx (x ≤ 2) layer. In contrast to Si nanoclusters that seem to show monocrystalline features: {113} side facets with characteristic angles of about 25 º and top (100) terraces, the formed Ge nanoclusters take a shape of hemispheres with a lower ratio of the nanocluster lateral size to height β. A mechanism of formation of such a system is proposed.