Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiм...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2010 |
| Автори: | , , , , , , |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2010
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/19255 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862533539651649536 |
|---|---|
| author | Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. |
| author_facet | Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. |
| citation_txt | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Доповіді НАН України |
| description | Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми напiвсфер з низьким спiввiдношенням латерального розмiру нанокластера до висоти β. Запропоновано механiзм формування таких систем.
Self-assembled Si and Ge nanoclusters are prepared by molecular-beam epitaxy on an initially amorphous silicon oxide SiOx (x ≤ 2) layer. In contrast to Si nanoclusters that seem to show monocrystalline features: {113} side facets with characteristic angles of about 25 º and top (100) terraces, the formed Ge nanoclusters take a shape of hemispheres with a lower ratio of the nanocluster lateral size to height β. A mechanism of formation of such a system is proposed.
|
| first_indexed | 2025-11-24T06:55:39Z |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-19255 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1025-6415 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-11-24T06:55:39Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. 2011-04-23T15:47:30Z 2011-04-23T15:47:30Z 2010 Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 1025-6415 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/19255 537.311.322 Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми напiвсфер з низьким спiввiдношенням латерального розмiру нанокластера до висоти β. Запропоновано механiзм формування таких систем. Self-assembled Si and Ge nanoclusters are prepared by molecular-beam epitaxy on an initially amorphous silicon oxide SiOx (x ≤ 2) layer. In contrast to Si nanoclusters that seem to show monocrystalline features: {113} side facets with characteristic angles of about 25 º and top (100) terraces, the formed Ge nanoclusters take a shape of hemispheres with a lower ratio of the nanocluster lateral size to height β. A mechanism of formation of such a system is proposed. Роботу виконано в рамках спiльної австрiйсько-української науково-технiчної програми “Механiзми формування та квантоворозмiрнi ефекти в системах квантових точок Ge на Si (100) та Si (111)”, що виконується згiдно з договором з Мiнiстерством освiти i науки України № М/139–2007 вiд 17 квiтня 2007 р., та проекту № 9/07 програми фундаментальних дослiджень НАН України “Наноструктурнi системи, наноматерiали, нанотехнологiї”.
 Автори вдячнi акад. НАН України А. Г. Наумовцю за плiдне обговорення результатiв роботи. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Доповіді НАН України Фізика Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії Investigation of Si and Ge nanocluster systems on the surface SiOx/Si prepared by molecular beam epitaxy published earlier |
| spellingShingle | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. Фізика |
| title | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_alt | Investigation of Si and Ge nanocluster systems on the surface SiOx/Si prepared by molecular beam epitaxy |
| title_full | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_fullStr | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_full_unstemmed | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_short | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_sort | дослідження систем нанокластерів si та ge на поверхні siox/si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| topic | Фізика |
| topic_facet | Фізика |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/19255 |
| work_keys_str_mv | AT kozirevûm doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT kartelʹmt doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT rubežansʹkamû doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT sklârvk doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT dmitruknv doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT taihertk doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT hoferk doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT kozirevûm investigationofsiandgenanoclustersystemsonthesurfacesioxsipreparedbymolecularbeamepitaxy AT kartelʹmt investigationofsiandgenanoclustersystemsonthesurfacesioxsipreparedbymolecularbeamepitaxy AT rubežansʹkamû investigationofsiandgenanoclustersystemsonthesurfacesioxsipreparedbymolecularbeamepitaxy AT sklârvk investigationofsiandgenanoclustersystemsonthesurfacesioxsipreparedbymolecularbeamepitaxy AT dmitruknv investigationofsiandgenanoclustersystemsonthesurfacesioxsipreparedbymolecularbeamepitaxy AT taihertk investigationofsiandgenanoclustersystemsonthesurfacesioxsipreparedbymolecularbeamepitaxy AT hoferk investigationofsiandgenanoclustersystemsonthesurfacesioxsipreparedbymolecularbeamepitaxy |