Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)
Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергети...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вісник НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2023 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/192915 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-192915 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Дубіковський, О.В. 2023-07-20T17:53:22Z 2023-07-20T17:53:22Z 2023 Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 0372-6436 DOI: doi.org/10.15407/visn2023.02.079 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/192915 Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до 200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду, а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів. A numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was applied to the analysis of an InSb diode with a p-n junction, and the optimal doping profile of an electrically active impurity was determined. It has been shown that to achieve a high efficiency of photodetection, it is necessary to use multi-energy ion implantation with energies from 20 to 200 keV. The corresponding technology was implemented, and secondary ion mass spectrometry methods were used at different stages of the process, which made it possible to adjust the technological parameters, in particular, control the impurity distribution profiles. It has been established that oxides of indium and antimonide, as well as segregation of antimonide, lead to current leakages, additional processing modes have been found that lead to a decrease in such parasitic effects. The processes of passivation of diode structures have been studied and it has been shown that silicon nitride films are the optimal coatings. A technology has been developed and experimental models of photodiodes have been manufactured. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Вісник НАН України Молоді вчені Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) Mass spectrometric studies in the technology of manufacturing multi-element IR photodetectors based on indium antimonide (According to the materials of report at the meeting of the Presidium of the NAS of Ukraine, December 28, 2022) Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) |
| spellingShingle |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) Дубіковський, О.В. Молоді вчені |
| title_short |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) |
| title_full |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) |
| title_fullStr |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) |
| title_full_unstemmed |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) |
| title_sort |
мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних іч-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні президії нан україни 28 грудня 2022 р.) |
| author |
Дубіковський, О.В. |
| author_facet |
Дубіковський, О.В. |
| topic |
Молоді вчені |
| topic_facet |
Молоді вчені |
| publishDate |
2023 |
| language |
Ukrainian |
| container_title |
Вісник НАН України |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Mass spectrometric studies in the technology of manufacturing multi-element IR photodetectors based on indium antimonide (According to the materials of report at the meeting of the Presidium of the NAS of Ukraine, December 28, 2022) |
| description |
Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано,
що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до
200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати
профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду,
а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено
режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними
покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів.
A numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was applied to the analysis
of an InSb diode with a p-n junction, and the optimal doping profile of an electrically active impurity was determined.
It has been shown that to achieve a high efficiency of photodetection, it is necessary to use multi-energy ion implantation
with energies from 20 to 200 keV. The corresponding technology was implemented, and secondary ion mass
spectrometry methods were used at different stages of the process, which made it possible to adjust the technological
parameters, in particular, control the impurity distribution profiles. It has been established that oxides of indium and
antimonide, as well as segregation of antimonide, lead to current leakages, additional processing modes have been found
that lead to a decrease in such parasitic effects. The processes of passivation of diode structures have been studied and it
has been shown that silicon nitride films are the optimal coatings. A technology has been developed and experimental
models of photodiodes have been manufactured.
|
| issn |
0372-6436 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/192915 |
| citation_txt |
Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
| work_keys_str_mv |
AT dubíkovsʹkiiov masspektrometričnídoslídžennâvtehnologíívigotovlennâbagatoelementnihíčfotopriimačívnaosnovíantimoníduíndíûzamateríalaminaukovogopovídomlennânazasídanníprezidíínanukraíni28grudnâ2022r AT dubíkovsʹkiiov massspectrometricstudiesinthetechnologyofmanufacturingmultielementirphotodetectorsbasedonindiumantimonideaccordingtothematerialsofreportatthemeetingofthepresidiumofthenasofukrainedecember282022 |
| first_indexed |
2025-12-07T17:07:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:07:36Z |
| _version_ |
1850870078413733888 |