Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)

• Published in: Вісник НАН України
• Date: 2023
• Main Author: Дубіковський, О.В.
• Format: Article
• Language: Ukrainian
• Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2023
• Subjects: Молоді вчені
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/192915
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано,
 що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до
 200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати
 профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду,
 а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено
 режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними
 покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів. A numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was applied to the analysis
 of an InSb diode with a p-n junction, and the optimal doping profile of an electrically active impurity was determined.
 It has been shown that to achieve a high efficiency of photodetection, it is necessary to use multi-energy ion implantation
 with energies from 20 to 200 keV. The corresponding technology was implemented, and secondary ion mass
 spectrometry methods were used at different stages of the process, which made it possible to adjust the technological
 parameters, in particular, control the impurity distribution profiles. It has been established that oxides of indium and
 antimonide, as well as segregation of antimonide, lead to current leakages, additional processing modes have been found
 that lead to a decrease in such parasitic effects. The processes of passivation of diode structures have been studied and it
 has been shown that silicon nitride films are the optimal coatings. A technology has been developed and experimental
 models of photodiodes have been manufactured.